Тонкопленочная rc-структура с распределенными
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 282486
Авторы: Заболотнов, Заумыслов, Колесников
Текст
282486 О Л И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик.42 (088,8) М Приорите Комитет по делам обретений и открытий ри Совете Министров СССРубликовано 28.1 Х.1970. Бюллетень3та опубликования описания 18.11.1971 Авторыизсбретени аумыслов, Д, П. Колесников и В, Ф. Заболот Ю. явител ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ РС-СТРУКТУРА С РАСПРЕДЕЛЕННПАРАМЕТРАМИ 2 относит еде. иде жат Изобретение сяко роэлектроники.Известны КС-структуры с,раопределеннымипараметрами, вьвполненные в виде конденсатора, обкладками которого служат резистивные элементы ЙС-схемы.Цель изобретения - упрощение конструкции и технологии изготовления.Достигается это тем, что резистивные элементы с электрическими выводами выполнены 10в виде двух параллельных полос, напыленныхв плоскости подложки.На фиг. 1 - три вида КС-структур; нафиг. 2 - схема технологического процесса изготовления мультивибратора с распределенными КС-структурами; на фиг. 3 - общийвид мультивибратора с активными элементами; на фиг. 4 - принципиальная схема мультивибратора,На диэлектрической подложке 1 расположены участки,резистивных 2 и проводящих 3слоев таким образом, что между двумя, резисторами (или,резистором и проводником),разделенными узким зазором, существует расовределенная емкость, опрЕделяемая величиной зазора, шириной элементов и диэлектрической проницательностью подложки. В зависимости от геометрии участков слоев могутбыть получены, например, структуры следующих типов: а - структура типа КС - пй; б - З 0 структура типа РС; в - структура типа 1 тС - проводник Сй.Заданный закон изменения погонных,параметров может быть обеспечен изменением ширины зазора и ширины резистивных элементов. Емкостные элементы КС-структуры отличаются высокой надежностью. При зазоре между резистивными (или между резистивным и проводящим) элементами порядка 20 - 40 лк пробивное напряжение составляет несколько сот вольт, а возникновение произвольных закороток исключено.В качестве примера рассмотрен процесс изготовления мультивибратора с распределенными параметрами предлагаемой конструкции.В качестве материала подложки,с высокой диэлектрической проницаемостью использована сегнетокерамика марки Т, в качестве резистивного материала - хром, в качестве проводящего - медь.Слои хрома и меди наносятся испарением в вакууме. Размерная обработка, получена методом электроннолучевого маскирования с избирательным правлением. П,р едмет изобретения Тонкопленочная КС-структура с раоп енными,параметрами, выполненная в онденсатора. обкладками которого слрезистивные элементы КС-схемы, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции и технологии изготовления, упомянутые резистивные элементы с электрическими выводами выполнены в виде двух параллельных полос, напыленных в плоскости подложки.,грома и меди6 Зпектроннолуцгооеа имаскирооание медиюрана и кермето и н лЗлектроннолучмаемиродание и троопение мед Зпектроннолуче богемасноро 3 ание итравление громафиг 2 Составитель А. Мермайактор Т. В, Иванова Техред Т. П. Курилко Корректор А, П, Васильева Подписноеистров СССР ография, пр. Сапунова,Изд.78 Заказ 178/ ЦНИИПИ Комитета по делам изоб Москва, ЖТираж 480тений и открытий при Совет , Раушская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
1262479
Ю. В. Заумыслов, Д. П. Колесников, В. Ф. Заболотнов
МПК / Метки
МПК: H01C 7/18, H01L 49/02
Метки: rc-структура, распределенными, тонкопленочная
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-282486-tonkoplenochnaya-rc-struktura-s-raspredelennymi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Тонкопленочная rc-структура с распределенными</a>
Способ определения чистоты поверхности подложки для тонкопленочных резисторов
Номер патента: 1101475
Опубликовано: 07.07.1984
Автор: Ряхин
МПК: C23C 13/00
Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты
...оценки результата визуального контроля, в связи с чем достоверность получаемых результатов мала. Кроме того, способ неприменим к гидрофобным по верхностям. цветовой окраски чистых и загрязненных участков поверхности.Фиг. 1-4 иллюстрируют достоверность определения чистоты поверхности контрольных подложек согласно предлагаемому способу.П р и м е р. Определение чистоты поверхности проводилось на подложках из керамического материала М, применяемых в производстве основных типов тонкопленочных цилиндрических резисторов: МЛТ, ОМЛТ, С 2-13, С 2-14, С 2-29 В, С 2-36, С 2-50 и др. Керамические подложки специально загрязнялись различными способами для возможности оценки объективности предлагаемого способа.Анализируемые цилиндрические...
