Полупроводниковое запоминающее устройство

О П И С А Н И Е (н)1005223ИЗОБРЕТЕН ИЯ Сфез СоветсккСоциалистическихРеспубики К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(Я)м. кл. Н 011 29/1 0 Н 01 145/О присЬелинением заявки М -23) Приоритетвтвт Гвву СССРвз зебретвйи етрытвй ублиовано 15.03,83. Бюллетень М 1ага опубликованияописания 15.03.8 53) УДК 621. .382 (088.8 М, И. Елинсон, М. Р. Мадьяров, В. А. Малахов,В, И, Покалякин и С, А. ТерешинЪ 72) Авторыизобретения Орцена Труцового Красного Знамени институт71) Заявительрадиотехники и электроники АН СССР 54 ) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕУСТРОЙСТВО Изобретение относится к вычисли тельной технике и может, быть испольэо вано при создании постоянных запоминающих устройств вычислительных машин и в .автоматике.Известны полупроводниковые запоминак. шие устройства на основе стеклообраэных полупроводников, обладающие свойством памяти при отключении источника питания. Такое устройство состоит из стеклообраэного полупровоцника, заключенного между металлическими элекгроцами. При пропускании тока через элекгроцы проис- хоцит иэмеяение величины проводимости межцуэлектроцного материала, причем при отключении питания полученная прово димость межцуэлектроцного промежутка не изменяется, Процесс переключения характеризуется напряжением, при котором начинается процесс изменения величины проводимости 1.1 ) . Это напряжение, называемое порогоым или напряжением переключения,имеег разброс по величине как для одного элемента, так и цля ряда элементов на одной подложке, достигающийдесятков процентов в зависимости огприменяемой технологии,Известно также полупроводниковоезапоминающее устройство на основегетероперехода из вырожденного полупровоцника и невырожценной полупроводниковой пленки с ловушками в запрещенной зоне, содержащее контактный элемент,,создающий потенциальный барьер с невырожденным полупроводником, Устройствоможет быть выполнено на основе гетероперехоца 51 -5 ИО 12)Однако напряжение переключения втаком устройстве имеет довольно значительный разброс по величине в различных .местах полупроводниковой матрицы памяти. Такие значительные отклонения порогового напряжения требуют от схемыуправления магрицей памяги существенных усложнений, что, в свою очерець, 3 1005 вецет к увеличению количесгвв элементов схемы управления и к удорожанию такого запоминающего устройства.Целью изобретения является повышение стабильности работы и увеличение огно- у щения сопротивлений в выключенном и включенном состоянии,Уквзанная цель постигается тем, что в полупровоцниковом запоминающем устройстве на основе гегероперехоцв иэ 1 О вырожценного полупровоцникв и невырожценной полупроводниковой пленки с ловушками в запрещенной зоне, содержащемконтактный элемент, соэцвющий потенциальный барьер с невырожценным полу- И провоцником, межцу вырожценным полупровоцником и невырожценной полупровоцниковой пленкой введен слой иэ теннельно-прозрачного диэлектрика.Туннельно-прозрачный циэлекгрик 2 ф . может быть выполнен иэ 510 . В случае наличия тонкого циэлектрического слоя приложенное напряжение смешения перервспрецеляется межцу слоем 5 иО и слоем тонкого циэлек грикв, Пленки 5101 могут быть полуФчены мегоцом окисления в атмосферекислороца, они имеют очень стабильныепараметры (практически разброс по зр пластине имеет величину менее 1%), Таким образом, цри том же разбросе параметров пленов БИО,1 может быть получена существенно лучшая сгвбильносгь порогового напряжения переключения зв счет снижения влияния пленки 5 иО;1 , гак как снижается существенно пвцение напряжения нв ней; Ввецение такого слоя позволяет уменьшить разброс порогового напряжения. 223 4Малый разброс порогового нвпряже ния позволяет упростить и уцешевигь схему управления матрицей, уменьшить в несколько раз число ошибок в звписвнной информации и повысить нацежность такого запоминающего устройства, Кроме гого, введение тонкого циэлекгрика указанным образом позволяет улучшить отношение сопротивлений в выключенном и включенном состоянии почти на поряцок, что обеспечивает нацежное считывание записанной информации.формула изобретенияПолупровоцниковое запоминающееустройство нв основе гегероперехоцвиэ вырожценного полупровоцникв и невырожценной полупровоцниковой пленкис ловушками в запрещенной зоне, соцержащее контактный элемент, созцаюшийпотенциальный барьер с невырожценнымполупровоцником, о т л и ч а ю щ е -е с я тем, что, с целью повышениястабильности работы и увеличения отношения сопротивлений в выключенноми включенном состоянии, межцу вырожценным полупровоцником и невырожценной полупровоцниковой пленкой ввеценслой из туннельно-прозрачного циэлекърика,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, ОчьЬ 1 пьМу Ь, й, йечегя 1 Ь 1 е е 1 е 1сйг 1 са 1 ьиС 1 т 1 п 9 рЬеповепа 1 п 41 эогдегед яЙгисйцгк. Рйу Кег, е 1 Фегь,1968, Ч 21; Ж 20, р. 1450-1452.2. Авторское свицетельсгво СССРпо заявке % 2848351/18-25,кл. Н 01 Ь 29/14, (прототип).3Составитель . КорниловаРецвкгор М. Петрова Техрец М.Тепер Корректор Л. ВокшанЗаказ 1917/73 Тираж 701 Поцписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по целвм изобретений и огкоыгий 113035, Москва, Ж, Раушская набц. 4/5 филиал ППП патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4