Покалякин

Номер патента: 789018

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Елинсон, Мадьяров, Малахов, Покалякин, Степанов, Терешин, Тестов

МПК: H01L 29/12

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...снизит барьер с металлом. При дальнейнем увеличении положительного смещения становится возможным туннелирование электронов из валентной эоны невырожденного полупроводника в зону проводимости металла. При этом в валентной зоне невырожденного полупроводника появляются дырки, которые движутся к вырожденному полупроводнику, В запрещенной зоне невырожденного полупроводника имеются ловушки, способные захватывать электроны Е " иедырки ЕВ исходном состоянии все ловушки заполнены и имеют заряд равный нулю, Теперь появившаяся в валентной зоне невырожденного полупроводника дырка захватывается ловушкой для дырки в области, прилежащей к вырожденному проводнику с последующей рекомбинацией с электроном, находящимся на ловушке для электронов в...

Номер патента: 1005223

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Елинсон, Мадьяров, Малахов, Покалякин, Терешин

МПК: H01L 29/15, H01L 45/00

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...к увеличению количесгвв элементов схемы управления и к удорожанию такого запоминающего устройства.Целью изобретения является повышение стабильности работы и увеличение огно- у щения сопротивлений в выключенном и включенном состоянии,Уквзанная цель постигается тем, что в полупровоцниковом запоминающем устройстве на основе гегероперехоцв иэ 1 О вырожценного полупровоцникв и невырожценной полупроводниковой пленки с ловушками в запрещенной зоне, содержащемконтактный элемент, соэцвющий потенциальный барьер с невырожценным полу- И провоцником, межцу вырожценным полупровоцником и невырожценной полупровоцниковой пленкой введен слой иэ теннельно-прозрачного диэлектрика.Туннельно-прозрачный циэлекгрик 2 ф . может быть выполнен иэ 510 . В случае...

Номер патента: 713444

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Елинсон, Малахов, Покалякин, Степанов

МПК: H01L 29/51, H01L 29/84

Метки: давления, полупровлдниковый

...обусловленный тжмогенерацией у поверхности.Следствие этого - появление неравновесно обедненного слоя у поверхности, т,е. ситуация подобная ЬЬттки" 4 Оконтакту,В то же время иэ-за падения напряжения на слое диэлектрика при переходе от обогащения к обеднению уровеньФерми-металла смещается по направле нию к зоце проводимости, При достиженик уровнем Ферми-края зоцы проводимости, через слой диэлектрика начинают протекать значительные туннельные токи с уровня Ферми-материала электрода ца разрешенные состояния в зоне проводимости полупроводника, Модельцо можно представить, что сопротивление диэлектрика значительно уменьшается к становится меньшесопротивления обедненной области, Поэтому, дальнейшее увеличецие напряжения падает ца...

Номер патента: 575976

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Блинсон, Малахов, Покалякин, Степанов

МПК: H01L 29/76

Метки: ключ, полупроводниковый

...не превышающемдиффузионную длину носителей заряда вполупроводнике от электрода, расположенного на диэлектрике.На чертеже изображен предлагаемыйполупроводниковый ключ.Он состоит из металлического электрода 1, диэлектрика 2, инжектирующего контакта 3, полупроводника с р --переходом 4 и металлического электрода (омического контакта) 5.При приложении постоянного напряжения к МДП структуре, открывающегор -е 1 - переход, происходит распространение области пространственного заряда575976 Составитель О, ФедюкинаРедактор Т. Колоддева Техред М. Петко Корректор М. Пожо Заказ 8644/71 Тираж 844 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное Филиал ППП Патент", г....

Номер патента: 670023

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Елинсон, Мадьяров, Покалякин, Степанов, Терешин, Тестов

МПК: H01L 29/12

Метки: полупровдниковое

...трудность изготовления тонких слоев бинарных соединений, невоспроизводимость пара метров переключения, связанная, по - видимому, с невоспроизводимостью свойств пленок. Такие материалы не используются для изготовления как пассивных, так и активных элементов интегральных схем.Известны полупровЬдн ус ройства на основе гетер ода лическиолов аго прибх состомное, бзапомнинапряжезобретеости перохранентающемстигаетдеФекты0 смеские уб 70 Я 23 Составитель Г. КорниловаРедактор Т . Колодцева Техред Н,Бабурка Корректор Е, Папп Заказ 8666 72 Тираж 844 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП Патент , г. Ужгород, ул, Проектная, 4 минается и сохраняется...