Способ изготовления интегральных полупроводниковых схем

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕ Н ИЯК ПАТЕНТУ Союз СоветскихСоциалистическихреспублик п,912065(51) М, Кл,(23) Приоритет - (32) 16.11.76 Н 01 1 21/82 1 оеударстееиый кеиитет СССР по делаи изебретеиий и открытий(088.8) Дата опубликования описания 07.03,82 Иностранцы Хорст Х. Бергер и Зигфрид Курт Видманн(72) Авторы изобретения Иностранная фирма(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СХЕМИзобретение относится к электронике,а именно к способам изготовления инжекцион ных интегральных схем.Известен способ изготовления интегральных схем путем создания двух легированныхобластей через общее отверстие в маске 1.Недостаток такого способа . заключаетсяв невозможности создания интегральных схемс инжскционшям питанием.Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления интегральных схем,включающий нанесение на подложку первогомаскирующего покрытия, фотолитографиювсех окон, нанесение второго защитного покрытия, вскрытие требуемых окон в первомзащитном покрытии, легирование базовых,змнттерных и коллекторных областей и металлизацню 12).Недостаток известного способа заключает.ся и невозможности создания интегральныхсхем с инжекцнонным питанием, в которыхконтакт к базовой области осуществляется через области присоединения базы,Пель изобрегепи упрощение способаи повьппение плогносгн упаковки элементов. Поставленная цель достигается тем, чтов способе изготовления интегральных полупроводниковых схем, включающем нанесение .наподложку первого маскирующего покрытия,фотолитографию всех окон, нанесение второгозащитного покрытия, вскрытие требуемыхокон,в первом защитном покрытии, легиро.ванне базовых, эмиттерных и коллекторныхобластей и металлизацию, легирование при О месью первого типа приводимости для создания областей управления. базовой, базовых областей и областей подключения базы осуществляют после фотолитографии всех окон впервом маскирующем покрытии.1 я П р и м е р, На кремниевой подложке 1(фиг, 1) с эпитаксиальной пленкой 2 наносятпервое диэлектричесКое покрытие 3, напримериз двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм,Затем проводят вскрытие всех окон 4 яц (фиг, 2) методом фотолитографии дпя созда.ния областей базы, областей управления базойи областей подключения базовых областей, т.е.инжекторы, вторичные инжекторы. Далее про.водят легирование примесью р-типа, например 2 Ь бором 5 .(фиг. 3) методом диффузии или1 Н 1 И 111 :Мкад 1 379/54 Гираж 758 одпигное 1 фичнаи 11 ПЦ "1 Ьфсни", г. Ужгород, ул. Проектная,з 9120ионного легирования, создавая области Р 1, Р 2и РЗ, оследующим окислением выращиваютокиссл 6 в окнах толщиной порядка 0,1 мкм,вновь наносят изолирующее покрытие 7 (фиг.4),в котором вскрывают фотолитографией окно8,.некритичное по своим размерам (так называемая черновая маска), Через эт маскуудаляют тонкий окисел над областью РЗ путем жидкостного травления. Затем маску 7удаляют, проводят легирование примесью оп-типа, например диффузисй фосфора и повторным травлением удаляют тонкий окиселнад областями Р 1 и Р 2 (фиг, 5),Предлагаемый способ позволяет упооститьизвестный за счет одновременного созданияобластей первого типа пооводимости и снижения требований к совмещению, имеющем место при многократных фотолитографическихоперациях. В свою очередь, единая маска поз.воляет максимально приблизить элементы интегральных схем, позволяя существенно повысить плотность компановки, а слецовательно,и степень интеграции.Некритичная по размерам маска длявскрытия эмиттсрных или коллекторных областей позволяет осугцествлять фотолитографию без точного совмещения, что даже упрощает способ, а слецовательно, снижает затраты на изготовление интегральных полупроводниковых схем с инжекционным питанием. формула изобретения Способ изготовления интегральных полупроводниковых схем, включающий нанесениена подложку первого маскирующего покрытия фотолитографию всех окон, нанесениевторого защитного покрытия, вскрытие требуемых окон в первом защитном покрытии, легирование базовых, эмиттерных и коллекторных областей и метилизацию, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью упрощенияспособа и повышения плотности упаковки элементов, легирование примесью первого типапроводимости для создания областей управления базой, базовых областей, и областей подключения базы осуществляют после фотоли.тографии всех окон в первом маскирующемпокрытии,Источники информации,принятые во внимаиие при экспертизе1, Патент ФРГ У 1789055, кл, 21 и 11/02,опублик. 1978,2. Заявка ФРГ Х 2419817,кл. 21 ц 11/02,опублик. 1974 (прототип).