Невинный

Устройство для управления окном

Загрузка...

Номер патента: 1721203

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Мясников, Невинный, Суханов

МПК: E05F 3/06

Метки: окном

...на наружной поверхности внешнего из корпусов 1 силового цилиндра.Расположенный в дополнительном корпусе 7 поршень 8 установлен в нем с натягом, при этом его подпоршневая полостьвыполнена сообщающейся,с заполненной рабочей средой полостью 5 силового цилиндра, а надпоршневая полость - с атмосферой через дросселирующее отверстие 9.Все корпуса имеют крышки-заглушки 10 - 12, обеспечивающие их герметичность, а поршень 4 - уплотнительные кольца 13, Шток 3 поршня силового цилиндра посредством тяги соединяется со створкой окна (не показано).Устройство работает следующим образом,При повышении температуры в помещении гранулы полиэтилена 6 рабочей среды кольцевой полости силового цилиндра расширяются, вытесняя масло через отверстия 14 во...

Электронный спектрометр

Загрузка...

Номер патента: 1534550

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Бобыкин, Волкова, Невинный, Холин, Шутов, Якушев

МПК: H01J 49/44

Метки: спектрометр, электронный

...режимах, соответствующих возбуждению образца рентгеновским, ультрафиолетовым излучением,электронным ударом, а также в режимах с повышенной светосилой при уме"ренном размере поля зрения и с расширенным полем зрения при умереннойсветосиле. В диапазоне энергий 100"3000 эВ (при использовании в качестве источника ионизации рентгеновскойили электронной пушки) относительноеразрешение спектрометра должно бытьне хуже 0,1% при ширине исследуемойповерхности образца 1 мм.При уменьшении ширины до 0,1 ммразрешение должно быть не хуже0,03%. В области малых энергий (привозбуждении образца ультрафиолетовымизлучением) абсолютное разрешение/должно быть не хуже 30 мВ при энергии 10 эВ. Максимальная светосилаанализатора не хуже 1% от 2, а площадь...

Способ создания в кремнии слоев -типа проводимости

Загрузка...

Номер патента: 649270

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Ботвин, Горелкинский, Невинный, Сигле, Чеканов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремнии, проводимости, слоев, создания, типа

...кэВ. Глубина залеганияслоя определяется пробегом протоковв кремнии. Гсли однако, необходимосоздать слой на глубине меньше,чем пробег используемых протонов, то это достигается путем изменения угла падения пучка протонов и плоскости подложки в соответствии с формулой3 л 1 п 0,где О 3Испытание радиационной стойкости проводят на кремнии с проводимостью 5:40 Ом см, который получают путем внедрения "- 10 смпротонов с максимальной энергией 6 МэВ с последующим отжигом при 250 С в течение 20 мин. Исходным материалом служит кремний Г -типа с проводимостью 60-10 Ом см, после отжига при+450 С он инвертируется в И -тип,глубина залегания слоя;пробег протонов в кремнии;угол между направлениемпучка протонов и плоскостьюподложки,Тот факт, что скорость...

Анализатор энергии заряженных частиц

Загрузка...

Номер патента: 645223

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Бобыкин, Галль, Карецкая, Кельман, Невинный, Павленко, Расторгуев, Холин, Шутов

МПК: H01J 39/00

Метки: анализатор, заряженных, частиц, энергии

...продольной плоскости, Пары пластин разделены между собой щелевыми зазорами. Пары пластин 3, 4, 5, 6 и 7 разделены прямолинейными щелевыми зазорами, а пары пластин 1, 2, 3, и 7, 8, 9 - щелевыми зазорами, образованными цилиндрическими поверхностями.Источник 10 заряженных частиц и приемник 11 размещены вне электростатического поля и могут находиться как под различными, так и под одинаковыми потенциалами,Анализатор предлагаемого типа может иметь варианты с ускорением или замедлением заряженных частиц в области центральной пары пластин 4. Электродная система анализатора может быть выполнена геометрически симметричной относительно взаимно перпендикулярных плоскостей системы или симметричной относительно продольной плоскости и несимметричной...

Комбинированная электростатическая призма

Загрузка...

Номер патента: 630678

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Гликман, Невинный

МПК: H01J 39/34

Метки: комбинированная, призма, электростатическая

...призмы - электродами 3, 4, 5 и 5, 6, 7 соответственно. Электроды 3 и 7 - общие для внешней и внутренней призм.1 ОКаждый электрод представляет собой пару металлических пластин, симметричных относительно плоскости хг, Система электродов симметрична относительно плоскости раздела граней, перпендикулярной к 15 плоскости хг и пересекающей эту плоскость по оси х. Электроды 1 и 9 находятся под потенциалом У электроды 3 и 7 - под потенциалом У, а электрод 5 - под потенциалом Уз. Потенциалы на электродах 2 О 2, 4, 6, 8 выбираются такими, чтобы обеспечить телескопичность каждой грани. Потенциалы, как принято в призменной оптике, считаются равными нулю там, где скорость заряженных частиц равна нулю. Раз меры электродов системы выбираются...

Электростатическая призма

Загрузка...

Номер патента: 441610

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Бобыкин, Гликман, Кельман, Невинный, Федулина

МПК: H01J 3/14

Метки: призма, электростатическая

...варианте предлагаемая приз;ма выполнена в виде трехэлектродносистемы, схематически в аксонометии, изображенной на фиг,1; на фиг,схематически показаны проекции 5электродов призмы и траекторийпроходящего через нее пучка заряженных частиц на плоскости Х 2. иУ 2 /проекции траекторий показаныпунктирол/. Электродами призмы 1 ослужат парй пластин 1,2,3, находящиеся под потенциаламй Ча,М,Уосоответственно. Система в целомсимметрична относительно среднейплоскости Х 7,являющейся плоскостью 5симметрии поля призмы. В предлагаемой призме распределение потенциалав сферической системе координат "с 6 Ф , связанной с изображенной на фиг.1 декартовой сист омой ХУХ соотношениями: Аибй, -3 и,4 иф,ю:сСщ 6,зависит только от угловых...

Отена способ построения сейсмических разрезов

Загрузка...

Номер патента: 322743

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Земцов, Института, Краснодарский, Невинный, Плтс

МПК: G01V 1/34

Метки: отена, построения, разрезов, сейсмических

...к случаям Ъ,(2 и Ъ) Рз, где5 10 15 20 25 30 35 40 У У 2 и Рз - соответственно скорости первого, второго и третьего интервалов разреза.Предположим, что известны скоростной разрез на одном из пунктов профиля и годографы волн, отраженных от горизонтов 1 и 11. Используя для построений отражающих границ по профилю единую скоростную зависимость, искусственно подменяем реальную скоростную модель разреза, горизонтально-слоистой. В,связи с этим отражающий горизонт 1 при построении займет на разрезе фиктивное положение 1. Принимая далее, что граница скоростей Ъ и 3/, проходит по фиктивному горизонту 1, вновь строим отражающий горизонт 1, реализация которого ца разрезе в этом случае совпадает с его истинным положением.Используя те же приемы...