Способ изготовления полупроводниковых пленок на основе а = s

Соиа Советских Социалистических Республик(61) 1,отОлиитесииое к авт, евпд-й (22) Заявлеш 1 24.08.78 (21) 2677248/18-25с присоединенех заявки ЛЪ - (23) Приор 1 п ет - Кл. 01 1. 3118 5 Государстввннык комите ь хе 1003.82. БОл.ъ т ва делам изобретен и открытий 1 уоликоцаи,03,82. ата оибл овация описан 72) Авторы изобретеспия В. И. Ганин, Б. Т, Коломиец, В. М. Любин и В. А. Федоров(7 Витель Фе 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕННА ОСНОВЕ Ав,. Я Изобретение относится к обласп технологии напыления полупроводниковых пленок и может быть использовано в микроэлектронике, оптоэлектронике, полупроводниковой фотографии и голографии.В настоящее врсмя хорошо известныспособы получения полупроводниковых пленок халькогенидных стсклообразных полупроводников (ХСП) методами тсрмичсското испарения, катодного распыления, радиочастотного распыления и др,Наиболсс простым и широко применяемым является метод тсрмичсского напыления, заключавшийся в нагреве исходноговещества до температуры, обееисчиваои 1 сйинтенсивное исиарснис этого вещества 11.Недостатком такого способа являетсянеудовлетворительная адгсзия пленок, ихнедостаточная однородность, наличие пятен.ИЗВсстси спосоо нзготОВлсни 51 полмироводниковых пленок на основе АВ,.8 1, путем испарения исходного вещества черезслой дополнитс.1 ьного матерна,а и Осаждсния на подложку 12.При этом способе напыления в тиглеповерх испарясмого вещества помещаетсяслой частиц инертного материала с болеевысокой температурой плавления и испарения, чем у исиарясмого ве 1 цсетва,Верхш 1 Й слой дополнительного инертного материала, выполняя роль фильтра.предотвращает разбрызгивание вещества и.епособствуст тем самым получецик 1 болсс 5 однородных пленок, обладдоцпх угу 1 шсииой ддгсзией. повышенной механической и э;сктрическои ирОность 0.Основным недостатком этого метода яв;1 ястс 51 ОтсутстВпс Возможности мпраВлсние 1 электрофцзическими и оптическими евойстами иаиылясмых пленок.Целью изобретения являстея получениеиеСнок, обладающих способностью ири об,т сниц свсоз ктк 1 вс.пчивать, 1 ак 11 5 укСцьша о 1 ггичеекос иропускацис в зависимости от и 1 ггепеивиости света, а тдкже 1 н вы 1 шсниой свс чп 1 ветвитс еьцостыо.Цель достигаетея тем, что в качествеисходного вещества берут стсклообразный.материал состава Аэ,.51 где 0,30 -.хОЛ 5, а в качееВе дополнительного маприяла используют Си, испарение проводят при температуре 300 - 350 С.При изготовлении пленок ио иредлдгдс мому способу происходит химическое взаимодействие дополнительного материала с исходным веществом, что приводит к получени 1 о пленок с различным составом и ст 1)уктурой. ВзвивОдсйетвис дополнительного матсриалд с халькогсцом обуславливает3ГОТ (1) с 3 и Г, ЧТС С,1 Оц 1(О.1 Г д Н) ГС 5( 000 Г .3 ПС Пныс мышьякОм. ПОдООнОс содсрждн(Гсмышьяка (повышенное) чрезычдйш) рези(3СКсГ:ЗЫВДС 1 С 51 Н 2 СВОЙСТВДХ С.1 ОСВ.ИССЛСДОВДП 15 Ц 01 СД ЗД; Ц, ЧТО М НОГИЕЭ,ГЕС(РОи:ЗИ)СеСГе Ц Г ЦЧССКЦС СОЙСТДслосц Оц рсдсл 5110 с 5 Пс ТОл 0 еосд О 3(ио,)Гс 1 с)100 ХСП, НО и состсоы стГсмрои пленки, тдк степень уцязкц полцмсрцоГО КДРКаСс 1 СЛОСВ СУЦСС 1 СППО ЕЗЫШС Цос 1)авнс 110 сО е.1051)(ц, НРПГ 010,спи)11обычными методами. Подобцос обстс)ятсльстВО также Определяет р 5 д -)лсктрофГзц)ГСских ц оптических свойств.