Бунегин

Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах с переходами

Загрузка...

Номер патента: 1092436

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах

...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...

Ячейка временной задержки импульсов

Загрузка...

Номер патента: 945967

Опубликовано: 23.07.1982

Автор: Бунегин

МПК: H03K 5/13

Метки: временной, задержки, импульсов, ячейка

...юная электрическая схема предлагаемойячейки; на фиг.2 - нагрузочная характеристика предлагаемой ячейки.Управляемая ячейка временнойзадержки электрических импульсовсодержит времязадающий конденсатор1, ключевой транзистрр 2, токозадающий транзистор 3, предназначен. ный для управления временем задержки, резистор 4, резистор 5, предназначенный для установки диапазрна 50сигналов управления или крутизны характеристики управления, диоды б и 7 и источник 8 тока смещения.Ячейка работает следующим образом.В устойчивом состоянии транзистор 2 открыт совместным действием токов управления и смещения поступающихчерез транзистор 3 в цепь базы тран5 9459 зистора 2, напряжение на коллекторном резисторе 4 максимально, При этом диод 6 открыт, диод 7...