Патенты с меткой «наносекундного»

Номер патента: 308521

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Железн

МПК: H03K 19/21

Метки: диапазона, наносекундного, совпадений, схема

...3; б - сопротивление Яз; 7 - сопротивление Я,; 8 - индуктивность и 9 - емкость.Схема работает от импульсов отрицательной полярности любой длительности, но стандартной амплитуды.В статическом состоянии схемы туннельный диод 1 включен, а следовательно, включен транзистор 3. Через цепочку туннельных дио.дов 1 и 2 протекает ток ,смещения, который удерживает тупнельный диод 1 во включенном состоянии и смещает туннельный 5 диод 2 в обратном направлении. Чтобы такое состоян е схемы являлось ее единственным устойчивым состоянием, должны выполняться соотношения:Е0ем - ) 1 апр 1 Е - + - )1 где Я=Я, +Юг+Юг Если на любой из входов схемы в момент 15 времени 10 поступит отрицательный импульстока с амплитудой Ж такой, что Лю+ т,м( (1 пн, то...

Номер патента: 512514

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Круглов, Кузин, Павличенко, Рыжиков, Спасская

МПК: H01L 21/00

Метки: диапазона, источник, наносекундного, полупроводниковый, света

...промежуточньш слой толщиной от долей микрона до нескольких микрон того же типа проводимости, что и база, и включающий в себя одновременно донорную смесь, азот, в той же концентрации, что и в базе, н акцепторную примесь, алюминий в концентрации 10" - 10" см -На чертеже лен предлагаемый источник света в рЛлюминий из фв кристаллы 1 кршиной в 300 - По512514 Составитель М. ЛепешкинаТехред Е. Подурушина Корректор И. Позняковская актор В. ибобе Заказ 1575 Изд.1291 Тираж 1003Государственного комитета Совета Министрпо дедам изобретений и открытий13035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 45 ПодписиСССР ИПИ инография, нр. Сапунов гельпо легируются азотом в процессе выращивания для создания приповерхностного слоя 2 кристалла, компенсированного...

Номер патента: 699486

Опубликовано: 25.11.1979

Автор: Карпов

МПК: G04F 10/04

Метки: время-код, диапазона, наносекундного, рециркуляционный

...время-код наносекундного диапазона содержит элемент ИЛИ 1, элементы задержки 2 и 3, элемент И 4 и счетчик 56 99486 порционапьный преобразуемому ынтервалу времени Тх 3Преобразуемый интервап времени в внде прямоугопьного импульса длительностьюподается через элемент ИЛИ 1 на два последовательно включенных элемента задержки 2 и 3. Элемент задержки 2 осуществляет задержку снгнала на время Т, а элемент эадержки 3-на время ьТ, (см. фиг. 2 б,в). С выходов элементов задержки 2 н 3 импульсные сигналы длительностью Гх, но задержанные друг бтносительно друга на время Ь"Г, поступают на входы элемента И 4. На выходе элемента И 4 формируется прямоугольный импульс (см, фиг. 2 г), длительность которого равна Т 1 - ЬТ.15 Выходной импульс элемента...

Номер патента: 700923

Опубликовано: 30.11.1979

Авторы: Желтов, Матаков, Шалиманов

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, генератор, диапазона, импульсов, наносекундного

...1,являющийся внешним кондуктором для развязывающей, формирующей и передающейлиний, накопительный конденсатор 2, первый искровой разрядник 3, формирующуюлинию 4, второй искровой разрядник 5, передающую линию 6, развязывающую линию 7,индуктивность 8.Конструктивно разрядники 3, 5 выполнены с заполнением межэлектродных промежутков электрически высокопрочными жидкими диэлектриками - конденсаторным(трансформаторным) маслом или сжатымгазом.Работа генератора высоковольтных импульсов наносекундного диапазона осуществляется следующим образом,Высоковольтный источник напряжениязаряжает накопительный конденсатор 2. Подостижении пробивного напряжения срабатывает разрядник 3, и с этого момента начинают протекать два процесса: зарядка формирующей...

Номер патента: 752401

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Головков, Заболотный, Шихманов

МПК: G06K 15/00

Метки: диапазона, импульсных, наносекундного, однократных, регистрации, сигналов

...соответствующей ячейки.Итак, на конденсаторах запоминающих ячеек 3 - -8 происходит запоминание заведо. мо искаженного сигнала, который потом восстанавливакп, используя соотношение (1).В исходном состоянии при отсутствии регистрируемого сигнала ключи 1, 9 - 14 и 16 открыты управляющим напряжением положительной полярности с выхода порогового элемента 18 (диаграмма в, фиг. 2), напряжения на запоминающих конденсаторах запоминающих ячеек 3-8 равны нулю, импульсы напряжения с блока 17 распределения импульсов на блок 15 логических схем не поступают. При этом запоминающие конденсаторы запоминающих ячеек 3-8 и резистор 20 через открытые ключи 9-14 и 6 подключены к шине нулевого потенциала, а вход хронотронной линии 2 задержки через...

Номер патента: 900446

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Авдеев, Архипенко, Елисеев, Козьяков, Шкарбицкий

МПК: H03K 13/20

Метки: диапазона, импульсных, кодирования, наносекундного, однократных, сигналов, электрических

...зарядного рельефа, глубина которого изменяется по длине строки в соответствии с мгновенными значениями вход ного импульса.По окончании записи первого входного импульса производится смещение формируются строки, глубина зарядного рельефа которых изменяется подлине строки в соответствии с амплитудой входных сигналов. Считываниезарядного Рельефа с мишени запоминающей трубки производится относительно медленным телевизионным растром,причем считывающий луч проходит последу записывающего луча. Движениесчитывающего луча по строке вызываетформирование в цепи сигнальной пластины сигнала, пропорционального глубине потенциального рельефа строки.Тем самым осуществляется масштабновременное преобразование входногосигнала с последующим...

Номер патента: 947945

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Бужинский, Каменецкий, Колганов

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтный, генератор, диапозона, длительности, импульсов, наносекундного, сильноточный, частотный

...токопроводами 2, которые имеют вид тонкостенных тел вращения переменного,циаметра. Причем расстояние между их образующими постоянно, и они расположены концентрично по одной оси с конденсаторами емкостного накопителя 1.Цилиндрические токопроводы 2 соединены с конденсаторами емкостного накопителя 1 посредством дисковых токопроводов 3. Для осуществления параЛлельного соединения конденсаторов внутренний цилиндрический токопроводсоединен с наружным цилиндрическимтокопроводом радиальными токопроводами 4, проходящими с минимальнымэлектрически прочным зазором черезотверстия в боковой поверхности про"межуточного цилиндрического токопровода. Образованный таким способомемкостный накопитель соединен с коммутатором 5, например тиратрономТГИ/25, с...