Способ обработки тонких проводящих пленок мопи мп-систем

Номер патента: 851217

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Казак, Каразеев, Нестеров

МПК: G01N 24/02

Метки: возбуждения, пленках, спиновогоэха, тонких, ферромагнитных

...сигнала спиновогоэха от каждой решетки. Эффект увеличения амплитуды эха-отклика достигается за счет того, что возбуждается не вся площадь ферромагиитнойпленки, а отдельные ее участки, эхосигнал с которых впоследствии сум мируется на последовательно соединенных индуктивных сопротивлениях решеток съема сигнала спинового эха,На фиг. 1 представлено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг,2 - то же, в плане,Устройство включает подложку 1 из диэлектрического или немагнитного материала, на которой размещены тонкие ферромагнитные пленки 2-б,изолированные друг от друга (а в случае металлической подложки и от.подложки диэлектрическими слоями 7-9, Над ферромагнитными пленками размещен узел 10 для создания высокочастотного магнитного поля и...

Номер патента: 1499419

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Евстигнеев, Елесин, Опенов

МПК: H01L 39/00

Метки: перехода, пленок, плоских, сверхпроводящего, температуры, тонких

...тока.Сигнал с термометра 10 регистрируется графопостроителем 7 по координате Х. В результате перечисленных операций на графопостроителе 7 получаютзависимость ЭДС индукции в катушке 4индуктивности от температуры.Малость диаметра и длины катушкииндукзивности, являющейся источникоммагнитного поля, и малость расстоянияот нее до пленки приводит к тому, чтомагнитное поле, в котором находитсяисследуемая пленка, является неоднородным.Характерный масштаб неоднородности магнитного поля .в областирасположения, пленки равен расстояниюот катушки индуктивности, являющейсяисточником магнитного поля, до плен.ки. Экранирование неоднородного магнитного поля сверхпроводящвй пленкойпри Ь(Т)йюопределяется параметром1 с 1/Лф(Т), где 1 - характерный...

Номер патента: 133123

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Бибергаль, Попков

МПК: G01R 31/12

Метки: диэлектрического, мелких, обнаружения, отверстий, пленках, покрытиях, пор, тонких

...Отрицательный полюс источника 5 заземлен. Параллельно импеданцу 3 подключен прибор 6 (например катодный осциллограф), который регистрирует или иным спо собом реагирует на пульсации тока в импеданце 3.При достаточной величине напряжения источника 5 на элс троп:;х1 возникаст положитсльный коронный разряд. Из области нонпзаппи уЛо 133123 электрода 4 через газовыипромежуток между электродами 4 и 2 образуется поток положительных ионов, оседающих на поверхности пленки 1. Г 1 ри определенной плотности поверхностного заряда на пленкс в ее порах 7 создается напряженность поля, достаточная для возникновения пульсирующего отрицательного разряда, ток которого протекает через пмпеданц 3 и регистрируется прибором б, Пленка 1 и элек 1 род 4 могут...

Номер патента: 347795

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Васильева, Малютин, Ордена, Телемеханики

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитных, передачи, пленках, тонких

...последовательности импульсов стоп-поля,На фиг. 1 (а, 6, в, г, д) схематичсскп показаны стадии процесса движения домена обратной намагниченности в полоске тонкой 50 магнитной пленки; на фиг. 2 - временные эпюры импульсов полей, необходимых для продвижения информационного домена.Первоначально вся полоска тонкой магнитной пленки 1 намагничена в одном направлении, например, слева направо. Далее с помощью шины записи 2 в полоску записывается домен 3 обратной намагниченности (фиг. 1, тт). Затем ко всеи полоске прикладывается однородное продвигающее поле Нп (фиг. 1,6), которое вызывает рост записанного домена в обе стороны от его первоначального положения. Одновременно с включением продвигающего поля подаются импульсы тока в стоп-шины 4 ц...

Номер патента: 1109800

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Бухштаб, Васильева, Гал, Касаткин, Кузнецова, Куликов, Малютин, Седых, Тимофеев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, каналами, магнитных, низкокоэрцитивными, пленок, плоских, продвижения, тонких, ферромагнитных

...силу пленки, примыкающей к каналам. Затем на протравленную часть магнитомягкой пленки наносят магнитожесткую пленку. Таким образом, исчезает необходимость в обменном взаимодействии ,между магнитомягкой и магнитожест-, кой пленками, так как коэрцитивная сила пленки вне каналов определяется минимальной коэрцитивной силой или протравленной части магнитомягкой пленки, или магнитожесткой пленки, В то же время магнитожесткая пленка устраняет полученный в результате . травления перепад в толщине магнитомягкой пленки, уничтожая существовавшие на краях канала рассеивания, и одновременно может служить материалом для магнитожестких аппликаций для регистра сдвига на ПМД с локальными полями стабилизации (ЛПС) .На фиг. 1 изображена конструкция...