Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел полупроводник

Номер патента: 1238630

Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько

ZIP архив

Описание

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.

Заявка

3797228/25, 04.10.1984

Ордена Трудового Красного Знамени физико-технический институт АН БССР

Румак Н. В, Сакун А. Ф, Тишкевич Г. И, Хатько В. В, Пухов В. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник

Опубликовано: 27.06.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1238630-sposob-kontrolya-struktury-pogranichnogo-sloya-dvuokisi-kremniya-v-sistemakh-okisel-poluprovodnik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел полупроводник</a>

Похожие патенты