Полупроводниковый переключающий прибор

. ЛЛ 1 т 1 И 1 вЮ "КГ Ю,а бтебли ОПЙСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 286083 Со 1 ов Советски Социелистичесийс РесотбсивК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства-Заявлено 17.Ч 1.1968 (М 1255839/26-25)с присоединением заявки-Приоритет -Опубликовано 10,Х 1.1970. Бюллетень3Дата опубликования Описания 12.1 Ч.1971 Кл. 21 р, 11/О Комитет ов ае.ЧПК Н зобретении и отирытиори Совете МинистровСССР ДК 621.382.2 (088.8) Авторыизобретения Г, Б. Абдуллаев, Ф, М. Ахундов, 3. А, Алиярова, Аи Г, А. Асадов оа ститут физики АН Азербайджанской ССР Заявитель ЕКЛЮЧАЮ РИБО 2 ОДУПРОВОДНИКОВЫЙ Изобретение относится к области полупроводниковых переключающих и запоминающих устройств.В настоящее время известен рядолупроводнпковых приборов с релейным эффектом. Эти 5 приборы подразделяются на управляемые и неуправляемые. К управляемым приборам относятся многослойные переключающие устройства типа тиристоров, а также двуэлектродный полупроводниковый прибор с односторонним 10 управляемым релейным эффектом на основе материала Сц - Ье, к неуправляемым - приборы на основе полупроводниковых стекол. Диоды на основе полупроводниковых стекол (см. Электроника, 1968 г., М 19, стр. 29 - 30) 15 имеют вольт-амперные ха 1 ра 1 ктеристики с релейным эффектом в обоих направлениях. При изменении подводимого напряжения диод переключается из,непроводящего состояния в состояние высокой проводимости. Такое пере кл 1 очение является обратимым и происходит за время менее 1 мксек. Диод может помнить состояние при нулевом смещении.Недостатками приборов типа тир исторов являются сложная многослойная структура с 25 р - гг-переходами, наличие дополнительных управляющих электродов, невозможность длительного зя.томинания состояний без приложс 11 ного смещения, я также небольтнОЙ интервал рабочих температур, Недостатки переклю чающих диодов ня основе полупроводниковых стекол следующие: отсутствие возможности управления релейным эффектом, небольшое количество запоминаемой информации и малая стабильность электрических параметров.Предлагаемый лрпбор не имеет вышеперечисленных недостатков. Он изготовлен на основс полупроводникового материала системы СН-Тс, обладающего дефектной структурой, которая приводит к сильному легированию. Конструктивно он выполнен из пластины полупроводникового материала системы Сц-Те с вытрямляющим и омичеоким элекпродами,Такое сочетание полупроводникового материала и электродов позволило получить двуэлектродный прибор с управляемой релейпо 11, характеристикой в прямом и обратнам направлении тока, работающий в широком днапязопс" температур.ВОльтм 1 п Р 1 ън а я характер испикя прибора приведена на чертеже. При низкоомном состоянии прибора в обратном направЛении с увеличением напряжения ток растет и при достижении значения У,р(ток срыва) происходит переключение прибора из нпзкоомного состояния в высокоомное. При высокоомном состоянии прибора в пряъгом направлении, когда напряжение достигает значе- пиЯ 1/",р (напРЯкение сРыва), пРибоР пеРе286083 ссср Составитель А, Коткред Л. Я. Левина редактор Л льина орреюор Т. А. Абрамова 1 ра 2 к 48 одни си ений , Рау бластная типография Костромского управлевия по печати ключается из высокоомного состояния в низкоомяое.Описываемый прибор является управляемым, Управление напряжением О",р ироизвоч дится изменением остаточного напряжения СГ,асутем кратковременного приложения к электродам прибора требуемого обратного напряжения, а управление током с,р - изменением остаточного тока путем кратковременного,пропускания через прибор соответствующей величины тока прямого направления.Данный прибор способен сохранять (запоминать) состояния, в которых он был оставлен неограниченно долгое время. сказ 8113Ц 1.1 ИИПИ Комитета по делам изобрМосква, ЖПредмет изобретения Полупроводниковый переключающий прибо 1 р с омичеок 1 им и 1 вы 1 прямляюигим зонта 1 к 1 та ми, отличаюсцийся тем, что, с целью полученияуправляемого релейного вффекта в обоих напра 1 влениях в широком интервале температур изменением напряжения на приборе, а также получения запоминающего улройства с долго временной памятью своих состояний и напряжения (тока) переключения, прибор выполнеч пз полупроводникового матер 1 иала системы Сц-Те. открытий при Совете Министров СССская,наб д, 4/5