Патенты с меткой «сегнетоэлектриков»

Номер патента: 144878

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Тамбовцев

МПК: G01R 31/00

Метки: поляризации, сегнетоэлектриков, состояния, стабильности

...то при достаточно низкой частоте следования униполярных импульсов ток, идущий через конденсатор, будет весьма мал. При наличии рас144878пада состояния поляризации этот ток будет большей величины и будет тем больше, чем сильнее распад, Следовательно, величина тока в цепи сегнетоэлектрического конденсатора б будет являться мерой величины распада поляризованного состояния при постоянстве напряжения и частоты следования униполярных импульсов.При использовании отрицательно направленных сигналов направление включения диода 9 меняется на противоположное. Для эффективного восстановления постоянной составляющей амплитуда сигналов должна быть порядка 1 в, так как для меньших сигналов проводимость германиевого диода невелика.Для...

Номер патента: 218307

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Крумин, Ордена, Фрицберг, Шктц

МПК: G01R 27/26

Метки: поляризационных, сегнетоэлектриков, характеристик

...сигнала, 3 измерительная схема, 4 - импульсный вольтметр, 5 - самопишущее устройство, 6 - схема управления режимамп измерения.Ь ряду А представлены осциллограммы напряжений (К Ьв и У), подаваемых на измерительную схему, а - спнусоидальный режим, б - импульсный режим со скважностью у=1; в - импульсный режим со скважностью у=2; в ряду Б - осциллограммы напряжений на эталонном конденсаторе при соответствующих режимах измерения; в ряду В - осцилло 218307граммы петель гистерсзпса, получаемых ПО известному способу.На измерительную схему 3, состоящую из последовательно сосдппеппых испытуемого образца емкости Си эталонного конденсатора емкости С подают папряжспис опрсдссСппой формы, сформированное из с)шусоидального сигпала с помощью...

Номер патента: 388795

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Курин, Ройтберг, Сегалла, Фельдман

МПК: B06B 1/06, G01N 33/38

Метки: монодоменизации, поляризации, процесса, сегнетоэлектриков

...и монодоъгенизации, основанные на приложении к контролируемым заготовкам переменного поля,Недостатком известных способов является невозможность непрерывного контроля, а также исвозмокность точного контроля в газовой Струе.Описываемый способ не пмеет указанных недостатсов и отличается от известных тем, что в качестве воздействующего переменного поля, поляризуют тепловой поток, например, от лампочки накаливания.Способ осуществляется следующим образом. Одновременно с Высогсъ поляризуюгцм напряжением на когтролируемый элемент подается псремснпьш тепловой поток малой интенсивности, например поток от лампы накаливания, проиндуктированный стробоскопическйм устройством. Генерируемый элементбМ переменный пифоэлектричеекий сигнал через...

Номер патента: 474755

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Бронников, Буй, Павлюченко

МПК: G01R 19/22

Метки: гистерезиса, петель, сегнетоэлектриков

...Злесь С,. - исследуемый сегнетоэлсктрпк; С,Я, - интегрирующая цепь, заменяющая вместе с Р емкость, включенную последовательно с сегнстоэлектриком; Рф, - делитель напряжения;1 - осциллограф.Осциллографическая установка служит для визуального контроля получаемых петель гистерезиса. Дополнительно к установке включают устройство для измерения средних значений напряжения, состоящее из механического управляемого выпрямителя (МУВ) 2 имилливольтметра 3 с добавочным сопротивлением Я, Катушка возбуждения 1., МУВ 2 питается от фазовращателя Сфб - СзЛ напряжением 6,3 в. Цепь С,Й 8 служит для измерения мгновенных значений поля Е, при кладываемого к сегнетоэлектрику С,. Чтобы определить любое мгновенное зна. чение количества электричества в...

