Полупроводниковый генератор

Ф0 П И Ь А-Н И Е 2816 Я Союз Соеетскиз Социалистическиз РеспубликИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельства- Заявлено ОЗ.Х 1.1968 ( 1287931/26-25 М, Кл, Н 0115/00 м заявки-с присоедин итот по деламтеиий и открытийсеете Министрос Приоритет изо 6 21,382(088;8) убликовано 16.1.1973. Бюллетень7 Дата опубликования описания 21.111,193 Авторы зобретени. С. Муравский и В, И цо аявител ИКОВЫЙ ГЕНЕРА ЛУПРО иковои ЙствфхТороне на друИзобретение от енераторов,Известен прибор на основе поверхностнобарьерного перехода, в цепи которого возникают релаксац,иконные колебания тока и напряжения. Однако указанный генератор обладает низким к. пд. генерации, высоким значением критичеокого напряжения возникновения колебаний, применением опециальногоохлаждения для предотвращения разогрева 10прибора, невозможностью управления частотой и амплитудой генерации.Цель предлагаемого изобретения - повышение к. и. д, генерации при снижении критического напряжения возникновения генерации, 10управление светом.Предлагаемый полупроводниковый генератор отличается от известных тем, что позволяет повысить к. п. д. генерации, снизить критическое нааряжение возникновения генерации, управлять амплитудой и частотой типагенерации изменением величины резистора,подачей небольшого прямого напряжения наплоскостной р-п-переход и освещением пластины вблизи поверхностно-барьерного перехода.Генератор состоит из полупроводнпластины с омическими контактами,,ностно-барьерного перехода на одной спластины и плоскостного р-п-перехода30 носится к области СВЧ-г гой стороне пластины на расстоянии, меньшем диффузионного смещения неосновных носителей от поверхностно-барьерного перехода. Причем площадь плоскостного р-п-перехода на два порядка больше площади поверхностно-барьерного перехода.Принцип действия генератора основан на процессе релаксации ,поверхностного потенциального барьера. На поверхностно-барьерный переход относительно пластины (базы) подается постоянное обратное напряжение, плоскостной р-,п-переход шунтируется резистором. С некоторого критического напряжения на поверхностно-барьерном переходе начинается интенсивная холодная эмиссия электронов с поверхностных уровней в зону проводимости полупроводника. Это приводит к уменьшению высоты стоверхностного барьера, образованного захваченными на этих уровнях электрснами, в евою очередь это ведет ж уменьшению напряжения в истощенном слое и прекращению эмиссии, Возвращаясь к равновесию, поверхностные уровни вновь захватывают электроны, и потенциальный барьер восстанавливается. Восстанавливается и процесс эмиссии электронов,и т, д.Благодаря наличию расйределенного сопротивления пластины и резистора, напряжение, падающее в слое истощения поверхностно-барьерного перехода, оказывается частичяо приложенным к р-п-переходу, что вызывает инжекцию дырок в базу. Дырки, увлекаясь к поверхностно-барьерному переходу, уменьшают толщину барьера, так как теперь отрицательный заряд в пэверхностных состояниях компенсируется в основном избыточными дырками, а не ионизированными донорами, Это значительно снижает критическое напряжение возникновения генерации (3 - 16 в) при возможности питания от источника постоянного вапряжения без принудительного охлаждения прибора.Частота колебаний генератора в широких пределах не зависит от реактанса внешней цепи. К.п. д. прибора в режиме генерации достигает 95/,. Изменение величины резистора, подача небольшого прямого напряжения на плоскостной рзп переход, а также освещение пластины вблизи поверхносгно-барьерного перехода приводит к изменению амплитуды и частоты тэка генерации и постоянной слагающей тока,Предмет изобретения1, Полупроводниковый генератор электромагнитных колебаний на оонэве поверхностно- барьерного перехода, отличающийся тем, что, 10 с целью повышения к,п.д. генерации при снижении критического напряжения возникновения генерации, управления светом, на расстоянии меньшем диффузионного смещения неосновных носителей расположен плоскостной 15 р-и-переход большей площади.2, Полупрэводниковый генератор по п, 1отличающийся тем, что отношение площадей плоскостного р-п-,перехода и поверхностно- барьерного) 100.Составитель А, КотРедактор А. Калашникова Техред Е. Борисова Корректор Е. ТалалаеваЗаказ 125/574 Изд,137 Тираж 780 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Тип. Харьк. фил. пред, Патент