Способ определения глубины залегания -перехода

Номер патента: 1283874

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Пригожин, Скуратов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: встроенного, глубины, залегания, канала, концентрации, мдп-транзисторов, примеси, р-п-перехода

...потенциалов между встроеннымканалом и подложкой;Е- концентрация примеси вподложке.Начальное значение р быпо выбрано равным 900 см /В с.Значение констант в формупах (1)и (2) таковы:- 1 610 Кл= 12 о8 85 10 Ф/см, Ц = 0 7 В.Расчет привел к значениям К6 -Эс2,45 10 см, Х = 0,43 мкм.По графику эавнсймости(И,)для кремния находят значение шсоответствующее полученному значению И, : р = 1140 см /В с,Подставляют это число в формулы(1) и (2), проводят расчет вновь иполучают М = 1,710 см , Х0,45 мкм.Дальнейшие итерации не проводятк. заметному изменению результатов.При этом измерения по способу-прототипу заняло около трех часов, тогда как измерения предлагаемым способом были выполнены в течение10 мин,Формула изобретения Способ определения...

Номер патента: 1728900

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Абрамов, Гурова, Макеев

МПК: H01L 21/26

Метки: концентрации, кремниевых, легирующей, примеси, профиля, структурах, эпитаксиальных

...график распределения концентрации носителей заряда+для структур типа и - и - и, иллюстрирующий предлагаемый способ,П р и м е р. Измерение профиля концентрации мышьяка осуществляют на электрохимическом профилометре в кремниевыхструктурах и - и - и, изготовленных методом газофазной эпитаксии. Травление и измерение емкости проводят в стандартнойячейке, состоящей из резервуара для электролита и прижимного устройства, создающего контакт к обратной стороне образца.В качестве электролита используют 2-З ный водный раствор НЕ:НМОз:Н 202=1:1:1,В процессе травления к барьеру Шотткиприкладывают напряжение смещения 1-2В, измеряемая плотность тока травления1-3 мА/см . Измеряют емкость барьераШоттки полупроводник-электролит при напряжении...

Номер патента: 626713

Опубликовано: 30.09.1978

Авторы: Тадахару, Хадзиме

МПК: H01L 29/70

Метки: полупроводниковый, прибор

...слоя Р-типа проводимости. Области 5, 16 и 22 созданы метолом диффузии..50В варианте, показацном,на фиг. 4, дополнительная область примыкает к области 7 ц области 8 базы. Базовый электрол может наноситься не только на области 7 базы, цо ц нд дополнительную область 30.В варианте по фиг. 5 нд цновсрхцосги сла оо легированного слоя 4 эмцттерд р зчещаетс 5 Л 011-срчктчр(мстг-Окцсг-цогъ и роцолцик .уцрвгяоццц ,скгр. 631, цпоц.снцый о алюминия, ц слой 32 двуокиси Г рсчцця вч(стс со слоем 4 эчиттерд Обр,.( к)т МОП-струит ру. Прц прГклалы );ниц здрднее выбранных значений ндпряж(цця к уцрсвл 5 оцс)у эгектролу 31 цод ц Г, роцьц) слоем 32 процсхолцт образовне барьер 3 . СЛОЙ 32 называется тдкм(е цц(рс,ым слосч, облдстькэ истовения цлц Г)Г.Г "Ь...

Номер патента: 669995

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Иванов, Толстых

МПК: H01L 21/22

Метки: свч-транзисторных, структур

...структуры, средней части, а также последующую диф- .. Кремниевую пластинус эпитаксиальной фузию для создания эмиттерной области,. 40 пленкой 1 п-типа проводимости подвергают После окончания первой. стадии базовой термическому окислению в комбинировэн-. диффузии осуществляют локальное удале- ной среде увлажненного водяными парами ние боросиликатного стекла в местах буду- кислорода или в среде азота, аргона и сухого щего расположения эмиттера, затем ведут кислорода при 1100-1200 С до получения вторую стадию в окислительной атмосфере. 45 окисла 2 толщиной.не менее 0,45 мкм, масЗа счет перехода сильнолегированного . кирующего от последующей диффузии, В поверхностьюслоякремниявокиселдости- выращенной пленке вскрывают. окна под...

Номер патента: 124648

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Ковалев

МПК: G01V 1/143

Метки: возбуждения, волн, глубинного, поперечных, сейсмических, способа, ударного, этого

...положении боек фиксируется спусковой гребенкой. При последующем движении взводного штока сверху вниз взводные гребенки возвращаются в первоначальное положение без сцепления с бойком, При повторном движении взводного штока снизу вверх взводные гребенки входят в зацепление с бойком и отводят его в следующее фиксированное положение. Для полного взвода бойка необходимо произвести несколько движений взводного штока снизу вверх, при этом боек проходит через несколько фиксированных положений. Спуск бойка из любого фиксированного положения производится подъемом спускового штока, который вначале через подъемные рычаги поднимает взводные гребенки, а затем спусковую гребенку. Освобожденный боек под действием спиральной пружины производит удар по...