Лупачева

Номер патента: 1604838

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Лупачева, Мельников, Тютюнник

МПК: C11B 9/02

Метки: склареола

...нз окиси алюминия и элюированиовьк эфиром и отгонку рясттабл. та целевого продук зованчя ядсорбцион ческого склареола диэтиловым эФирам.П р и м е р. От ного экстрягьруют растворителем (экс ном), пол 1 чая экст сухих ве 1 еств 15 Х, ракт обрабатывают3 1 б 04838 4 Формула изобретения Потери склареола, 7 Т.пл,Способ получения 20-52 99-100102-1 03 ИзвестныйПредлагае 1-2, 2 30 Составитель В, ГордеевТехРед М,Ходанич Редактор Н. Яцола Корректор А.Осауленко Заказ 3434 Тираж 357 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 4Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 хлорица кальция в 853-ном этаноле и отделяют...

Номер патента: 1305682

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Буянов, Лупачева, Потехина

МПК: G06F 11/14

Метки: сбоев, фиксации, эвм

...фиксации всех сбоев,и в режиме выделения первого сбояважно знать достоверность информации,30считанной с выхода 30 устройства. Втом случае, если в регистре 1 сбоевимеются неисправные разряды, эта информация может затруднить операторуили ЭВМ поиск неисправности. 35Для того, чтобы быть уверенным всчитанной информации о сбое, в устройстве после каждого считывания информации с регистра 1 сбоев можноорганизовать его проверку двумя контрольными константами,Контрольные константы хранятся надвух регистрах 10 и 11 (выполнениеРегистров может быть любым: на тумблерах, на триггерах и т.д.). 45 682416 устанавливается в единичное состо-. яние,Кроме того, сигнал включения контроля устанавливает в нулевое состояние триггер 15, чтобы не пропускатьво...

Номер патента: 646389

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Гимельфарб, Коробов, Лупачева, Маслов

МПК: H01L 21/36

Метки: градиентом, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, состава, эпитаксиального

...вдвух направлениях; собственно варизонныйэпитаксиальный слой 8,Таким образом,роцесс наращивания варизонного слоя складывается из трех этапов: наращивание в течение времени т, буферного слоя (фиг, 1, а); наращивание пере.ходцого слоя в течение временит переходного слоя переменного состава в двух направлениях из перемещающегося составного источника переменного состава (фиг. 1, а );наращивание собственно варизоцного слояв течение времени тв из неподвижного источника переменного состава (фиг. 1, б).Согласно предлагаемому способу выращивацце эпитаксиальной структуры с градиентом состава в плоскости роста эпитаксиального слоя производят при использовании твердого источника с градиентом состава по поверхности, скомпонованного в графитовом...

Номер патента: 605357

Опубликовано: 25.11.1978

Авторы: Коробов, Кудеярова, Лупачева, Маслов, Мясоедов

МПК: B01F 17/06

Метки: выращивания, эпитаксиального

...изменения состава эон н кассете с загруженным источником вдольодного направления его рабочей поверхности.Источник 1 располагают в кассете 2которая установлена в блоке 3. Подложка 4 для выращивания слоя расположенав блоке 5, Оба блока располагают вреакторе параллельно друг другу с зазором. В процессе осаждения слоя систочника на подложку перенос осуществляют транспортирующим газом, напримерводородом, поданаемым в зазор.Источник компонуют в углубленияхкассеты 2, которые имеют глубину 3 мм,20 полосовых эон шириной 1,5 мм иобщую протяженность 10 мм.Общая рабочая поверхнрсть источника составляет 10 х 30 ем",Зоны располагают в источнике последовательно в порядке возрастания содержания С ее б от С 3 бнс 15 е 099 доСе 16 двбве,4 .Наращивание...

Номер патента: 529697

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Коробов, Лупачева, Маслов, Мясоедов

МПК: H01J 21/20

Метки: источник, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, твердый, эпитаксиального

...состава, причем направление градиента состава будет перпендикулярно направлению перемещения источникаотносительно подложки, а содержание компонента В на расстоянии х от края подложки будет определяться отношепиемФК хЬ35при х=0 содеряание Р=0%;х=/г содержание Р = 100%,Скорость перемещения источника Ъ относительно подложки при данном соотношении переносимого количества компонентов 40должна обеспечивать создание на подложке моноатомного слоя твердого раствора.При наличии двух или 21 г зон источникавремя пребывания подложки под зоной источника, соответствующей содержанию х% 45одного компонента, равноЬКх -Ра время преоывания под всем источникомЬо --Рне должно превышать времени, требующегося для перехода в газовую фазу одного...

Номер патента: 483995

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Лебедев, Лупачева, Смолин, Ухабин, Шкребтан

МПК: B01D 53/16

Метки: газов, извлечения, углеводородных, фракции

...5,0 3,2 изин Галошами есь МДГП и МТГП в соотношении 2:1,7 ет изооретения 0 Способфракцииским сорбс цельюсти реге5 абсорбентрана и мс азов ичечто, бностве опилеводород бсорбции ющийся тительнойсорбента, весь метилдпирана. извлечения уг С 4 и Сз путем а ентом, отлича повышения погло 1 ерировапного а используют см тплептетрагидро ыхоргатемспоскач1 ГИД Изобретение относится к области извлечения углеводородных газов и может быть использовано в нефтехимической промышленности, например в производстве изопрсна методом синтеза через изобутилен и формальдегид.Известен способ извлечения углеводородных газов фракции С 4 и С 5 путем абсорбции с использованием в качестве абсорбента бензина Галоша. При этом низка поглотительная способность регенери...

Номер патента: 211491

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Комаров, Лупачева, Оберемок, Шиверских

МПК: B21B 45/02

Метки: труб

...ганг для установки и перемещения трубы.Предложенная установка отличается от известной тем, что она снабжена рабочей голов:кой для внутренней очистки трубы, закрепленной на криволинейной штанге, радиус которой равен радиусу гиба обрабатываемой трубы, и имеющей возможность перемещения по направляющим, выполненным в штанге, при этом рольганг также выполнен криволинейным с указанным радиусом кривизны.Это позволяет осуществлять очистку изогнутой трубы, имеющеи по концам прямые участки, как по внутренней, так и по наружной поверхностям одновременно. 1-1 а фиг. 1 изображен общженнсп установки; на фиг. 2наружной очистки; на фиг. 3ренней очистки; на фиг. 4 -ренней очистки.Установка состоит из рольгаоргана наружной очистки трубштанги 3 с приводом,...