Патенты с меткой «распределенными»

Номер патента: 40432

Опубликовано: 31.12.1934

Автор: Беликов

МПК: H01B 7/04

Метки: вдоль, кабель, контактами, него, распределенными, электрический

...часть переключателя в нормальное ее положение, когда наружные контакты отключены от проводящей жилы 11 кабеля.Подвижная часть переключателя движется по состоящей из двух половин муфте 4, надеваемой на кабель, и состоит из двух медных или алюминиевых контактов 5 и 5 а и частей б и ба из пластмассы, в которых имеется приспособление, служащее для удержания переключателя в данном положении, Оно состоит из наконечника 7 и 7 а, сделанного из фарфора, стекла или пластмассы и входящего в соответствующие отверстия 8, 8 а 8 г, 8 д в муфте 4, и затем из железной части 9. Плоская стальная пружина 10 прижимает наконечник к проводящей жиле 11 кабеля.Контакты 12 и 12 а, переключателя передающие ток наружу, сидят на изо. лирующих их от проводящей...

Номер патента: 106803

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Прудников, Соловьев

МПК: H01P 9/00

Метки: задержки, линия, постоянными, распределенными

...с использованием этик методов коррекции, имеют большие размеры, что определяет конструктивные трудности их использования. Массовое заводское производство таких линий чрезвычайно затрднео из-за сложконструкция, позволившая осуществить серийное заводское прозводство.Для коррекции частот по физо 0характерстикс сверху основной катушки на определенную диэлектрическую прокладку наматывютсякороткозамкнутые катушки (см,фиг. 1).Экспериментально (по форме импульса па выходе и виду частотнойхарактеристики) подбирается величина связи корректирующей катушки с основной катушкой, число витков в корректирующей катушке, число и расположение корректирующихкатушек. Подбор необходимого храктера полного сопротивления короткозмкцутых катушек...

Номер патента: 112259

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Белов, Мурин

МПК: G06G 1/08

Метки: амплитуд, вдоль, линии, постоянными, прибор, распределения, распределенными, расчета, счетный

...подвижного диска 1, двух подвижных линеек 2 и 3, шарнирно связанных с подвижным диском 1, и внешнего неподвижного кольца 4. Кроме того, линейки 2 и 3 связаны между собой визиром 5, который при расчетах закрепляется на линейке 3 и может скользить в прорези линейки 2, Внутренний диск 1 может вращаться вокруг оси, расположенной в его центре.На внутреннем диске нанесена шкала аргумента коэффициента отра жения , (с пределами от 0 до 180); на линейке 2 - шкала искомой аплитуды (в относительных единицах от 0 до 2); на линейке 3 - шкала коэффициента отражения К (от 0 до 1) и на внешнем кольце 4 - шкала расстояний - . - (от 0 до 0,5)/,Расстояние между точками шарнирного закрепления линеек 2 и 3 принято за единицу и соответствует амплитуде...

Номер патента: 134492

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Шепсенвол

МПК: G06G 7/42

Метки: ванна, источниками, моделирования, непрерывно, полей, распределенными, электролитическая

...коли/чество и расположение которых соответствует желаемому распределению токовводягцих элементов в ванне, Под пластиной помещается элскч 1 зод,." пода оший напряжение от генератора питания токовводягцих элементов,Столбики электролита, находягцегося и указанных каналах, представляют собой последовательные сопротивления, через которые в ра. бочее пространство ванны вводятся токи, моделирующие распределение источников поля. Регулирование этих токов производится путем изменения сопротивления столбиков электролита в каналах, которое может осуществляться за счет ввинчивания на различную глубину металли2 ческих винто 3 4 зяпо. И 51 Онцих часгь.дл 1 ы канала, или винтов из изб ляционного материала (фиг. 2), зйОлн 5110 дих часть поперечного...

