Семеников

Номер патента: 1277842

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Дмитриев, Елкин, Казаков, Полторацкий, Семеников, Хитько, Шелюхин

МПК: H01L 21/46

Метки: диодных, матриц

Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее...