280683

О П И С А Н И Е 28 О 683ИЗОБРЕТЕНИЯЯ ДУъфф(фЯОЯ ИД",длЩЯ Сооз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, св тельствааявлено 17 Л 11.1968 , 1261951126-25) 21 д, 1 присоединением за киКотпитет пс делаебретений н открытиИ К Н 01 Е 7,64 ПриоритетОуолпковяно 03,1 Х,1970, Бюллетень2 свете Министре СССР К 621,382.001.3 088.8) описания 27.Х 1.197 ата опубликовани 1 вгорызобрстеиияЗаявитель Яц" ;фиуйл".р"7сИтгтлиБРБ 1 И 0 ЕИ Д. Чистяков, С, Р. Заитов, Д. 1.Московский ордена Трудовогостали и сп Гулидов иасного Знвов ен СПОСОБ АБРАЗИВНОЙ ШЛИФОВКИ И П 1 ОЛИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВцией хе 1 кду слокациями дислокдц 1 ш, ры Бюргерооусловлспо дислокациоип двумя шестидесятиградусн с образованием лпмеро Поскольку результирующа ся тяких дислокации2 и еа мпскихвек сжат в Изобретение относится к полупроводниковой промышленности,Известен способ получения зеркально. гладких поверхностей подложек, исгользуемых в эпитаксиальной технологии, путем ме:(анической шлифовки и полирОВкп при произВольном дзимутяльиом вращении подложек в плоскости шлифовки ид вращатощемся шлифовальном диске.Эти способы мало эффективны для шлифов ки и полировки мопокристаллических полупроводниковых материалов 1 крехИия, германия и др.) из-за малой производительности и деформаПти структуры кристаллической решетки обрабатываемого материала. 15Предлагаемый способ отличается от известных тем, что механическую шлифовку и полировку про:зводят по трем кристаллографическим направлениям семейства (110), последовательно поворачивая об 1 ибатываемь 1 й ма терпал в плоскости 1111) на б 0. Это позволяет увеличить интенсивность снятия кристаллического материала при его шлифовке и вместе с тем существенно уменьшает дефектность поверхностиьх участков монокристалличес ких подложек полупроводников с алмазным типом решегки.Хрупко: разрушение прп воздействии абразива ид полупроводниковый материал с алмазтои реп 1 етой в направлениях (101) 30 плоскостях (010), скольжение на которых чрезвычайно редко в кристаллах с алмазной решеткой, образовавшиеся дислокации являются сидячими, При прогрессирующем образовании добавочных дислокации происходит их кодлесценция с образованием целых пачек дислокаций, ограничивающих края экстраплоскостсй, которые, действуя по типу скалывающего ножа, образуют микротрецПп.11 а основании ме.(апизма генердци дислокации установлено, что для двух направлений с малыми индексами (101) и (121), отличающихся нд угол 90, воздействие абрдзив- ПОГО хЯтерияля при ряВПЫХ нагрузках кячссгвепио различно: шлифовапие и полироздиие в напр авлсниях (110) является высокоэффективным, выражается в хрупком разрушении материала, ие сопровождается пластической деформацией, и, следовательно, мало нарушает кристаллическую структуру материала подложки.Шлифовапие и полировди:е в направлениях (121) сопряжено с г ястичсским перемещснпем материала бсз заметного участя лру:Гого разргшени 51 и сои.зскдсстся зпяиТЕ,НО и ястпгЕСКО 1,1 СГ 1 ортянИЕ 1, р 2 1,1 О"1стрня 15 щейс 51 на большук глуоииу монэ;:,., - Гя,ли:еского материала,Описываемый способ Обраб 011:н закл 10 Ястся в том, что обрабатываемые пластины, орисгПрованные в плзскосги 1111), зак,спляот в дсркптсле 1 сот 01 з и станаиваОт 12 ил;и 150- 32,1 ьный или полировальный станок. Зато.1 осуществляОт шлифовку или пол;розк, по трем кристаллографическим направлениям семе 1 Ства (110) при последователиьк поворотак в плоскости 1111) иа,гол б 0, п 1 мгня 5О ОЛ Е С М С, КИ С 2 С З 11 3 Н 3 П., С 1;1 1 Е и 2,1 Ы,Предмет изобретения5 Способ абразивной илифовси и полировкиполундоводиновых материялоз, срнепироваппьк в плоскости (111), отличаюиийся тем,ЧТО С ПСЛЫО Лу 1 ШСНИ 51 Кяг 1 СС В 2 00 рабОТК:,шлпфовк,; и понровку произ 0; " Порс10 кристяллографическим няправлсшПм ссмсйст 32 (1 0., нослсДОЯсльО .0301 р 2 Ивая 0,1 рабатываемый аатериал в плоскости 1111) наугол 60, Составитель В, М, Гришин1 сатор Т. 3. Орговская Тскрсд А, А. Каиипицкова Корректор: В. В. "аклинаи Н. Л, БронскаяЗгкав 3361,8 Тираж 480 Подписное Цг 1 И 1111 И 1,овигста ио лсги ивоб ссвий и огкрятий ир Совес Миистров СССР Москва, 71 Г-З 5, 1 а 1 нская иаб., д, 45 Типография, пр, Сапунова, 2