Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в мдп-структурах
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1526515
Авторы: Апанасенко, Гурский
Описание
Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в МДП-структурах, включающий нанесение электродов к структуре, подачу на них напряжения смещения, облучение структуры ионизирующим излучением и вычисление мощности поглощенной дозы излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и оперативности способа, до облучения снимают C-V-характеристики с разными скоростями изменения напряжения, определяют скорость, при которой прямой и обратный ходы высокочастотных C-V-характеристик МДП-структуры совпадают на всем участке изменения емкости от максимального до минимального значений и обратно, измеряют C-V-характеристики с выбранной скоростью при облучении в прямом и обратном направлениях и по C-V-зависимости определяют величины параметров V, Cмакс, Cf, Cмин и t q, вычисляют мощность поглощенной дозы по формуле
где q - заряд электрона;
V - гистерезисное изменение напряжения прямого и обратного ходов C-V-характеристики;
Смакс - максимальная емкость структуры;
Смин - минимальная емкость структуры;
Cf - равновесное значение емкости структуры в состоянии инверсии;
tq - время образования инверсионного слоя;
s - диэлектрическая проницаемость полупроводника;
S - плотность проводника;
E i - энергия, необходимая для генерации одной электрон-дырочной пары в полупроводнике под действием ионизирующего излучения.
Заявка
4395459/25, 21.03.1988
Физико-технический институт АН БССР
Гурский Л. И, Апанасенко В. П
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: дозы, излучения, ионизирующего, мдп-структурах, мощности, поглощенной
Опубликовано: 27.06.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1526515-sposob-opredeleniya-moshhnosti-pogloshhennojj-dozy-ioniziruyushhego-izlucheniya-v-mdp-strukturakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в мдп-структурах</a>
Предыдущий патент: Способ измерения удельного контактного сопротивления
Следующий патент: Способ изготовления подзатворного диэлектрика моп-приборов
Случайный патент: Устройство для сбора плодов