H01L 31/068 — потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гомоструктурным переходом, например монолитные кремниевые p-n гомоструктурные солнечные батареи или кремниевые поликристаллические тонкопленочные p-n гомоструктурные солнечные батареи

Номер патента: 288161

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков

МПК: H01L 31/068

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрическийгенератор

...что значительно повышает его чувствительность.При соединении эмиттерных и коллекторных областей между собой все и-р-п илп р-ир-структуры тогут оыть использованы в фотодиодном или вентпльном режиме.Для изоляции эмиттерных и коллекторныхобластей от контакта к базовой области часть материала эмиттера и коллектора всех микрофотопреобразователей, прилегающая к тыльной поверхности генератора, вытравлена и заполнена изолирующим веществом. Контакт к базовой области является в то же время отражающей поверхностью для инфракрасного излучения, Это уменьшает нагрев генератора прн работе и увеличивает его эффективность288161 Предмет изобретения Составитель А, Котдактор Б, Б. Федотов Текрсд А. А, Камышникова Корректор Н. Л. Бронская Подписнопете...