Излучательный элемент с полевым управлением (и его вариант)

Номер патента: 820559

Авторы: Бекирев, Емельянов, Рябоштан, Садовой, Сидорова

ZIP архив

Описание

1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя противоположного с эмиттерным слоем типа проводимости с гетеропереходом внутри слоя, причем внешняя часть указанного слоя - более широкозонная, чем прилегающая к эмиттерному слою, и в указанном слое выполнены две сильнолегированные области противоположного с ним типа проводимости, одна из которых сформирована от поверхности этого слоя в глубину толщиной, менее толщины указанного слоя, и на ней расположен один из упомянутых токовых электродов элемента, а вторая область сформирована от поверхности дополнительного слоя на всю его толщину до эмиттерного слоя, при этом между указанными областями на поверхности дополнительного слоя сформирована упомянутая МДП-структура.

2. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя одинакового с эмиттерным слоем структуры типа проводимости с шириной запрещенной зоны, большей, чем в активной области излучательной структуры, и в указанном слое выполнены две сильнолегированные области, одна из которых, имеющая тип проводимости, противоположный типу проводимости указанного слоя сформирована от поверхности этого слоя в глубину толщиной, менее толщины указанного слоя, и на ней расположен один из упомянутых электродов элемента, а вторая область, имеющая тип проводимости, одинаковый с указанным слоем, сформирована от поверхности этого слоя на всю его толщину до эмиттерного слоя, при этом между указанными областями на поверхности дополнительного слоя сформирована упомянутая МДП-структура.

Заявка

2858329/25, 21.12.1979

Бекирев У. А, Емельянов А. В, Садовой В. А, Сидорова Л. П, Рябоштан В. В

МПК / Метки

МПК: H01L 33/00

Метки: variant, излучательный, полевым, управлением, элемент

Опубликовано: 20.07.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-820559-izluchatelnyjj-ehlement-s-polevym-upravleniem-i-ego-variant.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Излучательный элемент с полевым управлением (и его вариант)</a>

Похожие патенты