Номер патента: 145390

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Зиновьев, Перельман

МПК: G06G 7/52

Метки: амплитудами, генерирования, заданному, закону, импульсов, последовательности, распределенными, случайными

...по заданному закону, отображающий известное соотношение между временем пребывания случайной величины стационарного процесса на некотором уровне и вероятностью превышения этого уровня, состоит в том, что предвари. тельно образуют периодический сигнал с огибающей ступенчатой формы. Амплитуды и число ступенек огибающей устанавливают в соответствии с желаемым диапазоном и дискретностью изменения амплитуд выходных импульсов, а их длительность, выраженную в масштабе периода сигнала, выбира 1 от равной вероятности генерирования импульсов данной амплитуды с задашгым дифферснциальньгм распределением. ПоЛЪ 145390 лученный периодический ступенчатый сигнал перемножают с последовательностью нормированных по амплитуде шумовых импульсов со...

Номер патента: 164892

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Всесою, Грохольский

МПК: G01R 17/12, H01F 21/12

Метки: параметрами, распределенными, трансформаторов

...цих уложилось десять витковжгута. При первом обходе сердечника по периметру наматывают К витков, укладывая цхна границах указанных участков. После намотки К витков от одного цз проводов делают отвод, а после намотки 9 К витков делаютотвод от любого другого провода. Обмоткузаканчивают, намотав 10 К витков, оца содержит 30 элементарных обмоток по 10 К витковв каждой, равномерно расположенных цасердечнике.Обмотки, служащие для получения заданных плечевых отношений, получают последовательным соединением десяти элементарныхобмоток, а генераторную пли измерительнуюобмотку можно получать последовательным,параллельным или последовательно-параллельным соединением также десяти элементарных обмоток,Соединение делают так: находят элементарную...

Номер патента: 209535

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Ивкин

МПК: H03H 7/34

Метки: задержки, линия, параметрами, распределенными, широкополосная

...прокладку, охватывающую токопроводящие шины, спиральную обмотку, размещенную на поверхности прокладки, и корректирующие элементы, отличающаяся тем, что, с целью повышения линейности фазочастотной характеристики линии, в каче. стве корректирующих элементов использованы расположенные на липкой ленте, которой налоа поя об- ЗО Известная широкополосная линия задержки с распределенными параметрами, содержащая диэлектрический каркас цилиндрической формы, на котором размещены расположенные вдоль образующих каркаса токопро водящие шины, соединенные с заземленным проводником, диэлектрическую прокладку, охватывающую токопроводящие шины, спиральную обмотку, размещенную на поверхности прокладки, и корректирующие элементы, 10 не обеспечивает,...

Номер патента: 210902

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Мирошников

МПК: G01R 29/08

Метки: волны, замедления, замедляющих, распределенными, системах

...исследоваться дисперсионные свойства системы.Для экспериментального исследования этиэквивалентные схемы с помощью элементарных критериев подобия должны быть преоб разованы в схемы с низкой рабочей частотой,Преобразование заключается в том, что выбирается удобная для измерений эквивалент- наЯ частота 1 э (поРЯдка кгт 1), опРеделЯетсЯ величина отношения - (где , - рабочаяУо15 Уэчастота) и затем на эту величину умножаются значения емкостей и индуктивностей элементов периода замедляющей системы.На фиг. 1 приведена эквивалентная схема 20 замедляющей системы типа спираль, нагруженная кольцами (период структуры разбит на шесть элементов); на фиг. 2 - блок-схема измерения замедления волны с помощью эквивалентной схемы замедляющей системы.25...

Номер патента: 275541

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Кочеров

МПК: G06G 7/50

Метки: линий, моделирования, параметрами, распределенными

...состав схемы второго каскада кроме перечисленных элементов входят (см. фиг. 2): 9 - сумматор; 10 - блок запаздывания (Е.Элементы схемы как первого, так и второго каскада объединяются в две параллельные цепи; цепь запаздывания (элементы 1, 2 и Л) н цепь нагрузки (элементы 5, б, 7).Принципиальной особенностью схем является построение перекрестных обратных связей между указанными цепями. При этом у схемы первого каскада выход цепи запаздывания подается на собственный вход и па вход цепи нагрузки, а выход цепи нагрузки подается ца собственный вход и - с удвоением сигнала - на вход цепи запаздывания,Входной сигнал, соответствующий давлению (цапряжецию) в начале линии, подается на оба входных сумматора 1 и 5 с удвоением сигнала и на выходной...

