Нейристор

ОП ИКАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДИЕЛЬСТВУ Союз Советскни Социалистических Республик(45) Дата опубли осударстаенныи комит Соаета Мнинстроа ССС оо делам иеооретеннй и открытий(088. 8) 04. 76 Бюллетень ования описания 01 07 76 2) Авторы изобретени Шпвди и А. Л. Шпвди 1) Заявит) НЕ ЙтИСТО Изобретение относится к радиоэлектронике, может быть использовано в телевидении,радиолокв.;ионной и вычислительной технике,Известны нейристоры, состоящие из параллельно включенных ЯС-цепочек и элементовс 8 -образной вольтамперной характеристнкой,Такие .:ейристоры одинаково проводятсигналы в любых направлениях и скоростьдвижения этих сигналов определяется только параметрами нейристоров. В обесточенном состоянии они теряют полученную информацию, а их интегральные схемы с рас,пределенными параметрами имеют слншкотсложную многослойную структуру.Цель изобретения - получение реверсиро"ванного движения зоны возбуждения с переменной скоростью и запом знанием положениязоны возбуждения в обесточенном состоянии.Предлагаемый нейристор отличается тем,что распределенная КС-цепочка выполненав виде ферритовой пленки с прямо гольнойпетлей гистерезисв и нанесена на токопроводящий электрод, который соединен с реверсируемым источником тока и подклочен 2через переменный резистор к одному нзполюсов источника питания, второй полюскоторого соединен с Ггругим токопроводяшим электродом, нанесенным на пленку5материала с 3-образной аольтвмперной характеристикой, например,. хвлькогенидногостекла, покрыввюшего ферритовую пленку.Не чертеже изображен разрез нейристо,.ра в интегральном исполнении,Токопроводяшее основание 1, покрытоетонкой фчрритовой пленкой 2 с прямоугольной петлей гистерезисв и пленкой хвлькогенидного стекла 3, с симметричной б -образной вольтвмперной характеристикой, поФ.ключено к источнику реверсируемого тока4 и соедь,ено с другим токопроводящимваентродом 5 через переменный резистор6 и источи".к питания 7,При включении нейристорв ток реверсарО от источника 4, проходя вдоль осш ввния1, создает в пленке 2 магнитное поле, аток зоны возбуждения форлшрует вокруг,себя дополнительное магнитное поле, которое слева от зоны возбуждения склвлнвв 5 ется с полем тока реверса, в спрвив - вы с;дрс 1 рчитается из него. Поэтому магнитная индукция в пленке "качкообраэно изменяетсятолько справа от эоны возбуждения.Како известно, такое изменение индукции , магнитного поля сопровождается возникноекцб вением электрического поля, которое в соответствии с законом электромагнитной индукции стремится вызвать электрический ток, направленный навстречу исходному.Но после исчезновения токопроводяшего 1 О канала в этой же точке ферритовой пленки восстанавливается первоначальное зна чение электромагнитной индукции и наводится электрическое поле противоположного направления. 15 1Если нейристор обесточивается, участок ферритовой пленки, непосредственно,прилегающий к зоне возбуждения, перемаг- ничивается по отношению к остальному . 3) объему пленки. Поэтому при новом включении нейристора в этом участке плснки скачкообразно изменяетсч магнитная индукция и наводится дополнительное напряжение, которое переводит з проводящее состояние, 25 участок пленки халькогенидного стекла, находяшийся над перемагниченнымучастком ферритовой пленки. Таким образом, возобновляется движение зоны возбуждения из положения, предшествующего момен- ЗО ту выключения нейристора, причем направ-ление и скорость движения определяются направлением тока реверса и сопротивлением переменного резистора 6. Поскольку вольтамперные характеристики халькогенидных стекол симметричны, а взаимное направление магнитных потоков в ферритовой пленке определяется также полярностью источника питания 7, реверса в данном случае можно достичь и путем изменения полярности источника питаниц 7,П редмет изобретенияНейристор, состоящий иэ параллельно включенныхС-цепочек и элементов с - образной вольтамперной характеристикой, отличающийся тем,что,с целью получения реверсивного движения эоны возбужденяя с переменной скоростью и запоминанием положения зоны возбуждения в обесточенном состояпии, распр деленная КС-цепочка выполнена в виде ферритовой пленки с прямоугольной петлей гистерезиса:и нанесена на токопроводяший электрод,:который соединен с реверсивусмым источником тока и подклкм чен через переменный резистор к одному из полюсов источника питания, второй по люс которого соединен с другим токопроводяшим электродом, нанесенным на пленку материала с Я-образной вольтамперной характеристикой , на тример халькогенидногв стекла, покрывающего Аерритовую пленку.Изд. й /И Тирак 963 Подпис зое Заказ 5 У 74 БЕ 1 ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская изб., 4 Филиал ЛПП Патент" г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Составитель С.поликарповРедактор Б.Федотов Техред М.Семенов Корректор З.Тарвдовв