Светодиод
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию неосновных носителей, с, по крайней мере, одним участком с увеличивающейся к p-n-переходу шириной запрещенной зоны толщиной, большей обратной величины коэффициента поглощения для излучения светодиода и не превышающей нескольких диффузионных длин неосновных носителей.
2. Светодиод по п.1, отличающийся тем, что слой полупроводника имеет концентрацию легирующих примесей, определяющих тип его проводимости, уменьшающуюся в направлении от сплошного контакта таким образом, что образующееся за счет этого электрическое поле превосходит поле, обусловленное увеличением ширины запрещенной зоны.
3. Светодиод по п.1, отличающийся тем, что слой полупроводника у контакта имеет градиент концентрации примеси, определяющей ширину запрещенной зоны, противоположный градиенту этой примеси на указанном участке.
4. Светодиод по пп.1 и 2, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины спектра излучения светодиода, слой полупроводника имеет концентрацию основных легирующих примесей, уменьшающуюся от узкозонного конца упомянутого участка до p-n-перехода, находящегося в пределах этого участка.
5. Светодиод по пп.1 и 2, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины спектра излучения светодиода, упомянутый участок имеет концентрацию основных легирующих примесей, уменьшающуюся от узкозонного конца упомянутого участка до широкозонного конца этого участка, а p-n-переход находится за пределами этого участка.
6. Светодиод по п.3, отличающийся тем, что он выполнен на основе твердого раствора арсенида галлия и слой полупроводника у контакта имеет градиент концентрации алюминия.
Заявка
2390333/25, 19.07.1976
Бекирев У. А, Емельянов А. В, Лаврищев В. П, Полторацкий Э. А, Сидоров Л. П, Тютюнов А. А
МПК / Метки
МПК: H01L 33/00
Метки: светодиод
Опубликовано: 20.07.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-644301-svetodiod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Светодиод</a>
Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков
Номер патента: 524492
Опубликовано: 27.05.2000
МПК: H01L 21/36
Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных
Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.
Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников
Номер патента: 525380
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Болховитянов, Мельников, Строителев
МПК: H01L 21/368
Метки: полупроводников, слоев, эпитаксиальных
Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10oC ниже, чем при контакте с источником.
Способ нанесения слоя благородного металла на рабочую поверхность контактов из сплавов металла с золотом
Номер патента: 238023
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Кузьмиченко, Морозов
МПК: H01H 1/02, H01H 11/04
Метки: благородного, золотом, контактов, металла, нанесения, поверхность, рабочую, слоя, сплавов
...медью, у которых:в процессе трения н а блюд а ется а том а рное выделение золота ва поверхности трения. Создание на контактной поверхности слоя, обогащенного золотом, у контактов из данного типа сплавов удобно осуществить, например, с помощью вращающегося фетрового круга.Фетровый круг в некоторых случаях можно слегка смачивать маслом, которое при трении круга о контактную поверхность сводит к миНимуму абрази)вное снятие атомарно выделивНСГОС 51 ЗОЛОТЯ, и ТЯКЖС СПОСООСТВ ) С РЯВНО- мерному рязмазывацнк) его по поверки)тц.Б результате фрикциоццого золочеи 1 я ца,Онтя)НОЙ пове 1 зхцости создастся тонкий с.ОЙ, 5 Обогащенный золотом. Это увеличивает цаДСЖНОСТЬ ЭЛСКТРНЧЕСКОГО КОНТЯКТЯ, ТЯК КЯК этот слой обладает большей, чем исходный...
Способ шлифования
Номер патента: 1355457
Опубликовано: 30.11.1987
Автор: Никулкин
МПК: B24B 1/00
Метки: шлифования
...зерен круга 1. Например, воз,1 ействуют лучом б лазера ца площадку кон О такта детали 4 со стороны вреззния абразивных зерен круга 1 шириной 8 мм по толщине срезаемого слоя 25 мкм металла с улыразвуковой частотой 2 Г) кгц следования импуль.сов длительностьо 1 = 0,00003 с. При этом 15нагревают до температуры плавления слой глубиной 10 - 25 мкм, равной глуоине резания.В процессе шлифования с воздействиемлуча б лазера посОянной интенсивности и затупленпя абразивных зерен круга 1 ухень шается количество срезаемоо материала исилы сдвига цз режуп 1 их зоразивных зернах, повышается величина переменной силы трения и возможно сзмовозбу)кдецие колебаний летали 4 с собственной частотой по 25замкнутой траекторкп 1 в тацгенцпзльном и...
Способ измерения зоны зависания контактов микровыключателя и устройство для его осуществления
Номер патента: 1505247
Опубликовано: 20.03.1996
Автор: Кисляков
МПК: G05B 23/02
Метки: зависания, зоны, контактов, микровыключателя
1. Способ измерения зоны зависания контактов микровыключателя, заключающийся в перемещении его приводного элемента в прямом направлении с форсированной скоростью V1 до срабатывания и последующего перемещения с той же скоростью в обратном направлении до исходного состояния контактов, повторного перемещения приводного элемента в прямом направлении с меньшей скоростью V2, в процессе которого измеряют время T1 разомкнутого состояния контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения точности при увеличении производительности измерений, в процессе перемещения приводного элемента со скоростью V1 измеряют время T2 разомкнутого состояния контактов, а величину X зоны зависания...
Предыдущий патент: Способ изготовления диодных матриц
Следующий патент: Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура
Случайный патент: Ручной гидравлический пресс