Полупроводниковый магнитоэлектрический преобразователь

Союз СоввтскикСоциалистическиеРесттублик ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ и 953685 1) Дополнительное свил-в)М. Кл, Н 011 43/О Н 03 К 21/О(23) Приоритет стеенный комнте СССРем нзабретенкй атерытнй убликовано 23.08.82 бюллетеньата опубликования описания 23.08,82 но УДК С 21.31(71) Заявитель 54) ПОЛ УПРСфОПНИКОВЫЙ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИ 11 П РЕОБРАЗОВАТЕЛЬульсной для прениковым источник линии к ти подло ем 2 "1 Нед магнит о являетсяюсами ного счета нитосодержанв креях ные плоных возм Цель пи он альных кового м вателя.Изобретение относится к имптехнике и может использоввтьсобразования импульсных сигнвности при проведении реверсивимпульсов.Известны полупроводниковы электрические преобразователи,щие полупроводниковую пластинукоторой сформированы контактщедки ЯНедостатком этого полупроводниковогомагнитоэлектрического преобразователяявляется ограниченность его функциональных возможностей.Известен также полупроводниковыймагнитоэлектрически й преобр азов атель,содержаший подложку, не которой сформирован полупроводниковый слой, нв противоположных сторонах которого сформированы контактные плошвдки, первая изкоторых соединена с первой шиной источнике питания, вторая шина которого соединена через резистор с ггорой контактной плошедкой, и подложка с полупр .водслоем помещена между пол ов магнитного поля, силовые оторого перпендикулярны плоскосжки с полупроводниковым слоостатком этого полупроводниковот о лектрического преобразователя ограниченность его функционель ожн остей. изобретения - расширение функвозможностей полупроводниагнитоэлектрического п реобразо Поставленная цель достигается тем,что полупроводниковый магнитоэлектрический преобразователь, содержащий подложку, нв которой сформирован полупроводниковый слой с отверстиями, на противоположных сторонах которого сформиро ваны контактные площадки, первая изкоторых соединена с первой шиной источника питания, вторая шина которого соединена через резистор с второй контактной площадкой, а подложка с полу 3 9 ВМ 8проводниковым слоем помещена между полксами нсгочника магнитного поля, силовые пинии которого перпендикулярны плсскости подложки с полупроводниковым слоем, вторая контактная площадка 5соединена через конденсатор с упревлякецим входом, е в полупроводниковом слое сформированы отверстия, которые расположены на перпендикулярах к краям контактных площадок, а источник магнит-О ного поля выполнен реверсивным, а между первой контактной площадкой и ближайшими к ней отверстиями сформированы прорези, между которыми нв полупроводниковом слое сформированы выходные 5 контакты.На чертеже показана струггура полупроводникового магнитоэлектрического преобразователя.Полупроводниковый магнитоалектричес 20 кий преобразователь содержит подложку 1, не которой сформирован полупроводниковый слой 2, нв противоположных сгоронах которого сформированы контактные площадки, первая 3 из которых со единена с первой шиной 4 источника питания, вторая шина 5 которого соединена через резистор 6 с второй контактной площадкой,. 7, Подложка 1 с полупроводниковым слоем 2 помещена между полю- зо свми источника магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны плоскости подложки 1 с полупроводниковым слоем 2, вторая контактная площадка 7 соединена через конденсатор 8 с Управляю- з 5 щим входом 9, а в полупроводниковом слое сформированы отверстия 10, которые расположены не перпендикулярах к краям контактных площадок 3 и 7, а источник магнитного поля выполнен ревер;4 о сивным, в между первой контактной пло.щадкой Э и ближайшими к ней отверстиями 10 сформированы прорези 11, между которыми на полупроводниковом слое сформированы выходные контакты 12,Устройство работает следутошим образом.При пропускении тока и одновременном налокении магнитного поля Н ток проходит между рядами отверстий 10, т.е, в сектжях счетчика, образующих разря- ды. Так как последовательно включен резистор 6, ток досгигает максимального значения только в одной секции (начертеже это 3 н ), При действии в полупроводниковом слое 2 перпендииулярнонвправленного магнитного поля электроны оттцтонЯУттся, располагаясь бРтиже к ряду 5 4отверстий 10. При поступлении импульса через конденсатор 8 напряжение увеличивается, электроны огибакг отверстия 10, вледствие чего удлиняется их путь и сопротивление для тока Эн возрастает. Одновременно с этим электроны проникают в соседнюю секцию в виде заряда переноса Ян, создавая в ней пониженное сопротивление и тем самым вызывая увеличение тока. Это приводит к лавинообразному перемещению тока в соседнюю секцию, Для осуществления оеверсе направление магнитного поля Н следует изменить не противоположное, при этом процесс прой"екает анелот ично описанному в противоположную сторону.Б случае использования для создания магнитного поля упрввлякаих катушек последние могут быть использованы также.и в качестве счетного входа. Для этого постоянная составляющая подмаг ничивающего тока должна определять направление счета, е переменная явится считаемой информацией, причем один период вызовет перемещение максимума гока на один разряд,Использование предлагаемого полупроводникового мвгнитоэлектричес кого преобразователя позволяет осуществить рересивный счет импульсных сигналов.1Формула изобретенияПолупроводниковый магнитоэлектричес- кий преобразователь, содержащий подложку, на юторой.сформирован полупроводниковый слой с отверстиями, на противсьположных сторонах которого сформированы контактные площадки, первая из которьа соединена с первой шиной источника пи-тания, вторая шина которого соединена через резистор с второй контактной плошвдюй, а подложка с полупроводниковым слоем помещена между полюсами источника магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны к плоскости подложки с полупроводниковым слоем, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью расширения функциональных возможносгей, вторая контактная площадка соединена через конденсатор с управляющим входом, а в полупроводниковом слое суммированы отверстия, которые расположены на перттендикулярах к краям контав;гных площадок, источник магнитного поля выполнен реверсивным, причем между первой контактной площадкой и ближайшими к ней отверстиями сформированы953685 1.кл.кл. Н5 тип),Составитель О, СквоРедактор А. Козориз Техред М, Надь Корректор А. ДзаткдП одписное Тираж 761 ИИПИ Государств по делам изобрет 3035, Москва, ЖЗаказ 6287/79ВН ого комитета СССРниЙ и открытий Раушская иаб д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чрорези, между которыми на полупроводщковом слое сформированы выходные оогакты.Источники информации,принятые во внимание при эюсперги:зе Патент США М 3204132,ОЗ В 7/00, 20.05.80.Заявка Японии % 55-34594,01 3. 43/08, 08.09,80 (прото