Излучательный элемент с полевым управлением (и его вариант)
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя противоположного с эмиттерным слоем типа проводимости с гетеропереходом внутри слоя, причем внешняя часть указанного слоя - более широкозонная, чем прилегающая к эмиттерному слою, и в указанном слое выполнены две сильнолегированные области противоположного с ним типа проводимости, одна из которых сформирована от поверхности этого слоя в глубину толщиной, менее толщины указанного слоя, и на ней расположен один из упомянутых токовых электродов элемента, а вторая область сформирована от поверхности дополнительного слоя на всю его толщину до эмиттерного слоя, при этом между указанными областями на поверхности дополнительного слоя сформирована упомянутая МДП-структура.
2. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя одинакового с эмиттерным слоем структуры типа проводимости с шириной запрещенной зоны, большей, чем в активной области излучательной структуры, и в указанном слое выполнены две сильнолегированные области, одна из которых, имеющая тип проводимости, противоположный типу проводимости указанного слоя сформирована от поверхности этого слоя в глубину толщиной, менее толщины указанного слоя, и на ней расположен один из упомянутых электродов элемента, а вторая область, имеющая тип проводимости, одинаковый с указанным слоем, сформирована от поверхности этого слоя на всю его толщину до эмиттерного слоя, при этом между указанными областями на поверхности дополнительного слоя сформирована упомянутая МДП-структура.
Заявка
2858329/25, 21.12.1979
Бекирев У. А, Емельянов А. В, Садовой В. А, Сидорова Л. П, Рябоштан В. В
МПК / Метки
МПК: H01L 33/00
Метки: variant, излучательный, полевым, управлением, элемент
Опубликовано: 20.07.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-820559-izluchatelnyjj-ehlement-s-polevym-upravleniem-i-ego-variant.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Излучательный элемент с полевым управлением (и его вариант)</a>
Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа aiibvi
Номер патента: 1725700
Опубликовано: 15.05.1994
Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская
МПК: H01L 21/28
Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа
СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79
Способ создания сервовитного слоя на поверхностях пар трения скольжения
Номер патента: 1350443
Опубликовано: 07.11.1987
Авторы: Пащенко, Рагутский, Ржевский, Солод, Тютюнник, Хорин
МПК: F16N 15/00
Метки: пар, поверхностях, сервовитного, скольжения, слоя, создания, трения
...и дозатора и доводятся до заданной концентрации непосредственно перед подачей в рабочие камеры, Программное устройство нагрузок и разгрузок гидростатических давлений в рабочей камере имеет регулируемый режим по скорости нагруженияи достижения заданного гидростатического давления до Ри до Р кр. минкр мин, кр. миифЛюбой из циклов нагружения, выдержкадостигнутого давления и последующаяразгрузка могут быть изменены в процессе выдачи видеозаписи заданногои фактического циклов диаграммы нагружения. С каждого гнезда ппиты производится видеозапись цикла гидростатического нагружения, электротока,температуры, а также тепловые, световые, акустические процессы у верхнейи нижней кромок кольцевых капиллярныхщелей каждого поршня и гильзы,...
Способ нанесения проводящего слоя на поверхность пластмассовых изделий
Номер патента: 356314
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: C23C 20/06, C25D 5/56
Метки: нанесения, пластмассовых, поверхность, проводящего, слоя
...Способверхносттролитичпокрытияспензиейрителе,пластмаспанесениполикарб Изобретение относится к области нанесения металлических покрытий на поверхность пластмассовых изделий, в частности к области нанесения на них проводящего слоя перед осаждением гальванических покрытий,Известен способ нанесения проводящего слоя на поверхность пластмассовых изделий, заключающийся в обработке их суспензией, содержащей наполнитель и органический растворитель, растворяющий металлизируемую пластмассу.Предложенный способ отличается от известного тем, что обработку осуществляют в суспензии карбонильного железа в дихлорэтане, что позволяет наносить проводящую пленку на поверхность изделий из поликарбоната,Согласно предложенному способу нанесение проводящей...
Способ определения типа проводимости слоев полупроводниковых структур
Номер патента: 1045313
Опубликовано: 30.09.1983
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа
...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...
Способ измерения параметров области полупроводникового слоя
Номер патента: 1068847
Опубликовано: 23.01.1984
Авторы: Гулидов, Овчаренко, Панасюк, Смирнов
МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66
Метки: области, параметров, полупроводникового, слоя
...области измерений, а такжевременная зависимость 13 толщины неравновесной области пространственного заряда.МДП-структура включает также скрытый слой 14, контактное окно 15 дляподключения вольтметра, контактнуюплощадку 16 - МДП-структура на внешней области полупроводникового слоя,контактную площадку 17 - МДП-струк-,тура на контролируемой области полупроводникового слоя,Электрическую изоляцию контролируемой области от остальной частислоя структуры на. время измеренияосуществляют не с помощью разрушающих структуру технологических операций, а путем йодачи на ограничивающую размеры контролируемой области по поверхности слоя замкнутуюМДП-структуру импульса напряжениятакой полярности, при которой происходит обеднение слоя полупроводника...
Предыдущий патент: Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью
Следующий патент: Элемент интегральной оптики
Случайный патент: Штанга