Патенты с меткой «rc-структура»
Тонкопленочная rc-структура с распределенными
Номер патента: 282486
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Заболотнов, Заумыслов, Колесников
МПК: H01C 7/18, H01L 49/02
Метки: rc-структура, распределенными, тонкопленочная
...узким зазором, существует расовределенная емкость, опрЕделяемая величиной зазора, шириной элементов и диэлектрической проницательностью подложки. В зависимости от геометрии участков слоев могутбыть получены, например, структуры следующих типов: а - структура типа КС - пй; б - З 0 структура типа РС; в - структура типа 1 тС - проводник Сй.Заданный закон изменения погонных,параметров может быть обеспечен изменением ширины зазора и ширины резистивных элементов. Емкостные элементы КС-структуры отличаются высокой надежностью. При зазоре между резистивными (или между резистивным и проводящим) элементами порядка 20 - 40 лк пробивное напряжение составляет несколько сот вольт, а возникновение произвольных закороток исключено.В качестве примера...
Rc-структура с распределенными параметрами
Номер патента: 396726
Опубликовано: 01.01.1973
Метки: rc-структура, параметрами, распределенными
...изобретения достигается в р тивных элементов ых множеств,мик золяции, образов й на подложку и жно подсоединени им электрическим резис лельеноймотковозмок сво На чертеже еделен ными ралдельных янной изол ктные зоны с расдно из 25в сте - кон- покрывляютИзобретение относится к области микроэлектроники,Известны КС-структуры с распределенными параметрами, выполненные в виде конденсатора, обкладками которого служат резистив ные элементы, выполненные в виде двух параллельных полос, напыленных в плоскости подложки. Недостатками таких структур являются недостаточные прочность и точность резистивных пленок, сложность изготовления. 10Цель изобретения - упрощение технологии изготовления и повышение электрической и механической...
Rc-структура с неоднородными распределенными параметрами
Номер патента: 361474
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01C 7/18, H01G 4/40, H01L 49/02 ...
Метки: rc-структура, неоднородными, параметрами, распределенными
...как вдоль длины ГсС-структ параметром является тольк емкость. С целью увеличения рактеристик, па резист ры нанесена укорочепн которая образует допо цое сопротивление и дл пе диэлектрической п цад цей. На чертеже изображена схема КС-структуКС-структура содержит резистивный слой 1, диэлектрические пленки 2, 3, проводящие пленки-обкладки 4 и 5 и дополнительную резистивную пленку б, расположенную между слоем 1 и диэлектрической пленкой 3.Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сопротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора КС-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик КС-структуры,5 Крутизна частотных...