Патенты с меткой «280683»

Номер патента: 280683

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 21/302

Метки: 280683

...уменьшает дефектность поверхностиьх участков монокристалличес ких подложек полупроводников с алмазным типом решегки.Хрупко: разрушение прп воздействии абразива ид полупроводниковый материал с алмазтои реп 1 етой в направлениях (101) 30 плоскостях (010), скольжение на которых чрезвычайно редко в кристаллах с алмазной решеткой, образовавшиеся дислокации являются сидячими, При прогрессирующем образовании добавочных дислокации происходит их кодлесценция с образованием целых пачек дислокаций, ограничивающих края экстраплоскостсй, которые, действуя по типу скалывающего ножа, образуют микротрецПп.11 а основании ме.(апизма генердци дислокации установлено, что для двух направлений с малыми индексами (101) и (121), отличающихся нд угол 90,...