Номер патента: 421356

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко, Морозов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов, сегнетоэлектриков, шихта

...величина оэффициента при ко едостаточно высок лько окисл пироэлектрического мнатной температур а. Кроме того, крис- интервал температу О Тс,0,.вают, помешаютый тигель, нагреталлы имеют узкийКюри.Цель изобретениэлектрического кс слла я - увеличение пироэффициента при комнатвырашенных кристалтервала значений рав нои температуре в лах и расширение и температу.ры Кюри. исту, сую и 1 мол, 2 О Л И С А Н И Е п 11 42 хззбИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДНЕЛЬС 7 ВУ",",0 мол.%), 105,1 г МЬО.(50 мод%)тшательно смешивают, помешают в платиновый или иридиевый тигель и нагревают в+ " о индукционной печи до 1450 - оО -, при ксторой производят вытягивание кристалла по методу Чохральского. Скорость врашения затравки 2 100 об/млн, скорость вытягивания 1,5...

Номер патента: 711456

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Добровицкий, Зацаринный, Кириллов, Нежельский

МПК: G01N 27/78

Метки: доменной, парамагнитные, сегнетоэлектриков, содержащих, структуры, центры

...в резонатор с приставкой, по. зволяющий фиксировать и снимать покаэагпя об ориентации образца в постоянном магнит. ном поле, снимается зависимость спектров ЭПР от ориентации образца в постоянном магнитном поле, В большинстве случаев применяемые методы регистрации сигнала ЭПР позволяют регистрировать не сам сигнал, а его производнуй по полю. В этом случае необходимо дважды проинтегрировать полученный спектр для опре. деления интегральной интенсивности сигнала.Пример применения предложенного способа,Изучались моно и полидоменные кристаллы РЬТО, с добавлением ионов Ее . Парамагз нитными центрами являются ионы Реэ. Наэм фиг, 1 представлена, зависимость спектра ЗПР монодоменного кристалла от ориентации образца в постоянном магнитном поле...

Номер патента: 674620

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Бронников, Петров

МПК: H03H 9/15

Метки: возбуждения, колебаний, неполяризованных, образцах, сегнетоэлектриков

...характеристики можно измерять лишь после продолжительной выдержки образцов под поляризующим напряжением .Целью изобретения является сокращение времени определения пьезоэлектрических характеристик неполяризованных сегнетоэлектриков.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу на неполяризованный образец сегнетоэлектрика одновремен - но подают низкочастотное поляризующее напряжение и возбуждающее напряже. ние высокой частоты, например, равной частоте резонанса образца.Способ основан на поляризации образцов сегнетоэлектриков в течение каждого из полупериодов низкочастотного переменного электрического поля. Длительность такой поляризации, например, при использовании поляриэующего напряжения промышленной частоты (50 Гц) в тысячи раз...

Номер патента: 911660

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ермакова, Морозов

МПК: H01L 41/22

Метки: поляризации, сегнетоэлектриков

...с по тивление пленки Я выбирается такимложительным пирокоэффициентом) об- образом, чтобы обеспечить развязкуразца, приводит к более эффективной между управляющими электродами пополяризации, чем это было бы в слу- управляющему напряжению, т.е.чае использования внешнего источни" 20ка, напряжения, поскольку возникающая11ЭЧ:СЭ ВСпри нагреве пиро-ЭДС автоматическиобеспечивает поляризацию в направ- где Я - . площадь поперечного сечелении униполярности, присущей дан- ния пленки,ному образцу 1 аким образом, предла-, 25 1 - Расстовние е ДУ Дгаемый способ устраняет необходи- ми управляющими электро"мость определения направления уни- дами;полярности сегнетоэлектрического С - емкость кристалла;кристалла и позволяет достичь наибо- Г -...

