Патенты с меткой «мдп-структурах»

Номер патента: 425331

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Зарубин, Леонтьев, Страхов

МПК: H03K 5/01

Метки: адресный, мдп-структурах, накопителя, формирователь

...структурах,,1 предлагаемый адресный формирователь раоотает следующим образом.В исходном состоянии линия адреса находится под положительным потенциалом, равным +Еа, так как ключевой транзистор 1 делителя напряжения закрыт отрицательным потенциалом на базе, снимаемым с коллектора транзистора 4, закрытого по эмиттеру низким уровнем потенциала.Транзистор 10 также закрыт отрицательным потенциалом на базе, снимаемым с коллектора транзистора 11, закрытого по эмиттеру низким уровнем потенциала,Таким образом, в исходном состоянии все транзисторы схемы закрыты, и потребление мощности возможно лишь по цепи +Еа - резистор 8 - линия адреса - автор ключевого МДП-транзистора.Однако МДП-транзистор как элемент управляемый полем, имеет очень большое...

Номер патента: 1389606

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: большей, гетеропереходах, емкости, запрещенной, зоны, мдп-структурах, шириной

...при С =С н =и С=С ; ы, - значение чаетотымодуляции, выше которого величины .дч и ЛЧ не изменяют своего значеф,ния, 20П р и м е р. Способ используютдля определения емкости материала сбольшей шириной запрещенной зоныА 1 Са,Ая в гетеропереходе СаАзА 1 СаАя(Е=Е а,Аз=1,8 эВ, Е= 26=Е=1,43 эВ) с толщиной слояА 1 Са,.Аз2 мкм.ИсследуемыГ образец включают в измерительную схему последовательно семкостной нагрузкой С=С (фиг. 1) 301и освещают модулированным по интенсивности светом с энергией квантовР(М (Е)со стороны материала сбольшей шириной запрещенной зоны,При таком освещении свет поглощается только в материале с меньшей шириной запрещенной зоны.Освещение производят со стороныА 1 Са,Ая модулированным по интенсивности светом с энергией...

Номер патента: 1526515

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: дозы, излучения, ионизирующего, мдп-структурах, мощности, поглощенной

Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в МДП-структурах, включающий нанесение электродов к структуре, подачу на них напряжения смещения, облучение структуры ионизирующим излучением и вычисление мощности поглощенной дозы излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и оперативности способа, до облучения снимают C-V-характеристики с разными скоростями изменения напряжения, определяют скорость, при которой прямой и обратный ходы высокочастотных C-V-характеристик МДП-структуры совпадают на всем участке изменения емкости от максимального до минимального значений и обратно, измеряют C-V-характеристики с выбранной скоростью при облучении в прямом и...