Патенты с меткой «сверхпроводниках»

Номер патента: 1001241

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Милошенко, Пантелеев

МПК: H01L 39/24

Метки: критических, магнитных, полей, сверхпроводниках

...образца, находящаяся на рас1001241 Формула изобретения слт стоянии 0,1-0,2 мм от неподвижного электрода, образовывала с ним емкость С, При подаче переменного напряжения на электрод образец начинает колебаться за счет электростатического взаимодействия. С помощью звукового генератора типа ГЗпо максималь-, ной амплитуде колебаний образца наст,раиваются на резонансную частоту . Одновременно емкость С включается в контур высокочастотного генератора 1 О и за счет колебаний образца происходит модуляция высокочастотного сигнала этого генератора. Контроль осуществляется при помощи осциллографа и частотомера. 15На фиг. 2-4 представлены результаты измерения й(,Н ).На фиг. 2 приведены зависимости Й(Н ) для пленок толщиной 0,5 мкм (,кривые 1 и...

Номер патента: 1711102

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Демин, Иванов, Морозовский, Немошкаленко, Никитин, Павлюк, Погорелов

МПК: G01R 19/08, G01R 33/035

Метки: критической, плотности, сверхпроводниках

...сверхпроводящего тела М, которая описывается линией ОАВ на фиг 1 при возрастании напряженности внешнего поля и линией ВСЭ при спадании. На участке ВС зависимость линейная, протяженность участка ВС характеризует критическую плотность тока, 1 к Н 6-НВ предлагаемом способе изменение напряженности магнитного поля обеспечивают изменяя расстояние между магнитом и сверхпроводящим телом. В таком случае критическую плотность тока определяют из соотношения3 = А - (Х - Хс), (2)В20 ВеличинУ (Х б - Хс) = Ь Х находЯт измеряя силу взаимодействия магнита и сверхпроводящего тела., Она зависит от намагниченности и при разведении ца участке ВС, где изменение 1 пропорциоцальцо изменению Н, также изменяется линейно с изменением расстояния:Р - Р...