Номер патента: 282486

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заболотнов, Заумыслов, Колесников

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: rc-структура, распределенными, тонкопленочная

...узким зазором, существует расовределенная емкость, опрЕделяемая величиной зазора, шириной элементов и диэлектрической проницательностью подложки. В зависимости от геометрии участков слоев могутбыть получены, например, структуры следующих типов: а - структура типа КС - пй; б - З 0 структура типа РС; в - структура типа 1 тС - проводник Сй.Заданный закон изменения погонных,параметров может быть обеспечен изменением ширины зазора и ширины резистивных элементов. Емкостные элементы КС-структуры отличаются высокой надежностью. При зазоре между резистивными (или между резистивным и проводящим) элементами порядка 20 - 40 лк пробивное напряжение составляет несколько сот вольт, а возникновение произвольных закороток исключено.В качестве примера...

Номер патента: 289450

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дмитриев, Казанский, Меркулов

МПК: H01C 3/00, H01G 4/40

Метки: неоднородными, распределенными, структура

...между элементами в мпкр ритов КС-структурь цесены диэлектрцче длиной короче длп зующие дополцител кость, обкладка ко кой основной емкос Известные конструкции КС-структур с нецородными распределенными параметрамипозволяют получить малые габариты и пазитные емкостные связи между КС-структур й и другими элементами микроблока. 5В предлагаемой конструкции КС-структуры уменьшение габаритов и паразитных связей достигается тем, что ца резистивную пленку нанесены диэлектрическая и проводящая пленки, образующие дополнительную распре деленную емкость, обкладка которой соединена с обкладкой основной емкости.На чертеже изображена КС-структура с неоднородными распределенными параметрами.КС-структура содержит резистивную 1, дц электрическую 2 ц провс...

Номер патента: 314239

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дмитриев, Кутлин, Меркулов

МПК: H01G 5/00

Метки: параметрами, распределенными, структура

...с распределенными параметрами, состоящая из диэлектрической подложки и нанесенных на нее в одной плоскости резистивной и проводящей пленок, не позволяет получить крутизну спада амплитудно-частотной характеристики более 7 дб на октаву.В предлагаемом устройстве для улучшения амплитудно-частотной характеристики резистивную и проводящую пленки выполняют с переменной шириной,На чертеже представлена конструкция предлагаемой КС-структуры с распределенными параметрами.КС-структура состоит из двух полосок с изменяющейся вдоль структуры шириной, где полоска 1 - резистивная пленка, а полоска 2 - проводящая пленка. Обе пленки нанесены па диэлектрическую подложку 3 с высокой диэлектрическои пронпцаемостью. Избирательность предлагаемой...

Номер патента: 329691

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Васильева, Туфлин

МПК: H05K 3/14

Метки: rc-структур, параметрами, распределенными

...менее 300"С. 15 Спосоо изготовления КС-структур с расппеделенными параметрамп, основанный на осаждении и аиодироваиии танталовой пленки, термообработке в вакууме полученной си.стсмы тантал - пятиокись тантала и последу)ощея) напылении верхнего металлического электрода, отлпчаюцийсл тем, что, с целью ,)дсширспия фуикцпоиальиь)х возможностей 25структур, в качестве материала верхнего электрода ипользу)от высокоомный резистивный сплав, например металлосилицидньш сплав, напыляемый со скоростью не более, чем 30 1сек. Изобретение относится к технолог:и производства элементов радиоаппаратуры и может быть использовано в различных устройствах в микромиииапориом иполиеишьИзвестен способ изготовления ЯС-структур с распре;слснными и)раметрами,...

