Патенты с меткой «гетеропереходов»

Номер патента: 631014

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Бакуменко, Чишко

МПК: H01L 21/46

Метки: гетеропереходов, р-п-n

...свойствами материалов по обе стороны от перехода, необходимо, чтобы ширина границы раздела между двумя материалами была порядка постоянной решеткио( 10 А), и соединяемые поверхности имели свойства, близкие к объемным свойствам материалов. Последнее требование сравнительно легко удовлетворяется обработкой поверхностей непосредствеш:о перед приготовлением переходов с помощью химических полирующих травителей, либо приготовлением поверхностей для перехода путем скалывания по плоскостям спайности. Первое из указанных выше трсбований сводится к тому, чтобы неровности поверхностей не сильно превышали межатомные расстояния в материалах. Зто пс может быть достигнуто механической и химической обработкой поверхности. Указанным требованиям...

Номер патента: 1001237

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Перов, Петров, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетеропереходов, концентрации, материалах, полупроводниковых, примесей, эффективной

...1так как д, д 2, а Ес, ДЕч не менЯютсЯ при изменении найряжения смещения,Высокочастотную емкость гетеро- перехода можно записать в виде 1 4 О СС 2вц г. сгде С и С 2 - емкость ОПЗ каждого иэ полупроводников, по определению равные аааа,1Й 1, 02 - величина заряда на включениях последовательно емкостях С 4,С 2. Но при последовательном сбединении емкостейЯ:; а 1=3 й, .Следовательно, из (3-6 ) получаем 5 О 55 1 2 2Ч) Таким образом, зная из эксперименота свц,д 91 и 62Расс:читывают 65Определение эффективной концентрации .примесей (И ) в полупроводниковых 15 материалах гетероперехода производит- ся следующим образом.На гетеропереход подается напряжение смещения 9 и он освещается импульсом света, энергия квантов ко- О торого Е (Л Е 1 э ЕсВ этом...