Хамылов

Номер патента: 1001234

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Девятых, Домрачев, Жук, Кулешов, Лазарев, Хамылов, Чурбанов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, осаждения, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, фазы

...этого, снижение давления позволяет интенсифицировать десорбцию и отвод из эоны осаждения продуктов реакции, что также способствует увеличениюскорости осаждения.Выбор рабочего давления определяется летучестью элементов А и В и свойствами осаждаемого слоя. П р и м е р 1 . Подложку из сапфира размещают на пьедестале, который вводят в реактор. Вокруг подложки и пьедестала размещают дополнительную поверхность цилиндрической формы диаметром 28 мм, которая одновременно является нагревателем реактора. Реактор откачивают до давления 1 Па и включают нагреватель, Дополнительную поверхность и пьедестал нагревают370 оС, затем пьедестал охлаждаютодо 250 С. Точность поддержания температуры составляет + 5 С. Подают сеоленоводород, а затем пары...

Номер патента: 570239

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Домрачев, Жук, Каверин, Кириллов, Нестеров, Хамылов

МПК: B01J 17/32

Метки: а1у, ву14, кристаллических, соединений

...ФормулуЙ А ВщЧ, гдеЦи 3 - водород или алкилы.С целью получения кристаллическим,эпитаксиальных слоев термическое разложение ведут при осаждении продуктовна кристаллическую нагретую подложку.С целью получения слоев теллуридаалова -Блие в качестве элементоорганического соединения используют соединение общей Формулы ЙЬп"еЙз илиЧ ВпРебп Й- гдето иц - алкилы, 10выбранные из ряда кетил, этил,пропил,бутил, и осаждение ведут на подлокку, нагретую до 250-375 фС,С целью получения нитевидных кристаллов подложку нагревают изотропным 15ИК-светом или направленным излучением со скользящим углом падения наподложку.П р и м е р 1. Для получениякристаллических слоеввпТе берут в качестве исходного соединения бис-триэтилстанилтеллур. Подложкой...