Чен-Куо

Номер патента: 1093265

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Джеймс, Рафик, Чен-Куо

МПК: H01L 51/00

Метки: фотогальванический, элемент

...преобразования энергии.Яанбоьее близким техническим решением к изобретению является фотогальванический элемент ка основе безметального фтаьоцианина, размещенногов слое связующего диэлектрика с барьерным и оптическим электродом 1. 2 3.Однако такие элементы отличаютсяочень низкой эффективностью преобразования энергии.Целью изобретения является повышение эффективности преобразования энер. згии.Указанная цель достигается тем,что в фотогаььваническом элементе наоснове безметального фталоцианина,размещенного в слое связующего ди- З 0электрике, с барьерным и оптическимиэлектродами, барьерный электрод выполнен в виде слоя, содержащего ме"талл с работой выхода ниже 4,7 эВ,а его окисел с электрическим сопро- Зтиаьением менее 200 Ом/о.Такое...