Лазаревская

Номер патента: 1673651

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Комарова, Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин, Цур

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, окрашенных, оксида, цинка

...из печи и затем открывают и извлекают из него вкладыш, Вкладыш раскрывают, вынимают выращенный кристалл,промывают его дистиллированной водой от 10следов щелочного раствора, высушивают ивзвешивают,Получают прозрачный кристалл оксидацинка краСно-оранжевого цвета, ограненный двумя моноэдрами, призмой, пирамидой, массой 3,4 г.П р и м е р 2. Основные параметры ростасоответствуют примеру 1. Для окрашиваниякристалла в красно-оранжевый цвет используют оксид марганца в концентрации 200,01 масПолучают прозрачный слабоокрашенный в красноватый цвет монокристалл оксида цинка.П р и м е р 3. Режимы роста соответствуют примеру 1, концентрация оксида марганца в растворе 3 масПолучают непрозрачный темно-красного оттенка монскристалл оксида...

Номер патента: 1668495

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: лазеров, монокристаллов, оксида, цинка

...выращенном в данных условиях, возрастает по сравнению с исходным образцом, полученным без добавления металлического цинка в шихту, в 3 раза.П р и м е р 2. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но шихту вводят 2,3 мас.% металлического цинка, Усиление ЭФЛ составляет около 2.П р и м е р 3. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но в шихту вводят 4 мас,% металлического цинка. Интенсивность ЭФЛ меньше, чем у исходных монокристаллов, выращенных без добавления цинка в шихту.На графике показаны спектры фотолюминесценции при лазерном возбуждении (ЛГИ) и Т=80 К кристаллов ЕпО, полученных гидротермальным методом из необогащенной (кривая 1) и обогащенной ионами цинка среды: кривая 2 - с добавкой 2,3 мас.%...

Номер патента: 647769

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Белогуров, Кобяков, Кузьмина, Лазаревская, Лобачев, Падо, Пустовойт, Токарев, Шладин

МПК: H01L 41/00

Метки: пьезоэлектрический, элемент

...таких пъезоэлектрических элементов являются сильнаятемпературная зависимость коэффициентов электромеханической связи,возникновение проводимости в областивысоких температур, наличие фазовыхпревращений, разрушение материала,старение сегнетоэлектрических керамнк и т.д.Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому изобретениюявляется пъезоэлектрический элемент,выполненный из материала, устойчивого к разрушению при нагревании и резких перепадах температур, к которомуотносится, например, ниобат лития 21Высокая температура фазового перехода (Т " 1500 К) и удовлетворительЦель достигается тем, что предламый пъезоэлектрический элемент"оставитель Е. АртамоноваТеред Л. АлФерова Корректор Л. Небола Редактор Л. Батанова Заказ 327/4...

Номер патента: 442827

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Кузьмина, Лазаревская, Лобачев

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, гидротермального, монокристаллов, окиси, цинка

...укрупнение мелкодисперсной окиси цинка и ооразуются мелкие кристаллики ХпО, в дальнейшем питающие раствор. Такая схема составления шихты позволяет избежать образования многочисленных нежелательных центров кристаллизации и одновременно значительно упрощает и ускоряет процесс насыщения раствора, позволяя исключить предварительную стадию и сразу создавать в автоклаве нужные условия для роста на затравку.Растворителем служат растворы едкого натрия, едкого калия концентрацией 10 - 15 М, содержащие 1 - 3 моль 1.ЮН, 0,1 - 0,4 моль ХН 4 ОН марок х. ч., ос. ч.,Для повышения удельного сопротивления получаемых монокристаллов в шихту вводят КС 10 з,КМп 04, АягОг и другие окислители.Затравками служат кристаллы окиси цинка, полученные в...