Полупроводниковое устройство

Номер патента: 127349

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Малышев, Опарина, Рубцова, Сентюрихина

МПК: C10M 111/04

Метки: дисульфида, композиции, молибдена, нанесения, основе, пленок, поверхности, смазочной, трущиеся

...аминами и поливинилбутиралевые смолы в качестве связующих, которые, однако, имеют небольшую термостойкость.Описываемый способ нанесения пленок смазочной композиции на основе дисульфида молибдена на трущиеся поверхности устраняет указанные недостатки и повышает длительность работы узлов трения при высокой температуре и высоком вакууме.Особенность способа заключается в том, что суспензию молибденита в растворителе со связующим наносят на трущиеся поверхности н подвергают обработке образующуюся пленку при 700 - 900 в высоком вакууме, нагример 10-"мм рт. ст, В качестве связующего применяют полиметилфенилснлоксановую смолу в сочетании с полимером бутилметакриловой кислоты. При обработке образующеося пленки в указанных условиях...

Номер патента: 448403

Опубликовано: 30.10.1974

Авторы: Баулин, Лаврентьев, Матвеев

МПК: G01R 33/00

Метки: исследования, магнитооптического, монокристаллов, пленок, ферромагнитных

...катушка выполненатрехсекционном каркасе, причем крайних секциях расположены об отки,а в средней по меньшей мее два смотровых отверстия, предетный столик установлен в окне аркаса первой катушки,когорая ртогонально усгановлейа в окне аркаса вгорои катушки, причем могровые огверстия катушек совещены.При необходимости создать зенитное поле в трех взаимно ерпендикулярных направлениях стройство дополнительно содерт трегью катушку, в окне карса которой усгановлены первая вторая катушка, каркас третьей тушки выполнен из теплопровоИзобретение относится к устройсгвам для исследования элесментов автоматики и вычислительной гехники, в основу когорых мзаложены прйнципы перемещения 5 вамагнитных доменов.Извесгно устройство для маг-...

Номер патента: 949439

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Лобова, Райхельс

МПК: G01N 23/20

Метки: возникающей, монокристалла, обработке, пленки, поликристаллической, толщины

...рентгеновских лучей Йотмонокристаллов МаС с различйойплотностью дислокаций р , где кри-,вые.1,2 и 3 относятся к излучениямМоК и рефлексу (600), СцКи рефлексу (400) и РеК, рефлексу(200) соответственно. П р и м е р. Из различных монокристаллов МаС 1 выращенных методомКиропулоса на воздухе, выкалывают поспайности (100 образцы размером 20 х 20 х 10 мм. С помощью травления на дислокации подбирают образцы с различной плотностью дислокаций Я Изменение величины Р от образца к образцу выбирают в диапазоне от 10 см до 10 см . На этих.монокристаллах измеряют значения интегрального коэффициента отражения рентгеновских лучей Й, Такие зависимости получают для излучений МоК 11, рефлекс (500) 1 СцКЯ 1 рефлекс (400). и РеК,урефлекс (200) .Из...

Номер патента: 904347

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Асланов, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/12, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, основе, сложных

...механизма 10 подачи через трубку 11. В процессе подачи шихты образуется слой гарнисажа 15,удерживающий образовавшийся расплав,Различный перегрев расплава определяет эффективность его очистки. Перегревниже 100 С не дает существенного эффектапо очистке сырья и улучшает качество кристаллов незначительно,Перегрев в сторону более высоких тем 10 ператур, свыше 150 ОС, ограничивается температурой плавления материала тигля.Поэтому можно считать предлагаемый диапазон перегрева расплава оптимальным,П р и м е р. Выращивают монокристалл15 УЗА 5-012:Иб, Общий вес загрузки исходного сырья при этом составляет 4200 г.После получения заданного уровня расплава увеличением мощности йсточника индукционного нагрева уменьшают толщину20 слоя гарнисажа...

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...