H01L 21/761 — p-n переходов

Номер патента: 288162

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Лидоренко, Стребков

МПК: H01L 21/761

Метки: генератора, полупроводникового, фотоэлектрического

...генератор с рабочим напряжением 50 в/см и более при рабочем токе более 10 а/см площадир - п-перехода.Для этого фотопреобразователи с р - и-переходами, параллельными падающему излучению, коммутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием диффузией на рабочих поверхностях готовой матрицы примесей дополнительных переходов,Диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.5 Согласно описываемому способу пластиныс р - и-переходами соединяют в заготовки так,чтобы плоскости р - и-перехода были параллельны, затем заготовки разрезают на пластины перпендикулярно плоскости р - п-пере 10 ходов. После полировки и снятия шунтовпластину превращают в твердотельную матрицу из фотопреобразователей с р - и-переходами, расположенными параллельно...

Номер патента: 482837

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Думаневич, Челноков

МПК: H01L 21/761

Метки: тиристор

...тем, что структура тиристора изготовлена па кремнии с почти собственной проводимостью. Прилегаюгцпе к широкой базовой области р - и-переходы обладают повышенной скоростью рекомбинации, а следовательно, коэффициенты передачи тока у соответствующих триодов малы. При примыкании области объемного заряда к р - тг-переходу увеличение тока через структуру не происходит, так как имеет место большой ток утечки в р - и-переходе ПзРаспределение напряженности электрического поля в области р - 1 т-перехода, изготовл=нного,на кремнии с собственной проводимостью, почти линейно без четко выраженного максимума (у существующих тиристоров максимум обязательно имеется) .Критическое значение напряженности электрического поля Е,р, при котором наступает...