Захарченя

Номер патента: 1535922

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Воробьев, Захарченя, Иванов, Корбут, Куницкий

МПК: E02B 3/16

Метки: противофильтрационный, экран

...2, и валки 3, выполненные из деформируемого материала с образованием компенсаторов 4, Под каждым из валков 3 выполнено углубление 5 в виде траншеи, перекрытой диафрагмой 6, выполненной из пленочного или листового материала. Диафрагма закреплена к поверхности основания 2 по краям углубления 5 посредством штырей 7, шпилек и т.д.Полотнище противофильтрационного экрана между валками защищено защитным слоем, например жидкими отходами калийного производства, а на валках вторым слоем С пленочного полотнища.При создании защитного слоя, состоящего из жидких отходов калийного производства или воды, путем последовательного перелива его из одной карты в другую в валках 3 образуют канавки (не показано).Противофильтрационный экран рабо тает следующим...

Номер патента: 1469010

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Воробьев, Захарченя, Иванов, Корбут, Куницкий

МПК: E02B 3/16

Метки: противофильтрационный, экран

...снег. Полотнищепротивофильтрационного экрана междувалками защищено защитньв слоем 7,например жидкими отходами калийногопроизводства, а на валках - вторымслоем 8 пленочного полотнища. При создании защитного слоя, состоящего изжидких отходов калийного производства или воды, путем последовательногоперелива его из одной карты в другую40в валках 3 образуют канавки (не показано) .:Противофильтрационный экран работает следующим образом.Ка спланированном грунте основания 2 производят разметку продольныхосей валков 3 и симметрично относительно последних в грунте основания2 выполняют углубления 5, напримерв виде траншей, которые заполняют ма 50 териалом-наполнителем 6 из легкодеформируемого материала нли консис" тентного материала, или...

Номер патента: 1441007

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Булатов, Воробьев, Захарченя, Иванов, Корбут

МПК: E02B 7/06

Метки: грунтовая, плотина

...плотины 1 полиэтиленовой пленкой 2.В начале в тело плотины 1 отсыпается слой грунта. При этом он имеет или горизонтальную или наклонную поверхность. Затем укладывается полиэтиленовая пленка, а по ней отсыпается защитный слой из грунта толщиной не менее 0,5 м. После этого вновь отсыпается слой грунта до проектной отметки следующей ступени укладки полиэтиленовой пленки и все работы повторяются.Т. аким образом за счет армирования полиэтиленовой пленкой в виде вертикальной ступенчатой противофильтрационной диафрагмы материал тела плотины превращается из связного или сыпучего с мелкими частицами и квазисыпучий с размерами частиц равными размеру отдельных блоков образуемых пленкой. Размер блоков зависит от шага ступени диафрагмы, которая в...

Номер патента: 970989

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Гаврилюк, Захарченя, Чудновский

МПК: G03G 5/04

Метки: записи, информации, оптической, фотохромной

...из-за наличия в этом соединении сквозных каналов, по которым осуществляется его движение.Вследствие того, что в радикале -О-СН связь О-С сильно поляризована (электронная плотность оттянута на Кислород) связи С-Н в значительной фере ослабляются. Энергия связи С-Н в подобных радикалах составляет всего 85 ккал/моль. Взаимодействие электрона, прошедшего в зону проводимости из валентной зоны Ю 0 под действием кванта света с молекулами органических соединений, адсорбированными на поверхности полупроводника, приводит к разрыву С-Н связей и отщеплению атомарного водорода. Наиболее эффективными усилителями Фотохромного процесса являются метиловый спирт, этиловый спирт, диметиловый эфир, диэтиловый эфир, формальдегид, ацетальдегид, муравьиная...

Номер патента: 849941

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Андреев, Захарченя, Пыжов, Стильбанс, Чудновский, Шер

МПК: H01L 35/02

Метки: термоэлектрическое

...мощность, выделяющаясяв дополнительном резисторе ( в режиме памяти);ЙЬТ, - теплота фазового переходатерморезистора;й - интегральный коэффициенттеплопервдачи терморезистора;ЛТ - температурный интервалфазового перехода терморезистора;е - холодильный (илн отопительный коэффициент термоэлемента Пельтье (при перепадах температур в 1 или десятые доли градуса они одинаковы).Работа предлагаемого устройства состоит в следующем.В термостате 7 устанавливают температуру примерно на 1 или десятые доли градуса ниже температуры фазового перехода материала терморезистора 5.Запоминаемый сигнал подают на термоэлемент 4 так, чтобы на его рабочих спаях выделялось тепло. Это тепло повышает температуру терморезистора выше температуры фазового перехода. При...

Номер патента: 820560

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Бугаев, Захарченя, Пыжов, Стильбанс, Чудновский, Шер

МПК: H01L 35/30

Метки: термоэлектрический, усилитель

...подаютвходной сигнал Е,. При этом термоэлементповышает температуру терморезистора, ипроисходит фазовый переход его материала,Сопротивление терморезистора падает нанесколько порядков, что приводит к соответствующему изменению падения напряженияЛУ на сопротивлении нагрузки й, При изменении знака входного сигнала Е; происходит охлаждение сная термоэлемента, аследовательно, и терморезистора, что приводит к противоположному по знаку изменению падения напряжения ЛУ,Предлагаемое устройство дает такжевозможность управлять световым пучком,падающим на терморезистор, так как коэффициент отражения материала терморезистора при фазовом переходе меняется в десятки раз, При этом входная мощность, затрачиваемая на указанное управление...

Номер патента: 847356

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Алексеев, Воронин, Гальперин, Захарченя, Зорин, Кудасов, Чудновский, Штейнгольц

МПК: G11B 11/00

Метки: запи-си, излучения, интенсивности, термооптической

...устройство содержит 10 носитель 1 термооптической записи, сопряженный с термоэлектробатареей 2, тепловыделяющие спаи которого сое- , .динены с нагревателем 3. При этом нагреватель 3 подсоединен к выходам 15 блока 4 термостатированияУстройство содержит также блок 5 готовности к термооптической записи, входы которого подсоединены к термоэлектробатарее 2Входы блока 5 готовности к термооптической записи подсоединены к выходам блока б стирания, соединенного входами с блоком 7 питания.Предложенное устройство содержит кроме того, датчик 8 температуры на гревателя 3, подключенный ко входам блока 4 термостатироваиия, и датчик 9 температуры носителя 1 термооптической записи, Датчик 9 температуры носителя 1 термооптической записи З 0...