Способ определения чистоты поверхности подложки для тонкопленочных резисторов
Номер патента: 1566777
Опубликовано: 30.06.1994
МПК: C23C 14/06
Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости способа в материале, выявляющем места загрязнения, компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%:Окись кадмия 7,5 - 12,5Алюминий 7,5 - 12,5Окись алюминия 75 - 85причем соотношение окиси кадмия и алюминия в материале составляет 1 : 1, а испарение проводят при температуре испарителя 1080 - 1210oС.
Маска для напыления пленочных элементов на подложку
Номер патента: 2003735
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Иовдальский, Рыбкин
МПК: C23C 14/04
Метки: маска, напыления, пленочных, подложку, элементов
...подложки, отверстия имеютразмер, превцшающий заданный размеротверстий на 50-2000 мкм, а стенки отверстий заданного размера могут быть выполпод угло 15-85 к плос остипластин ц,Изготовление масок с уменьшеннымразмером элементообразующих кромокснижает экранирование стенками отверстий в маске и дает возможность увеличить воспроизводимость геометрии пленочныхэлементов путем повышения равномерности толщины напцляемцх пленочных элементов.5 Ограничение высоты расположениярасширения отверстий от плоскости маскименее 5 мкм определяется соображениямипрочности, а более 100 мкм - увеличениемэкранирования. Ограничение расширения10 отверстий маски менее 50 мкм объясняетсяувеличением явления экранирования края.ми отверстий, а более 2000 мкм -...
Способ определения чистоты поверхности подложки для тонкопленочных резисторов
Номер патента: 1565064
Опубликовано: 30.08.1994
МПК: C23C 14/02
Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет выявления загрязнений в виде натиров капролона и паров масла и упрощения процесса, подложку предварительно нагревают при 400 - 700oС в течение 15 - 90 мин в замкнутой капсуле из керамического материала.
Способ изготовления тонкопленочных проводниковых элементов на кварцевой подложке
Номер патента: 1346600
Опубликовано: 23.10.1987
Авторы: Акутене, Каменецкас, Петраускас
МПК: C03C 17/36
Метки: кварцевой, подложке, проводниковых, тонкопленочных, элементов
...вращения3000 об/мин) достигается его равномерное распределение по подложке.Затем в печи производят обжиг до .850+О С, Скорость подъема температуры У = 20+5 С/мин, температураобжига Т = 850-1 О С, время выдержки Т = 15+2 мин, скорость охлаждения У =20+5 С/мин.В результате высокотемпературногообжига состава на подложках образуется пленка толщиной 1500-2000 Асвинцовоборосиликатного стекла.Затем производят напыление металлических слоев в установке УВН"1 П-З.Перед напылением подложки выдерживаоют при температуре 300+20 С в течение 5 мин, Напыляют поочередно слойхрома толщиной 0,02 мкм слой медитолщиной 3 мкм и слой хрома толщиной 0,02 мкм при вакууме рабочей ка00 Продолжение табл,123 510 37 438+20 ВОз 10 441-20 Состав...
Предыдущий патент: Устройство для централизованного контроля домашних холодильников
Следующий патент: Статический возбудитель синхронного двигателя
Случайный патент: Устройство для управления реверсивным вентильным преобразователем