Способ получения диэлектрических слоев
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 498665
Авторы: Глауберман, Дроздов, Потапенко
Текст
(и)498665 ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Саоз Советских Социалистических Реслфгив(45) Дата опубликования описания 26.05.76 Государстве Совета Ииило делами отк ииыи коитет истров СССР 5 Зооретеи 51; раций621.382 (088.8) 72) Авторы изобретения А, Дро роздов, Ъ апенкоЕ. Глауберман, В,и Я. Л Одесский ордена Трудового Красного Знамениосударственный университет им. И. И. Мечникова(7 явитель 54) СПОСОБ ПОЛУЧЕИИЯ ИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ Известны спосооы получения диэлектрических слоев пцроактпвациоццым разложениемпаров металлооргяццчсскцх соединений в вакууме или в цнерт 11 ой среде,Недостатком известных способов являетсянестерильность пиролцзцой технологии, Обрязцъ зягряз 11 яются различными примес 51 в 1 ц,прежде всего продуктами распада метяллоорганических соединений, Слои получают нефоточувствительнымц, с оольшим электронным 1 Осродством. О:.ц приме 1 яются главным образом в качестве высокоомных резистивцых покрытий.Целью изобретения является получениедостаточно толстых (несколько микрон) и однородных диэлектрических слоев щелочногалоидных соединений, электронная проводимость которых на 6 - 7 порядков превосходитих собственную ионную проводимость. Малоеэлектронное сродство этих материалов обеспечивает создание высокоэффективных эмиттеров и высококачественны:с барьерных систем.Кроме того, актцвированце диэлектриковметаллическими кластерами позволяет придавать им цовые полезные свойства, напримерфото- и электроупр авл яемость.Сущность изобретения заключается в том,что активированце пленок МЯС 1 (с определенным размером зерен-кристаллитов) металлическцми кластерами натрия проводится в результате катодцо-плазменной ооработк;1 с использованием кадмиевого катода.Согласно предложенному способу, технологический цикл изготовления образцов начиняот с термического напыления в вакууме - 10 -торр поликристаллцческой плсцкц МЯС 1 толщиной 0,1 - 3 тк с размерами отдельных зерен-кристаллитов 0,05 - 0,07 к. (указаный размер крцсталлитов можно реализовать, варьируя параметрь 1 напыления цле 1 кц либо подсирая нужный материал подложки). Плен ки такого типа получают напылением .слорцстого цатрия цз кварцевого тигля, нагретого до 950 С, ца обезжиренную стеклянную подложку при температуре 200 С со скоростью 1 яращцвацця плеки - 0,02 к.1,лин, Далее пленку подвергают кятодцо-плазменной обработке при температуре 180 С в яргоцо-кцслорздной атмосфере (смесь в пропорции 12: 1/2, р= 10- торр) с использованием кадмиевого катода, расположенного на расстоянии 5 сх от пленки ХЯС.Раоочий режим при стабильном разряде: Р = 1,5 кв;= 4 ма/слР; Л 1 = - 20 лиц,В результате получают тресбуемые пленки, гомоге;шые по типу окраски, в смысле содержания исключительно металлокластерных центров коллоидной дисперсности, что подтверждается измерениями оптического поглоИзд. М 188 Тираж 977 И Государственного комитета Совета Мин по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписов СССР к ип, Харьк. фил. пред. Патент щения образцов, при которых проявляется лишь, коллоидпая полоса абсорбции с максимумом у Х = 570 мклю, наличия центров иного типа (/г - , Я - , /1 Х - и т. д.) не обнаруживается.Предельные глубины кластеризации для пленок с другими размерами зерен приведены на чертеже.На чертеже видно, что размер зерна 0,05 - 0,07 лкл для КаС 1 является оптимальным для проведения с максимальной эффективностью процесса активирования 1 х 1 аС - пленки на наибольшу 1 с глубину (до 3 лклх). 1. Способ получения диэлектрических слоев, например, слоев хлористого натрия, путем активации в вакууме, о т л и ч а ю щ и йся тем, что, с целью достижения высоких значений электронной проводимости, данные слои активируют металлическими кластерами натрия посредством обработки низкоэнергети ческой плазмой катодного разряда в аргонокислородной атмосфере с использованием кадв 1 иевого катода, атомный пучок пз которого стимулирует формирование указанных кластеров натрия.102. Способ по п. 1 о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, для получения однородно активированных металлическими кластерами натрия слоев хлористого натрия толщиною до 3 л 1 кн, 15 применяют мелко диспергпрованные поликристаллические пленки хлорида натрия с заданными размерами кристаллитов 0,05 - 0,07 л 1 км, оптимизирующие условия формирования указанных кластеров натрия.
СмотретьЗаявка
2020897, 18.04.1974
ОДЕССКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. И. И. МЕЧНИКОВА
ГЛАУБЕРМАН АББА ЕФИМОВИЧ, ДРОЗДОВ ВАЛЕНТИН АЛЕКСЕЕВИЧ, ДРОЗДОВ МИХАИЛ АЛЕКСЕЕВИЧ, ПОТАПЕНКО ЯКОВ ЛОГВИНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 49/02
Метки: диэлектрических, слоев
Опубликовано: 05.01.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-498665-sposob-polucheniya-diehlektricheskikh-sloev.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения диэлектрических слоев</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления сверхминиатюрных ламп накаливания
Следующий патент: Способ изготовления кадмиевого электрода щелочного аккумулятора
Случайный патент: Прибор для дисперсионного анализа жидкостей