Полевой транзистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОееСКОМУ СВИДЕТИЛЬСТезУ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл.Н 01 Ь Заявлеио 01.1 121) 2537 101/18-2 8/7 6 осударстеенный комет СССР ао делам нэооретеннй н отнрытнй(23) Приоритет -Изобретение относится к полупроводниковым приборам, и частности к интеграль-ным схемам, Наиболее эффективно оно может быть использовано при построениибольших интегральных схем, логических изапоминающих устройств, 5Известен полевой транзистор с затворомв виде выпрямляющего перехода металлполупроводник ,Наиболее близким к изобретению по технической сущности является полевой транзистор с затворными областями, расположенными на поверхности подложки и вы.полненными в виде перехода металл-полупроводник, со стоковой областью, расположенной между затворными областями, и систоком 21,.15Известные конструкции полевых транзисторов имеют существенный недостаток,заключающийся в относительно малой ширине стоковой области и большом сопротивлении растекания тока стока, что ограничи-вает величины коммутируемых приборам токов и в результате ограничивает быстродействие прибора. Кроме того, реализацияприбора обуславливает повышение требований к минимальным размерам окон на фотошаблоне и к разрешающей способнос. ти фотолитографических операций,Цель изобретения - увеличение быстродействия полевого транзистора,Эта цель достигается тем, что в подложке на расстоянии введения в область стока от поверхности,не превышающем толщины слоя объемного заряда выпрямляющего контакта затвор-исток, расположена дополнительная область противоположного подложке типа проводимости таким, образом, что ее проекцйя полностью перекрывает контакт стоковой области г. подложке.На чертеже изображен полевой транзистор, имеющий область истока 1, омический контакт 2 области стока, затворные области 3, дополнительную область 4 противоположного истоку типа проводимости и область канала 5.В предложенной конструкции область канала 5 перекрывается слоем объемного заряда затвор-исток перехода, выполненного в виде диода Шоттки, когда на затворе имеет место отрицательный или нулевой (по отношению к области ) потенциал, Когда646391 3в области 3 приложен продолжительный потенциал, то область объемного заряда уменьшается и между истоком 1 и стоком 2 имеет место гальваническая связь,Уменьшение длины канала в предложенном транзисторе достигается посредством расположения краев области 4 и области 3 в одном вертикальном сечении. В, данкой структуре ширина области 2 может быть выбрана достаточно большой и, следовательно, транзистор имеет малое последовательное сопротивление между истоком и стоком, Это позволяет использовать прибор для коммутации токов относительно больших величин и, следовательно, уменьшить время переходных процессов паразитных емкостей.Транзистор может быть изготовлен по обычной технологии, принятой при "производстве полуп 1.эводниковых приборов и интегральных схем.20 формула изобретенияПолевой транзистор с затворными областями, расположенными на поверхности подложки и выполненными в виде перехода металл-полупроводник, со становой областью, расположенной между затворными областями, и с истоком, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в подложке на расстоянии от поверхности, не превыц/ающем толщины слоя объемного заряда выпрямляющего контакта затвор-исток, расположена дополнительная область противоположного подложке типа проводимости таким образом, что ее проекция полностью перекрывает контакт стоковой области в подложке,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1, Патент США3804681, кл. 148 в 1, 1974,2. Авторское свидетельство СССР602055 кл. Н 01 Е 27/04, 06,01,77,Редак Заказ Ж. Рошкова42ОНИИПпП 3035,филиал . ПП Составитель О. ФедюТехред О. ЛуговаяТираж 922Государственного ком итетаделам изобретений и откосква, Ж 35, Раушская нПатент, г, Ужгород, ул инаКорректор В. КуприяноПодписное СССРытнйб., д. 4/5Проектная, 4
СмотретьЗаявка
2537101, 01.11.1977
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2892
НАЗАРЬЯН АРТАШЕС РУБЕНОВИЧ, КРЕМЛЕВ ВЯЧЕСЛАВ ЯКОВЛЕВИЧ, ЛАВРОВ ВАДИМ ВАЛЕРЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 29/812
Метки: полевой, транзистор
Опубликовано: 05.02.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-646391-polevojj-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полевой транзистор</a>
Устройство для герметизации области повышенного давления в текучей среде между основанием аппарата и опорной поверхностью
Номер патента: 671714
Опубликовано: 30.06.1979
Автор: Франси
МПК: B60V 1/00
Метки: аппарата, герметизации, давления, между, области, опорной, основанием, поверхностью, повышенного, среде, текучей
...каждая перегородка 8 области Б й каждая перегородка 10 в области В образуют вместе с основанием 1 камеру Д, сообщенную с атмосферой и трубопроводом 4; Кроме того, трубопровод 4 может быть выполнен с распылителем 11, регулируемым по высоте и сообщенным с резервуаром 12,Прй работе нагнетателя 3 текучая среда подается Йб трубопроводу 2 в область В, из которой через зазор под перегородками 10 эта текучая среда попадает в камеры Д. Одноврейейно источник 6 нагнетает воздух в области Б под давлением, обеспечивающим поступление одной его части через зазор ПОд перегородками 8 в камеры Д, а другой части - в атмосферу через зазор под перегородками 7. При этом потери текучей среды в область Б исключаются.Попадающие в камеры Д текучая среда и...