Номер патента: 337829

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Брук, Грибовский, Ейн, Терентьев

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: параметрами, распределенными, с-структура

...характерны невысокая надежность диэлектрического слоя, плохая повторяемость н ограниченный диапазон номиналов 1 и С, длительный цикл разработки и изготовления.Цель изобретения - расширение диапазона объемного сопротивления и увеличение удельной емкости ЛС-структуры,Это достигается тем, что йС-структура выполнена в виде полнкерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например цинка, кадмия, меди, а в качестве диэлектрического слоя - керамика и на основе титанатов металлов, например бария, кальция.На чертеже представлена РС-структура с распределенными параметрами,Распределительная ЯС-структура состоит из резистивного 1, диэлектрического 2 второго...

Номер патента: 396726

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Гришанов

МПК: H01C 3/00, H01G 4/40

Метки: rc-структура, параметрами, распределенными

...изобретения достигается в р тивных элементов ых множеств,мик золяции, образов й на подложку и жно подсоединени им электрическим резис лельеноймотковозмок сво На чертеже еделен ными ралдельных янной изол ктные зоны с расдно из 25в сте - кон- покрывляютИзобретение относится к области микроэлектроники,Известны КС-структуры с распределенными параметрами, выполненные в виде конденсатора, обкладками которого служат резистив ные элементы, выполненные в виде двух параллельных полос, напыленных в плоскости подложки. Недостатками таких структур являются недостаточные прочность и точность резистивных пленок, сложность изготовления. 10Цель изобретения - упрощение технологии изготовления и повышение электрической и механической...

Номер патента: 361474

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дмитриев, Меркулов

МПК: H01C 7/18, H01G 4/40, H01L 49/02 ...

Метки: rc-структура, неоднородными, параметрами, распределенными

...как вдоль длины ГсС-структ параметром является тольк емкость. С целью увеличения рактеристик, па резист ры нанесена укорочепн которая образует допо цое сопротивление и дл пе диэлектрической п цад цей. На чертеже изображена схема КС-структуКС-структура содержит резистивный слой 1, диэлектрические пленки 2, 3, проводящие пленки-обкладки 4 и 5 и дополнительную резистивную пленку б, расположенную между слоем 1 и диэлектрической пленкой 3.Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сопротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора КС-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик КС-структуры,5 Крутизна частотных...

Номер патента: 364996

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лапшин, Оьая

МПК: H01P 3/08

Метки: линии, моделирования, параметрами, передающей, распределенными, резонансной

...фиг. 3 - зависимостп характеристических сопротивлений трехступенчатого пере хода без потерь на оси переменной О и его модели на оси переменной й.Трехступенчатый переход размещен между двумя линиями 1 и 2 с нормированными со,противлениями р=1 и р 2=Р. Нормированные 30 сопротивления отрезков 3, 4, 5 равны рз, р длины отрезков 3, 4, 5 равны соответств /з, 1, /5 и собственные добротности их н ЗОНаНСНЫХ ЧаСтОтаХ раВНЫ Роз, Ям, Яю 5. .дель перехода, представленная на фиг. 2 лучена путем поэлементной замены ка отрезка б перехода схемой фазового конт соответствующими значениями нормирова го характеристического сопротивления р;, ротности Яо; = -(г; - нормированноегтпротивление потерь, включаемое после тельно с нормированной индуктивность дов ю...

