284046
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 284046
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваКл. 21 а 1, 37/68 Заявлено 25,1 т.1969 ( 1326849 18-10)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 14,Х.1970. Бюллетень ЛЪ 32 МПК Н 01 7/00УЛК 621.382 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРДата опубликования огисания 22,1.1971 АвторыизобретециЗаявитель ЕРДОФАЗНЫЙ ИНТЕГРИРУ 1 О 1 ЦИЙ ДИОД Изобретение относится к ооластц электротехники и предназначено для интегрирования микротоков.Известны двухэлектродные хемотронные интегрирующие приборы (интсгрцрующие дио ды), представляющие собой камеру с двумя электродами, заполненную электролитом и разделенную пористой перегородкой на два отделения. При пропускании тока через такой прибор создается разность концентраций 10 в обоих отделениях, что в свою очередь вызывает появление концентрационной э.д.с.Однако из-за использования жидких электролитов невозможно уменьшить габариты хемотронного диода до размеров, сопостави мых с размерами напыляемых приборов, Кроме того, на точность определения интеграла тока влияют диффузия и конвекция через пористую перегородку. Точность определения интеграла тока снижается при необходимости 20 хранения записи в течение длительного времени.Применение электролита также сильно ограничивает рабочий температурный диапазон прибора. 25С целью повышения надежности работы и расширения температурного диапазона, предлагаемый диод выполнен в виде нанесенной методом конденсации в вакууме на изолирующую подлогкку пленочных инертных электро 2дов ц пленок твердых электролитов, одна из которых служит перегородкой с униполярной проводимостью, отделяющей катодное пространство от анодного.Конструкция предлагаемого диода приведена на чертеже.На подложку из диэлектрика 1 с подводящими контактами 2 последовательно напыляют инертный электрод 3 (Р 1, С и другие), смесь бромной и бромистой меди 4 (СпВгг, СпВг), бромистый свинец 5 (РЬВгг), смесь бромной и бромистой меди б и наконец второй инертный электрод 7,Прц пропускании через такую систему постоянного тока изменяются начальные концентрации Сп+ и Сп таким образом, что в катодном пространстве концентрация Сп уменьшается, а в анодпом - увеличивается (для концентрации Сп соотношения обратные), следствием чего является изменение э.д.с. системы.При малой концентрации Сп относительно Сп э.д.с. системы выражается приблизительной формулой Сп+ ,е=а 1 од(сц.+1:где е - э.д.с. системы, а - постоянная, 1 Спи 1 Сп 3 г концентрации Сп в обоих отделениях, Изменение концентрации Сп зависит284046 Предмет изобретения Составитель Матвеев Корректор Г, С. Мухина Тех р ед Т. П, Курил ло Редактор С, И. Хейфиц Заказ 3710/7 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Рауп 1 ская паб., д. 4,5 Тип огра фи я, и р. Сапунов а, 2 от количества пропущенного заряда, поэтому э.д.с. ячейки может служить мерой пропущенного через нее заряда.Промежуточный слой б (РЬВг), обладающий анионной проводимостью, наносится для 5 отделения слоев СцВг и СцВг.обладающих смешанной электронно-ионной проводимостью. Так как СцВг и СцВг. с Р 1 зВг 2 не дают ни химических соединений, ни смешанных кристаллов, то диффузия Сц и Сц"+ через слой 10 практически исключается, вследствие этого ячейка сохраняет запись интеграла тока неизменной длительное время.При пропускании тока в обоих отделениях процесс окисления-восстановления ионов 15 меди (Сц+ - е Сц+) идет по всему объему слоя СцВг, СцВг, а не только вблизи электродов, как это имеет место в хемотронном интегрирующем диоде, вследствие чего здесь не требуется выдержки для установления 20 равномерной концентрации по объему.Твердофазный диод обладает более широким рабочим температурным интервалом. Микроионные устройства изготавливаются методами вакуумной техники и поэтому могут быть получены весьма малых размеров и одновременно с другими элементами микросхемы, согласованными с ними по размерам и мощности,При толщине слоев солей около одного микрона внутреннее сопротивление диода равняется 5 - 10 ко,ц на квадратный сантиметр электродов, потребляемый ток - до 0,5 - 1 .мка 7 слв,Твердофазный интегрирующий диод, содержащий два электрода и перегородку, отличаюиийся тем, что, с целью повышения надежности работы и расширения температурного диапазона, он выполнен в виде нанесенной методом конденсации в вакууме на изолирующую подложку пленочных инертных электродов и пленок твердых электролитов, одна из которых служит перегородкой с униполярной проводимостью, отделяющей катодное пространство от анодного.
СмотретьЗаявка
1326849
МПК / Метки
МПК: H01L 27/02
Метки: 284046
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-284046-284046.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">284046</a>
Предыдущий патент: 284045
Следующий патент: Способ последовательно-балансного соединения каскадов многокаскадного усилителя
Случайный патент: Устройство для выгрузки мусора из емкости в транспортное средство