Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния

Номер патента: 894486

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Комаров, Курьязов, Малявко, Соловьев, Тишков, Черненко, Ширяев

МПК: G01N 15/08

Метки: кремнии, нитридных, окисных, пленках, пор, сквозных

...начинают пррекрываться, что ведет к заниженной оценке степени пористости,П р и м е р 1.Проводят контроль пористости пленок в следующих структурах; пластино кремния марки КЭФс ориентацией поверхности (001) диаметрои 60 мм и толщиной 500 мкм с пленкой двуокиси кремния толщиной Оу 12 мки. Структуры помещает в высоковакууиную печь, где с поиощьв натекателя паров гексана поддерживается давление 27. 10 4 Па и на 1,0 мин подни" мают их температуру до 1000 С, при этом в порах на границе раздела пленка подложка в результате химического взаимодействия кремния с парами гексана, проникшими к подложке сквозь поры, образуются включения карбида креиния диаметром -фЗ мкм. Определенная с помощьв металлографичхеского йикроскопа МИРР при 300...

Номер патента: 1568798

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок поликристаллического кремния путем повышения стабильности кристаллической структуры подслоя кремния, подслой осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей моногерман, при парциальных давлениях моносилана и моногермана 12-40 и 1-3 Па соответственно при температуре 600-650°C.

Номер патента: 1649616

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Горбань, Завадовский, Тягушева, Шаповалов, Ясинский

МПК: H01L 21/66

Метки: выращенных, диоксида, кремнии, кремния, пленок, пористости, термически, электрохимический

...не происходит. Для увеличения разрешения способа площадь рамки ограничивающая электролит, составляет 6 см. В замкнутую2цепь включают миллиамперметр. От источника питания подают напряжение из расчета 3 В на 0,01 мкм толщины окисла. Во время исследования напряжение в цепи ПДЭ-системы поддерживают постоянным. Через 40-50 с производят измерение тока, протекающего в замкнутой цепи ПДЭ-системы при нормированной площади структуры Б-БхО, ограниченной рамкой, Легко определить предельно допустимую площадь всех пор на исследуемой поверхности окисла. Так, предельно допустимая пористость БхО принята 15 см , следовательно на площади 6 смколичество пор составляет 90. Предельно допустимая площадь пор 649616 4определяющей предельно...

Номер патента: 1001232

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/00

Метки: импульсного, отжига, полупроводниковых, структур

...содержит замкнутую камеру 1, в которой выполнены щели 2 и 3 соответственно для загрузки и выгрузки полупроводниковой структуры 4, расположенной наопоре сетке ) 5, Внутри замкнутой камеры по обе стороны от опоры расположены линейные галогенные лампы б накаливания так, что их продольная ось перпендикулярна направлению движения спотк, перемещаемой с помощью привода 7. Замкнутая камера имеет изогнутую форчу и служит одновременно для фокусировки . излучения на поверхность полупроводниковой структуры.Линейные галогенные лампы накаливания расположены от опоры на расстоянии 10-100 д, где о - толщина подложки полупроводниковой структу ры. Указанное соотношение определяется как размерами используемых подложек (в производстве...

Номер патента: 1484193

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...