Номер патента: 435537

Опубликовано: 05.07.1974

Авторы: Джваршейшвили, Дзидзигури, Институт, Омиадзе, Сепиашвили

МПК: G06G 7/50

Метки: линий, моделирования, параметрами, распределенными

...к выходу входного сумматора и к первому выходу устройства, а выходы ко входам выходного сумматора, выход которого подсоединен ко второму выходу устройства.Схема устройства представлена на чертеже, Устройство состоит из входного 1 и выходного 2 сумматоров, блоков моделирования гармоник 3 с передаточными функциями Я 7 ь Ф 2К; , 1 Г, выполненных в виде колебательного 4 и форсирующего 5 звеньев, и блок задания граничных условий 6 с передаточной функцией Г.Сигнал с выхода блока 6, подключенного ко входу длинной линии, подается на вход входного сумматора с таким знаком, чтобы он вычитался из сигнала на другом его входе, соединенном с входной клеммой устройства.Передаточные функции устройства относительно выходов 1 и 11 равны...

Номер патента: 438054

Опубликовано: 30.07.1974

Автор: Кутлин

МПК: H01G 1/00

Метки: параметрами, распределенными, с-структура

...в виде компланарной системы, состоящей изизвестной слоистой структуры,проводящий слой которой выполнен так, чтоего боковые участки расположены непосредственно на диэлектрическом основании. Междурезистивной пленкой слоистой структуры ипроводящей плейкой, лежащеи в той жс плос кости, получается распределенная емкость, величина которой зависит от геометрических размеров резистивной и проводящей пленок, а также от толщины диэлектрической пленки.На фиг, 1 изображена конструкция предла гаемой КС-структруы; на фиг. 2 - электрическая схема ее.Предлагаемая КС-структура состоит из двух компланарных систем, получающихся за счет чередования резистивного слоя 1, диэлектрического слоя 2 и проводящего слоя 3. Для обеспечения возможности...

Номер патента: 445048

Опубликовано: 30.09.1974

Автор: Прокофьев

МПК: G06G 7/48

Метки: исследования, модель, параметрами, распределенными, систем

...за процессом решения,а также ручного замера получаемыхрезультатов модель содержит индикатор 10 нестационарного режима.Основной особенностью моделисетки 1 является то, что в нейфункции узловых резйсторов выполниют МОП-транзисторы, работающие включевом режице и для этого управляецые по затвору широтно-импульсным модулированным сигналоц 0",вцрабатцваеццм устройствоц 2.Сетка состоит из трехкоординатных элементов, в каждый из которыхвходит по два МОП-транзистора П,истоки которых соединены междусобой, образуя узловую точку модели-сетки. Между узловой точкой инулевыц потенциалом включен узловой конденсатор 12,Управление параметрами Моделиосуществляется по завору выходнымсигналоц устрсйствз 2, каждый эле 111 ент которого сц, фиг, 2)...

Номер патента: 452014

Опубликовано: 30.11.1974

Авторы: Кулиев, Мячин

МПК: G06G 7/50

Метки: звена, моделирования, параметрами, распределенными

...каждый из конорых выполнен в виде последовательно соединенных решаюшего усилителя и суммируюецего усилителя, второй вход которого соединен с входом решающего усилителя, и выходные суммирун шце ус и лите ли. Нриведецная ца фиг.1 схема позволяет моделировать звено с распрсделееегеыдги параметрами без искассциг, цо с учетом потерь, На вход блока запаздывания, образованного усилителями 1 и 2, подается сш цял, представляюший собой разость переменных произволгецой внутре,ешегеф 1точки, причем через (,с обозцачец Гок модели элементов, е 1 одсоедиегегенгех к внутренней точке. На выходе усилителя 2 образуется сумма двух сеп налов- заегсржагеггого инвертированного сигнала, поданного ца вход блока запаздывания (ус;илтели 1 и 2) и...

Номер патента: 479218

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Дегтярь, Зафрина

МПК: H03H 7/34

Метки: линия, параметрами, распределенными, резисторно-емкостная

...внешнему электропроводящему покрытию и с металлизированным участком в средней части каркаса, к которому подсоединен емкостный вывод резистивно-емкостной линии, концы обмотки из микропровода подсоединены к аксиальным токовыводам.На фиг, 1 изображен каркас линии; на фиг. 2 - линия в сборе.Резистивно-емкостная линия с распределенными параметрами устроена следующим образом.На цилиндрическом кном из изоляционного ма на концах аксиальные выводы 2 и 3, размещен металлизированный участок 4, от которого имеется токовывод 5. Токовывод 5 укреплен на изоляционном каркасе 1 и имеет элек трический контакт с металлизированнымучастком 4 на поверхности каркаса 1,Обмотка 6 выполнена из коаксиальногомикропровода. Витки обмотки 6 контактируют между собой...

