Заумыслов

Номер патента: 811194

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Бессонов, Волков, Дерюгин, Заумыслов, Калекин, Комоцкий, Марчук, Сотин

МПК: G02F 1/11

Метки: волноводно-оптический, модулятор

...краях кристалла выполнено устройство в виде клинообразного снижения толщины волноводного слоя 3. В непосредственной близости от точки ввода на поверхности волновода расположен резонатор ПАВ, состоящий из двух отражающих решеток 4 в виде, например, закороченных между собой металлических полос, нанесенных на поверхность подложки, повторяющихся с периодом, равным половине периода акустической волны, полости между решетками и двух возбудителей ПАВ 5, расположенных в резонаторе параллельно штрихам отражающих решеток. Один из возбудителей соединен с входом электронного усилителя 6. Другой возбудитель соединен с выходом этого усилителя, Вкачестве усилителя может быть применен 5О15202530 усилитель на микросхеме. Расположение резонатора...

Номер патента: 803044

Опубликовано: 07.02.1981

Авторы: Ванников, Гришина, Заумыслов, Иванов, Смоляницкий

МПК: H01J 37/02

Метки: диэлектрических, объектов, экспони-рования, электронно-лучевого

...электронным лучом,Цель изобретения - упрощение технологического процесса и обеспечение сохранностиобъекта,Укаэанная цель достигается тем, что в кчестве проводящего слоя используют органические полупроводники,Э 1 Слой нан ойСоставитель В. ГаврюшинТехред А. Бабинец Корректор Г. Назарова Редактор М. Стрельникова Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5(полимер) выбирают нз условий, при которыхнанесенный слой сообщает диэлектрическомуобьекту поверхностную проводимость на уровне 10сим/см, а растворитель полимеране растворяет вещество объекта, После сушкиобъект на несколько часов помещают в рабочую камеру электроннолучевой установки,проводящую...

Номер патента: 731413

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Алиев, Журавлев, Заумыслов, Мартыненко, Минаждинова, Мозжухин, Рагимов

МПК: G03C 1/68

Метки: позитивный, светочувствительный, состав

...неиодированного поли-а-цафтолаДиметиловый эфир диэтилгликоля Слои толщины 0,3 - 1,5 мкм из указанных в табл, 1 светочувствительных составов формируют методом центрифугирования и сушки в течение 0,5 ч при температуре, не превышаюгцей 363 К на окисленной полированной поверхности пластин кремния. Экспонирование через фотомаску осуществляют излучением лам пы марки ДРШ - 500 (Е = 4 10 лк), РельефРазрешающая способность, периодов оцных размеров при ионном Ь = 0,46 мкм слояния, % 3 э 1 илецгликоля, метилэтилке тоц, диметилформа. мид или их смеси. Предложенный состав позволяет формировать ца поверхности полупроводников термоустойчивые ЗПМ, лолускаюцие нас ревание под. ложки до 670 К в процессе локального ионного и плазмохимического...

Номер патента: 355253

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Беккер, Заболотнов, Заумыслов, Храброе

МПК: C23C 14/32

Метки: ионов, источник

...й технике.В известном источнике ионов, содержащем спиральный накальный катод и соосно расположенный с ним цилиндрический анод, плотность ионов в разряде мала.Предлагаемый источник позволяет увеличить плотность ионов в разряде за счет того, что анод расположен внутри спирали катода.На чертеже представлен предлагаемый источник, ионов, содержащий цилиндрический анод 1, спиральный накальный катод 2, вакуумную оболочку 8. Анод расположен внутри спирали катода. Ток накала катода поддержиаппаратуре длк ускорительно вает температурууровне и одновремле, требуемое длянов в плазме разрдом. 2,н здае ения жду определенном магнитное полотности иоатодом и аноенно с увели яда м 1 ет изобретени 0 Источник исодержащий р асположенн анод, отличичения...

Номер патента: 282486

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заболотнов, Заумыслов, Колесников

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: rc-структура, распределенными, тонкопленочная

...узким зазором, существует расовределенная емкость, опрЕделяемая величиной зазора, шириной элементов и диэлектрической проницательностью подложки. В зависимости от геометрии участков слоев могутбыть получены, например, структуры следующих типов: а - структура типа КС - пй; б - З 0 структура типа РС; в - структура типа 1 тС - проводник Сй.Заданный закон изменения погонных,параметров может быть обеспечен изменением ширины зазора и ширины резистивных элементов. Емкостные элементы КС-структуры отличаются высокой надежностью. При зазоре между резистивными (или между резистивным и проводящим) элементами порядка 20 - 40 лк пробивное напряжение составляет несколько сот вольт, а возникновение произвольных закороток исключено.В качестве примера...