Номер патента: 1056083

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Бородин, Шнейдер

МПК: G01R 31/00

Метки: гистерезиса, диэлектрического, осциллографический, петли, сегнетоэлектриков

...образце зарядаот управляющего напряжения У при периодическом изменениипоследнего дает воэможность находить величины спонтанной и полнойполяризации, дифференциальную диэлектрическую проницаемость, пороговое поле поляризации, коэрцитивнуюсилу и диэлектрические потери петли зависимости поляризации от поля в режиме управления напряжением(2.Однако при разработке конкретныхконструкций на сегнетоэлектриках,например, биморфов, пьеэотрансфор- - 60маторов, пироэлектрических датчиковвозникает необходимость в измерениии других важных параметров.Целью изобретения является обеспечение возможности измерения поля 65 переполяризации и диэлектрических потерь петли зависимости поля от поляризации.Поставленная цель достигается тем, что согласно...

Номер патента: 1157423

Опубликовано: 23.05.1985

Автор: Гейфман

МПК: G01N 24/10

Метки: поляризационных, сегнетоэлектриков, характеристик

...измерение интенсивностей линий спектра ЭПР исследуемого образца при воз" 50 действии электрического поля, исследуемый образец переводят в сегнетоэлектрическую фазу и измеряют в ней отношение интенсивностей линий спектра ЭПР, помещают дополнительный образец, аналогичный исследуемому, в изменяющееся электрическое поле, одновременно измеряют интенсивности линий спектра ЭПР дополнительного иисследуемого образцовувеличиваютнапряженность электрического полядо значения, при котором отношенияинтенсивностей линий спектра ЭПРдополнительного и исследуемого образцов совпадают, и по величине напряженности электрического .поля определяют величину спонтанной поляризации исследуемого образца,Кроме того, перевод исследуемогообразца в...

Номер патента: 1580289

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Бойкова, Розенман, Чепелев

МПК: G01R 27/26

Метки: проводимости, сегнетоэлектриков

...я-б) 1 "р (и)1= 683 10 ---- -+ 1 з-фФЕ .м откуда следует, что имея значения(- Е), Е и определив ь, можнорассчитывать с , а следовательно,Ли б (проводимость кристалла). Пироэлектрическое поле в сегнетоэлектрике изменяется по закону1,где- пирокоэффициент;5 Т - пирозаряд, являющийсяисточником поля Е, вызывающего эмиссию электронов;а - расстояние кристалл-детектор;1 - толщйна кристалла;а/1 - геометрический фактор;Я, Е - относительная и абсолютная диэлектрические проницаемости.Изменение заряда Ь с учетом экранирования будет1580289 6регистрируется детектором 6 и анализируется спектрометром 7,На фиг.2 представлена зависимостьтока эмиссии от времени, из которой и5определяют величину времени релаксациии далее по формуле+ 1 (15)6 8310 (Ч -...

Номер патента: 1813816

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Кашевич, Михневич, Цыбин, Шуть

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора, сегнетоэлектриков

...в пределах впемени раста даменай кристалла,Заявляемым способам можно также выращивать кристаллы с необходимыми параметрами чз кристаллизуемой жидкости с прилес,о, концентрация которой ниже, чем концеТрация примеси в известном способе, так как ее неоднородное распределение создает такую же униполярнасть о кристалле, как о случае однородного распределения, но с большей концентрацией примеси. Ниже приоедены кОРкратные примерыОсуществления заявляемого спОсаба. 10 15 20 25 П р и м е р 1. Проводилось выращивание кристаллов триглицинсульфата (ТГС) из раствора с примесьО 1: а-аланина в качестве добавки для стабилизации спонтанной направленной поляризации данного кристалла. Готовили насыщенный раствор ТГС с примесьо 1=а-алаР 1 ина,...

Номер патента: 751166

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Левченко, Некрасов, Сигаев

МПК: C23C 14/34

Метки: вакууме, катодного, распыления, сегнетоэлектриков

Устройство катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме, содержащее анод, катодный узел, включающий сегнетоэлектрическую мишень и систему разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, система разогрева мишени выполнена в виде металлической пластины, расположенной на сегнетоэлектрической мишени с возможностью углового перемещения.