Номер патента: 512496

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Дегтярь, Зафрина

МПК: H01C 7/00

Метки: многомерная, параметрами, распределенными, структура

...Р н Это достигается тем, что в предлагаемой 1 С-структуре на диэлектрической подложке размещены т обмоток из коаксиального микопровода, наружные поверхности которых электрически замкнуты между собой и соедиены с проводящим слоем. 2На чертеже представлена предлагаемая ногомерная ЯС-структура, общий вид.Она содержит т обмоток из коаксиального микропровода 1, размещенных на диэлектрической подложке 2 так, что наружные поверх ности обмоток замкнуты между собой. Концы жилы микропровода первой обмотки припаиФормула зоб рете н и Многомерная гтСными параметрами,элементы, проводяподложку и контакщаяся тем, что,бильности и повторраметров, на диэлемещены т обмотокпровода, наружныетрически замкнутыс проводящим слоем скую стах па- раз- икро- элек-...

Номер патента: 534889

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Есиков, Петровых

МПК: H04R 15/00

Метки: магнитострикционный, обмотками, распределенными

...За счет магнитострикционного эффекта в зоне возбуждения возникают прямой и обратный ультразвуковыеимпульсы 14 и 15, которые распространяются в звукопроводе 10 в противоположные40стороны. Обратный ультразвуковой импульс 15тут же поглощается демпфером 3, а поямойультразвуковой импульс по мере распространения по звукопроводу 10 за счет обратного45магнитострикционного эффекта последовательно наводит в выходных обмотках 12 -12э,д.с.,возникающие при этом импульсы напряжения последовательно запускают формирователи импульсов тока 6- 6 4, с выхобОдов которых в соответствующие обмотки возбуждения 4 - 4 подаются мощные импульсы тока возбуждения 16 - 164 .За счетмагнитострикционного эффекта последовательно под обмотками возбуждения 4 - 4 воз...

Номер патента: 554542

Опубликовано: 15.04.1977

Автор: Романец

МПК: G06G 7/44

Метки: моделей, параметрами, прижимное, распределенными

...замер в ограниченном числе точек модели, По этой причине для задания граничных усл изготавливать серебряные электро которые помещаются затем меж оргстекла и моделью.Целью изобретения является конструкции устройства. Поставленная цель достигается тем, что вприжимном устройстве для моделей с распре деленными параметрами серебряные электроды выполнены в виде набора круглых проводников, которые равномерно запрессованы в лист оргстекла перпендикулярно его поверхности.15 На чертеже показана схема прижимногоустройства.Под оргстеклом 1 расположен лист вакуумной резины 2 с уплотнительной окантовкой по краям. Между ними помещена электрическая 20 модель 3 исследуемой области, состоящая изнескольких слоев электропроводной бумаги и диэлектрической...

Номер патента: 574731

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Кулиев, Мячин

МПК: G06G 7/62

Метки: звена, моделирования, параметрами, распределенными

...блока запаздывания с обратным зна 3ком, которая равна К - напряжению в начале линии, Далее эта сумма поступает на первый вход первого сумматора 5, па второй вход которого подается сигнал 1. 1-1 а выходе первого выходного сумматора 5 образуется сигнал, представляющий сооой сумму псремецпых начальной точки с обратным знаком. Задержанны 11 на блоке 1, содержащем усилители 10 и 11, сигнал дает сумму переменных в произвольной вцутренцей точке.Затем эта сумма поступает па вход второго олока запаздывания, ооразованного усилителями 12 и 13, На выходе усилителя 13 второго блока запаздывания 2 образуется сумма двух сигналов инвертированного задержанного сигнала, поданного на вход блока запаздывания 2, и сигнала, поданного на дополнителы 1 ый...

