H01L 27/13 — комбинированные с тонкопленочными и толстопленочными пассивными компонентами

Номер патента: 397118

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Александров, Ловягин, Торопов

МПК: H01L 27/13

Метки: полупроводниковое

...является расширение ,частотной области применения МДП-струк-туры путем использования в качестве оспо вы совершенного монокристалла германия. енная цель достигается образоваповерхности германия пленки продолжающей совершенную кри кую структуру германия, на осрой сформирована диэлектричека. Толщина кремниевой прослойгерманием и границей диэлекттка кремния много меньше тол пространственного заряда в герма ершенные пленки кремния толщиной 20 - 1000 А на германии получены методом ионного распыления кремния в вакууме при таких температурах, когда свойства германия не изменяются: образование диэлектрической пленки достигается реактивным распылением (возможны другие известные методы).Предложенная МДП-структура состоит из металла,...