Дениженко

Номер патента: 1336725

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Дениженко, Марфель

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, структур

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур по авт. св. 1222145, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено аттенюатором, коммутатором, сумматором и инвертором, при этом первый выход генератора трапецеидального напряжения соединен с вторым входом регистратора через сумматор, к второму входу которого через аттенюатор подключен выход коммутатора, первый и второй управляющие входы которого соединены соответственно с вторым и третьим выходами генератора трапецеидального напряжения, выход регистратора подключен к первому входу коммутатора и через инвертор к второму входу коммутатора.

Номер патента: 1222145

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Дениженко, Сигалов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, структур

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур, содержащее блок подключения измеряемой структуры, генератор смещения, генератор синусоидального напряжения, усилитель, первый выход которого соединен с первым входом регистратора, второй вход которого соединен с первым выходом генератора смещения, второй выход генератора смещения, третий вход регистратора, вторые выходы детектора и усилителя соединены с общей шиной устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено режекторным фильтром, двумя трансформаторами, двумя конденсаторами и катушкой индуктивности, при этом генератор смещения выполнен в виде генератора трапецеидального напряжения, а усилитель...