Номер патента: 600570

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Дзидзигури, Диланов, Омиадзе, Ратиани, Шотадзе

МПК: G06G 7/62

Метки: линий, моделирования, параметрами, распределенными

...т 1,Это устройство обладает огра циональными возможностями. Наиболее близким к изобретени ческой сущности является устройство,блок задания граничных условий, вых подключен к первому входу первого выход которого через блоки моделир моник соединен со входами второго с Однако это устройство позволяе динамические процессы лишь только в ной линии. Целью изобретения является созда ства, позволяющего моделировать дина процессы в сложных системах, содержоваио 30.08.78. Бюллетень 12 вые звенья, при любых значениях пространственной координаты х, т. е, расширение функциональных возможностей устройства,Для этого в предложенное устройство введеныинвертор, дифференцирующее звено, блоки моделирования волнового сопротивления, блоки задания...

Номер патента: 610286

Опубликовано: 05.06.1978

Авторы: Пименов, Резников

МПК: H03H 9/30

Метки: задержки, параметрами, распределенными, элемент

...намотки первого и третьего слоев трехойных участков совпадает, а второго слоя - отивоположно направлению намотки одноойных участков.На фиг. 1 представлен схематически вид дечника; на фиг, 2 дана схема намотки.На диэлектрический сердечник 1 нанесен электропроводящий слой в виде полос 2, которые на однбм конце сердечника соединены вместе и подключены к общему выводу 3, а выводы 4 и 5 служат для подсоединения к ним соответственно концов 6 и 7 провода обмотки. Направление намотки показано на фиг. 2 стрелками.Продольные полосы 2 короче диэлектрического сердечника 1, а обмотка элемента задержки имеет по крайней мерс один трехслойный610286 Фиг. 2 Составитель Ю, ВасильевТехред О. Луговая Корректор Н. Тупица Тираж 086 Подписное Редактор Б....

Номер патента: 693532

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Кулешов

МПК: H03F 3/60

Метки: двухтактный, параметрами, распределенными, усилитель

...элементов 5 (например,электронные лампы),Устройствообразом.При подаче на два противоположных конца сеточной длинной линии 4 двух противофазных напряжений в ней образуется стоячая волна с амплитудой, удвоенной по сравнению с напряжением сеточной линии обычного распределенного усилителя. В анодной длинной линии 3 благодаря усиливающему действию усилительных элементов 5 образуются две стоячиеволны напряжения с возрастающей от середины анодной длинной линии 3 к ее концам амплитудой. Причем напря жение на концах анодной длинной лийиИ ,3 (при достаточно большом количест693532 формула изобретения диЮ Составитель А. МеньшиковаТехред С.Мигай Коррект.,". А. Грице Редактор Н. Да акаэ 6416/5 Тираж 1060 ЦНИИПИ Государственн по делам изобрете...

Номер патента: 746587

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Арсеньева, Вайнер

МПК: G06G 7/46

Метки: источниками, моделирования, нестационарных, полей, распределенными, температурных

...начальных условий и последовательно включенные функциональный преобразоввтель 7 и интегратор 8, а такжесумматор 9, один вход которого соединен с выходомблока задания начальныхусловий, а другой вход - с выходом интегратора, 35Выход сумматора подключен к объединенным обкладкам конденсаторов 4 истоковв,Устройство работает следующим образом.40В момент пуска устройства блоки5 и 6 начинают генерировать напряжения,:-моделирующие соответственно граничныеи начальные условия, Одновременно функциональный преобразователь генерируетнапряжение, пропорциональное функциираспределенных источников Р ( с ), которое после интегрирования и последующего суммирования.с постоянным уровнемнапряжения начальных условий поступаетна ЯС-сетку через конденсаторы 4...