Авторегулируемый формирователь напряжения записи для электрически программируемых постоянных запоминающих устройств на кмоп-транзисторах
Номер патента: 1631606
Опубликовано: 28.02.1991
Авторы: Груданов, Сидоренко, Хоружий
МПК: G11C 17/00, G11C 7/00
Метки: авторегулируемый, записи, запоминающих, кмоп-транзисторах, постоянных, программируемых, устройств, формирователь, электрически
...5 модуляции стокового напряжения записи уменьшается до величины, при которой через транзистор 5 на сток транзистора 8 с плавающим затвором передается напряжение, равное напрякению лавинного пробоя р-и-перехода стоковой области, Одновременно напряжение с коллектора транзистора 11 подается на шину 14 выходного сигнала, которая соединена с затвором соответствующих ключевых транзисторов (идентичных транзистору модуляции стокового напряжения записи), которые обеспечивают передачу через последующие цепи дешифрации столбцовых шин на сток выбранных ячеек памяти накопителя напряжения записи, равного по величине напряжению, воздействующему на сток транзистора 8 с плавающим затвором. Таким образом, стоковое напряжение записи ячеек памяти...
Элемент памяти
Номер патента: 1472946
Опубликовано: 15.04.1989
Автор: Орловский
МПК: G11C 11/40
...Над ячейкой устанавливается источник постоянного магнитного поля так, чтобы вектор магнитной индукции В был параллеллен плоскости плавающего затвора. Так как ток утечки представляет собой направленное движение электронов со средней скоростью 7, на них действует сила Лоренца которая смещает электроны рс плавающему затвору. Плавающийзатвор.захватывает электроны до тех пор, пока образовавшееся электростатическое поле не достигнет значения, уравновешива 1 ощего действие силы .Лоренца,Исходное пороговое напряжение запоминающего транзистора 1,8-2,0 В (при отсутствии заряда на плавающемфОГ Я Составитель Л.АмусьеваЛ.Веселовская Техред А.Кравчук Корректор Л,Зайце Редакт 717/50 Тираж 558 ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и...
Интегральный инвертор
Номер патента: 519102
Опубликовано: 30.01.1979
Авторы: Ержанов, Кремлев, Лебедев
МПК: H01L 27/00
Метки: инвертор, интегральный
...р - и - р-транзистора (фиг. 1) подключается к положительному полюсу источника тока питания, базовая область 2 заземляется, Заземляется и отрицательный полюс источника тока питания. Электрод б (вход инвертора) подключается к источнику входного сигнала, электрод 7 (выход инвертора) - ,к цепи нагрузки. Обозначим логическим 0 состояние замыкания данного электрода на землю (низкий положительный потенциал 0 - 0,1 В), логической 1 - состояние отсутствия замыкания данного электрода на землю (высокий положительный потенциал, равный прямому падению напряжения на р - л-переходе, т. е.0,5 - 0,7 В для кремниевого прибора).При подаче сигнала логического 0 на электрод б (вход прибора) на затворной области 3 вертикального переключательного...
Программируемый постоянный запоминающий элемент
Номер патента: 665327
Опубликовано: 30.05.1979
Автор: Овчаренко
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающий, постоянный, программируемый, элемент
...слое диффузионную эмиттерную область, подключенную к подложке и образующую с диффузионной с истоковой областью МД 11- транзистора биполярный транзистор.На фиг. 1 изображен предлагаемый запоминающий элемент; на фиг, 2 - запоминающий элемент с диффузионной эмиттерной областью в полупроводниковом слое,Запоминающий элемент содержит подложку 1, полупроводниковый слой 2, диэлектрический слой 3, разрядную шину 4, диффузионные стоковую 5 и истоковую б области МДП-транзистора, затвор 7 которого соединен со словарной шиной.В полупроводниковом слое 2 может быть расположена диффузионная эмиттерная область 8 биполярного транзистора, базой которого является полупроводниковый слой 2, а коллектором - диффузионная истоковая область...
Предыдущий патент: Спутник-носитель для транзисторов
Следующий патент: Способ управления выходным напряжением в пьезополупроводниковом преобразователе
Случайный патент: Устройство для обработки ферромагнитным порошком пластин магнитопроводов электрических машин