Патенты с меткой «трансистор»

Номер патента: 1005224

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Ажажа, Алехин, Березкин, Грабчак, Кирпиленко, Рычков, Селькова

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, трансистор

...структуре, содержащей полуизолируюшую подложку 1, например, из -типа И арсенида галлия и эпигаксиальную пленку 2 и-типа с концентрацией примеси 101 - 10 см , соцержащий контакты стока 3 и истока 4, например, из композиции М- Ао - М 1, выполнен ные на поверхности эпитаксиальной пленки 2, затвор 5 в вице барьера Шоттки, выполненный вЧ-канавке, и изолирующую область 6, глубина которой не превышает глубины М -канавки. Изолиру- И юшая область может быть создана, например, путем аморфизации материала:эписгаксиальной пленки облучением ускоренными электрически,нейтральными ионами, направленным параллельно граням Ч -ка нввки. При этом маской служат контакты стока 3, истока 4 и затвора 5.Изолирующая область 6 может также быть выполнена в вице...