H01L 29/18 — только из селена или теллура, не считая легирующих и прочих примесей

Номер патента: 286083

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Абдуллаев, Али, Асадов, Ахундов, Институт, Шабалов

МПК: H01L 29/18

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

...я также небольтнОЙ интервал рабочих температур, Недостатки переклю чающих диодов ня основе полупроводниковых стекол следующие: отсутствие возможности управления релейным эффектом, небольшое количество запоминаемой информации и малая стабильность электрических параметров.Предлагаемый лрпбор не имеет вышеперечисленных недостатков. Он изготовлен на основс полупроводникового материала системы СН-Тс, обладающего дефектной структурой, которая приводит к сильному легированию. Конструктивно он выполнен из пластины полупроводникового материала системы Сц-Те с вытрямляющим и омичеоким элекпродами,Такое сочетание полупроводникового материала и электродов позволило получить двуэлектродный прибор с управляемой релейпо 11, характеристикой в прямом и...