Версоцкас

Номер патента: 550882

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Юзкевичене

МПК: G01R 31/26, H01L 21/00

Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной

...горячихносителей тока в полупроводнике обычно определяют по величине термоэдс, 5обусловленной градиентом концентрации носителей тока, который создаютпосредством лвгирования полупроводника, что является технологически слож, ным и трудно контролируемым процес Осом. В процессе измерения наряду сполезным сигналом обычно появляютсяи нежелательные ЭДС. Все это приводит к снижению точности измерений.В известном способе определения 15эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике 1в части однородного образца с контактами, создаютэлектрическое поле,причем контакты находятся вне области электрического поля, освещают образец светом, в результате чего создается необходимый градиент концентрации носителей тока, приводящий...

Номер патента: 557698

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Версоцкас, Гавутис, Гечяускас, Кальвенас, Пожела, Репшас, Юскевичене

МПК: H01L 21/22

Метки: датчиков, импульсной, мощности, свч

...датчиков импульсной мощности 10 в большой степени зависят от температуры окружающей среды.Известен также способ изготовления датчиков импульсной мощности СВЧ путем вплавления металлического сплава в приконтактную область кремниевой пластины электронного типа проводимости 2 .Недостатком изготовленных этим способом датчиков импульсной мощности СВЧ является изменение их показаний в интервале температур Т = - -(50-60 ОС) до 6. Это обьясняется тем, что контакт к кремниевой пластине создается вплавлением сплавазолота с примесью сурьмы, а диффузия примеси с глубокими уровнями в запрещенной зоне ведется из спла- .ва. Для получения необходимой концентрации примеси типа золота в кремниевой пластине сплав золото - сурьма необходимо нагревать...

Номер патента: 782510

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Михаляк

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, полупроводника, потенциала, электростатического

...термоэдс от постоянного напряжения на емкостном контакте с ес теоретической зависимостью от поверхностного электростатического потенциала полупроводника при фиксированной энергии электромагнитного излучения.Данный способ осуществляют следующим образом.К полупроводниковому образцу с одним металлическим и другим емкостным контактами прикладывают постоянное смещающее напряжение такой малой величины, чтобы существенно не нарушалось термодинамическое равновесие между свободными носителями тока и решеткой полупроводника. Измеряют суммарную емкость образца С, состоящую из емкости области поверхностного пространственного заряда С,-, и емкости диэлектрика Со, под емкостным контактом в зависимости от величины постоянного смещающего напряжения...

Номер патента: 372518

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Версоцкас, Вител, Пажусис

МПК: G01R 29/08

Метки: всг, союзная

...волновод 1, Ш-образный датчик 2 с ветвями 8, 4 и 5, индикатор б, постоянный резистор 7, переменный резистор 8, источник питания 9, омические контакты 10 - 12 на ветвях датчика. Датчик изготовлен из германия в виде буквы Ш, на конец ветвей нанесены омические контакты, к которым припаяны проводники для подключения к мостовой схеме. Он помещен на одной из широких стенок волновода таким образом, что одна крайняя ветвь расположена в центре волновода, где напряженность электрического поля максимальна, а остальные в тех его местах, где напряженность убывает. Ветви датчика направлены вдоль электрического вектора Е. Крайние ветви 8 и 5 составляют два плеча моста, два других плеча моста, составляют постоянный резистор 7 и переменный...