Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел полупроводник
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.
Заявка
3797228/25, 04.10.1984
Ордена Трудового Красного Знамени физико-технический институт АН БССР
Румак Н. В, Сакун А. Ф, Тишкевич Г. И, Хатько В. В, Пухов В. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник
Опубликовано: 27.06.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1238630-sposob-kontrolya-struktury-pogranichnogo-sloya-dvuokisi-kremniya-v-sistemakh-okisel-poluprovodnik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел полупроводник</a>
Предыдущий патент: Способ переработки бедного сульфидно-мышьяковистого оловянного сырья
Следующий патент: Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния
Случайный патент: Способ крашения целлюлозных материалов