Предложенный способ эссисри)ГСГт;(г 1 по ировсрсе. В качссевс исходого зспСсВдвыбран ЛзЯ., а качестве дополиитслыого магсриала Гп, ГтсклообразЕый ЛВ 5,;рдзмсль)ался ц иомсщдлс 51 13 цсиарЕГТС;,ь.Доносительный материал 1(аходилсядцспсрсной форме, иозволяюисй достатоэффсстцеЗПО ироникаь парам еспарясМОГО ВСЦССТсГ, Ц ИОМС 1(Д;С 51 С(сГРЦТС:ЕСповерх исходного всщсста. Испарпельнагрсвался в вакууме до 300 - 350 С.Получаемые аморфцыс плспкп под дсй.ствием оптической засветки обладают сцойСТВОМ КДК УЫЕНЬП 1 ЕНИЯ, ТДК И МСЛИ 1 СНЦ 5Оптп 1 сскОГО прОпмскдния еЗ завцсМОсти Отиптеисивносп света. Пленки систем Лв - Я,полученные другими изсстиыми способами,обладают способностью либо только увсЛИЧИВВТВ, ЛИОО ТОЛ ЬЕ 1 О М)е(П)цс(Г 0 г(Г)(сскСиропускаицс, независимо От );птенецпостпадающего света.В слоях ярко выражен эффект фотопросвстлсния, крайне редко встречающийся в слоях ХСП, полученных обычнымпспособами, который перспективен для;Трактики.Экспсриментальпыс спектральные зависимостии пропускания слосв, иолучсццых цспдрснисм Ав Ячерез слой Гп, представлены па черте)кс. Кдк видно из черте)кд. Прцзасветке слоев имсет место сдвиг спсктраленой заВисе)мости 11 ропскаеия Отцйсцтельно средней способности опти ескогопрое(ускаЗия (кривая 1).При малой интенсивности происход)псдвиг в длинноволновую область (кривая2), что равносильно умсньшсЕшю оптГчсского пропусканпя, а при большей интспсивности засветки - в коротковолнову(ообласть, при этом оптическое пропусканисвозрастает (кривая 3),Эффект фотопросветления в слоях ХГПвесьма редок и, как правило, мало эффективен. Пленки, созданные на осцове нрс,1(1т(И:3)сиснцс Н 01 д:32 е;151 НРс,Ом:Гс(п 5(составляющее 4 - 7,) делает подобные елоц исрспективиыми для заццсц Опи:сской информации.Область спектральной фоточуствпсль ности слоев при их изготовлении прсдлагасмьГ способом сушествепно расширяется ц длинеоволновую область оипчсскогоспектра.Следует отмстип, что материалы цско ТОрЫХ СГСС.)Е ХСП С: ПЗбцТКОМ Г)11 ц 5 нс(.например Лв ; 3 с 30:3:)0)ЕТГ(0 3 00;ьпГ.): колн сицтсзировать. 1 аким Обрдзом, прсдлаГасмый спОсОб цзГОтолени 51 цолу 1 ро 30)ПЕКОВЫХ СЛОСЕЗ С ГЗбцТЕСОГ )1 цц 5 на З 0 является к настоящему Времени сд 1(с- вс ппым.С)ОРМС,с Ц 00 РССПИ 51Сцосоо цзГОто,СПИ 51 П 0,1)цроцоднцковйх1(ЛСПОК а ОСОС ЛВ с 5с ЦмтСМ 3(СПДРСЦИ 5 ЦСХОНОГО МДТСРИаЛс 3 ЧСРС;3 СЛОЙ ДОНО,1- нитсльпого материала и ссаждеция цд Гндложку, отличающийся тем, что, с Г,елью полу Ген(я Еле(оес, обладающих сц собностыо при облучении светом кдк услцчцвать, (ак и уменьшать оитичсскос иропускднис з;Висимоси о Пптспсц 3 остн СЕЗ(ГТс, с Тс 1 КЖС ЦОВЫЦСННой СЕ)С 01)ЗСТЕЗЦ- телыостьо, в качестве исходиго Вещества 45 осрут стеклообразный материал составаЛз Я Гглс 0,30: Т(0,45, а качсспзе дополнитсльпого материала испол ьзун)т ,ЕГ, И ИСис 1 РСЦИС ГРОВОД 51 ПРИ ТС)1 ЦСРс 3 ГРС 300 - 350 С.50 Источники информации,ЦР 1 Н 5 ГТЕ)(С ВО ЗНЦМдИС ПРЦ ЭКСЦСР;ЗС1, Холлэнд М. Нанесение тонких Пленок ВаКууМЕ. )1-.Г. ГОСЭЕСрГОЕЗдат, 1963, с. 137 - 176.2. Патснт СШЛ;о 3094395, кл. 23 - 294, 0 ублик. 1959 (прототип)./ редактор Дев крсд А. Камыщникова орректор А, Степано каз 20 Гирак 5 шспос Загорская типография Упрполиграфиздата Мособлпсполко Изд.122ВНИИПИ Государственногопо делам изобретений113035, Ж, Раушская омитета Сткрытий аб., д. 4/5