Лыскович
Актинометр
Номер патента: 1013411
Опубликовано: 23.04.1983
Авторы: Бондарь, Драган, Караван, Лыскович
МПК: G01J 1/50
Метки: актинометр
...сохра.нятся в темноте).Целью изобретения является повышение 25 точности и оперативности измерения.Поставленная цель достигается тем, что вактинометре, содержащем приемник нзлуче.ния на основе фотохимического реагента ииндикатора, дополнительно введена вакуумированная камера, выполненная в верхнейчасти из стекла, а в нижней части из кварца, в качестве фотохимического реагента лиспользованы слоистые кристаллы галоид.ных соединений кадмия или свинца, приемник излучения расположен в нижней части вакуумнрованной камеры наклонно исследуемому излучению, а индикатор выполнен в виде кварцевой подложки с электрическими контактами, расположенной в верх.ней части вакуумированной камеры и соеди 40ненной с частотомером, причем расстояниемежду...
Способ получения серы, свободной от электростатических зарядов
Номер патента: 998329
Опубликовано: 23.02.1983
Авторы: Бондарь, Бролинский, Дацко, Лыскович
МПК: C01B 17/02
Метки: зарядов, свободной, серы, электростатических
...на нем электрических зарядов (токау. Поляризацию осуществляют при облучении образца светом с длиной волны 260 нм во внешнем постоянном электрическом поле напряженностью 1 О 100 В/мм в течение 3 мин, при этом в образце создается устойчивая электрическая поляризация. Затем образец подсоединяют к электрометру ИТНи измеряют величинувнутреннего электрического поля в зависимости от длины волны облучения из видимой области спектра одинаковой интенсивности. Разрядка образца светом наиболее эффективно и быстро происходит при облучении его светом с длиной волны 470-480 нм. В течение 2 мин после такого облучения ток .разрядки уменьшается практически до нуля и при повторном измерении электрическая поляризация образца не обнаруживается, что...
Фотоэлектрический анализатор
Номер патента: 911657
Опубликовано: 07.03.1982
Авторы: Бондарь, Глосковская, Лыскович
МПК: H01L 31/08
Метки: анализатор, фотоэлектрический
...Су имеетструктуру, образованную тройнымислоями-сендвичами З-И-Л,5которые периодически повторяются.Внутри слоя действует ионно-ковалентные силы, а между слоями - силыВандер-Ваальса, Это создает слоистуюструктуру с базистой плоскостью ф(плоскостье скола) вдоль сендвичей,Ось С кристалла ориентирована перпендикулярно к базистой плоскости.Максимум спектральной чувствитель. ноСти кристаллов типа Дф В" нахо- фдится в ультрафиолетовой областиспектра: для СЮ" это область 300400 нм, а для СЙВг - область 260350 нм. Кристаллы СсЦ 2 и ЯВгфоточувствительны также и в инфракрас- Звной области спектра 500-1300 нм.При определенной ориентации кристалла, а именно когда направлениевозбуждающего света перпендикулярно оси С кристалла, величина фотото- ззка...
Шахтная печь для выращивания кристаллов методом киропулоса
Номер патента: 151673
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Беликович, Вайданич, Кулик, Лыскович, Спитковский
МПК: F27B 1/10
Метки: выращивания, киропулоса, кристаллов, методом, печь, шахтная
...от я печь имеет киаметром 40 - 502 - 3 мм) к перином нагревателещиваемых кристдлагаемая шахтная печь предназнов люминофоров Иа 1 Те и Сз 1(Те) дропулоса. Подобно известной, онаревателями. Донный нагревательтолщина которой в центре составлшается до 12 - 15 лм. Диафрагмаметром 40 - 50 мм. Применение дианомерную скорость роста кристаллоптически прозрачные кристаллыхорошими сцинтилляционными хара ерамиче мл. Т иферии , Благо аллов. Диа- чиям выращив 0 - 130 мл ковым и ическуюи к пер альное о оляет об воз мож;30 и выс чена для иаметром 12 снабжена бо имеет керам яет 2 - 3 мм имеет центр фрагмы позв ов, что дает диаметром 1 ктеристика ми кристалл тодом Ки ным наг фрагму, рии повь стие диа чить рав получить 60 мм с анияме- дон- диа- ифе- твер-...