Способ выпрямления полупроводниковых структур

Союз СоветскинСоциалистическиеРеспублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ иц 907640(51)М, Кл. Н 01 (. 21/Й 63 3 ЬФуАЗРстеенный комнтет СССР в алзм нзебретеннй н опрытнй(5 Й) СПОСОБ ВЫПРЯИЛЕНИЯ ПОЛУПР 080 ДНИКОВЫХ СТРУКТУРИзобретение относится к техноло гии изготовления полупроводниковых приборов и может быт ь использовано в электронной промышленности.Известен способ выпрямления и закрепления полупроводниковых структур при вскрытии монокристаллицеских островков кремния, основанный на нанесении слоя воска на подогретую полировальную головку, прижатии структуры к слою воска и охлаждения слоя воска совместно с полировальной головкой и прижатыми к ней структурами 11.Из вест ный способ не обе с печи вает полного выпрямления структуры, кривизна которой вызвана различием коэффициентов термического расширения ее слоев, так как велийна силы прижатия структур не регламентирована. Это приводит к неравномерному вскрытию монокристаллицеских островков.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ выпря мления полу про водни ко выхструктур перед сошлифовкой монокристаллического кремния до разделительных канавок, включающий приложение кст руктуре равномерно р ас пределе нного5по площади усилия, допускаемого пределом ее прочности 21.Данный способ также не учитываетвлияние динамики приложения силы.10Нгновенное приложение или снятие до"пустимой нагрузки нередко гриводитк разрушению структуры из-за повышенной концентрации напряжения в дефектных точках монокристаллического слоя,15цто снижает выход годных изделий.Цель изобретения - повышение выхода годных изделий,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу выпрямления полупроводниковых структур, основанномуна приложении к структуре равномернораспределенного по площади усилия,к структуре прикладывают равномерноизменяющееся давление с помощью пне"вматического пресса, причем макси"мал ь но допу сти мую с корост ь изменениядавления определяют из соотношения- К 0,01 е Р воздуха в се давлениекг/смплощадь сверстия в чения входного от 2 камеру пресса, см; свободного паде ускорение ния, см/с лучаемый от давл напор, по ния, Р, с объем кам 3 15ры пресса, см; 55 Р 5 Г 2 д 1 К - коэффициент сопротивлениядиафрагмы в камере пресса,равный 0,01 - 0,02.Скорость перераспределения напряжений в структуре в основном определяется дефектностью и толщиной моно"слоя и устанавливается опытным путем. После полного выпрямления структуры величина прилагаемого давленияможет возрастать до предела прочности на снятие прокладки, котораяспособствует равномерному распределению нагрузки по всей площади, Приснятии структуры с оправки рсль замедлителя изменения напряжения вструктуре играет медленно разогреваемый воск, которым приклеиваетсяструктура,Способ позволяет учесть динамику 35прила гаемо го у силия, котора я от рицательно влияет на процесс,П р и м е р . На подложку монокристаллического кремния с разделительными канавками диаметром 40 мм 40и толщиной 400 мкм из кремния маркиКЭ 4 Л,5 - 3 А наносят слой двуокисикремния толщиной 2 мкм, а поверхнего - слой поликристаллическогокремния толщиной 200 мкм, Полученные многослойные структуры в количестве 8 шт, помещают на разогретуюоправку со слоем воска монокристаллической частью вниз. Оправка устанавливается на ожидаемую плиту и 50через упругую прокладку осущесте яют давление йневмат и чес ки м способом,Максимальная скорость изменения(роста) давления для этого случаясоставляет= 0,00 У 3 - "2000 смса время роста 2, 3 мин, по истечении которого максимальная сила составляет 300 кг. После приложения силы подача воздуха в пневмокамеру пресса прекращается и в этом состоянии подложки выдерживает до остывания оправки и слоя воска на ней до нормальной температуры. Затем сошлифовывается слой со стороны поликристаллической части с целью создания поверхности поликристаллического слоя, параллельной поверхности монокристаллического слоя и поверхности диэлектрика. Далее нагревают оправку и сила, с которой воск удерживает структуру, медленно ослабевает, не допуская разрушения структуры, Структуры наклеивают аналогичным образом поликристаллической частью вниз и снимают слой монокристаллического крепния до вскрытия островков его. Исп соба 3 вание мит по ьзование предлагаемого спочительно сокращает разламыруктур при наклейке и эконопроводниковй материал. ормула изобретения Р - давление воздуха вкг/см;5 - площадь сечения вховерстия в камеру пр0 - ускорение свободногсм/с;и - напор, получаемый ония Р, см;Ч - объем камеры пресса ого отса, см; падения Т двле Способ выпрямления полупроводниковых структур, основанный на приложении к структуре равномерно распределенного по площади усилия, о т л и чающий с я тем, что, с целью повышения выхода годных изделий, к структуре прикладывают равномерно изменяющееся давление с помощью пневматического првсса, причем максимально допустимую скорость изменения давления определяют из соотношения907640 с. Авторское свидетельство СССР Г 382174, кл. Н 0121/463, 1972Заказ 604/62 Тираж 758 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 5К - коэффициент сопроти влениядиафрагмы в камере пресса,равный 0,01 - 0,02. Источники информации,прщятые во внимание при экспертизе