Фотошаблон

Номер патента: 952619

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Вилков, Елизаров, Зимицкий, Чигринский, Шуваев

МПК: B28D 1/18

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...19 с зазором установленыцилиндрические штанги 21, концы которых жестко закреплены в корпусе. 30Большее основание вакуумного стола 5 имеет постоянные магниты 22.Устройство работает следующим образом.Перед началом обработки, узел 6 сов 3 Фмещения настраивают относительнолинии реза, чля чего на вакуумномстоле 5 закрепляют пробную пластину и надрезают ее. Затем визирнуюлинию оптического устройства сов Омешают с линией реза. В дальнейшемвизирная линия служит базой приориентации рабочих пластин. Рабочуюпластину 23 закрепляют совместно сметаллическим кольцом 24 на адгези-онной пленке 25 и устанавливаютна вакуумном столе. При этом металлическое кольцо притягивается к магнитам 22 и пленка облегает конус стола.В этом случае алмазный круг...

Номер патента: 617271

Опубликовано: 30.07.1978

Авторы: Белов, Герасимов, Карпов, Красавина, Сурогин, Цыпкин, Чернышев

МПК: B28D 1/18

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...гайка для продольной подачи,снабженная приводом подачи, кинематически связана с винтом салазок, имеющимвозможность вращательного движения вЗО опорах.3На чертеже дана кинематическая схема предлагаемого устройства для резки пластин полупроводниковых материалов.Устройство состоит из корпуса 1 с направляющими 2 и неподвижно закрепленным ходовым винтом 3, снабженным гайкой 4 для продольной подачи, жестко связанной с червячным колесом 5 и винтовой шестерней 6. Червячное колесо 5 входит в зацепление с червяком 7, являющимся при О водам подачи, а винтовая шестерня 6 входит в зацепление с винтовой шестерней 8, которая жестко закреплена на ходовом винте 9 поперечной подачи, связанном с салазками 10 при помощи опор 11 враща тельного движения,...

Номер патента: 1046734

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Гревцев, Гриценко, Сажнев

МПК: G03F 9/00

Метки: знак, маски, подложки, реперный, рисунка, рисунком, совмещения

...знак 5 - для совмещения по углу М . Далее накладываютмаску на подложку таким образом,чтобы квадраты реперных знаковчастично перекрывались, и освещают ихкогерентным излучением, напримерлазерным лучом. Затем проводят собственно процесс совмещения путем грубой и точной ориентации маски иподложки.Процесс грубой ориентации осуществляют по принципу сравнения площадей периферийных участков 3 наподложке, неперекрытых квадратоммаски, Поскольку интенсивность дифрагированного излучения пропорциональна освещаемой световым пучком площади этой решетки, то величину смещения ДХ, ЬУ, йУцентров квадратовна маске (01)и подложке (02)можноопределить, измеряя Фотоприемникамии сравнивая интенсинность излучения, .дифрагированного на периферийныхучастках 3 в...

Номер патента: 1712163

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Метелев, Шепелев, Шуваев

МПК: B28D 7/00

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...между направляющими и подпятниками подается через отверстия малого диаметра, Аэростаические подпятники 14-17 имеют возможность регулировки.с помощью винтов 18, Конструкция всех подпятников одинаковая,Устройство работает следующим образом,Перед началом работы нэ устройстве производится выставление параллельности плоскости вакуумного стола 5 относительно плоскости поперечных чаправляющих шпинделя 7, что осуществляется следующим образом. С помощью зинтов 18, обеспечивается стопорение кар,ток продольной 3 и поперечной 4 подач на призматических направляющих 10 и 11, после чего, ослабляя давление подпятников 14 и 16, добиваются свободного скольжения кареток 3 и 4 при минимальных зазорах, обеспечивая при этом максимальную жесткость системы...

Номер патента: 352771

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Бут

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, резки

...вдоль следов эцсргстичсски слабы.; кристаллографц ческих плоскостей. На фиг, 1 изображецы следы пересечения с плоскостью (111) плоскостей, слабых в эцер гетт 1 ческок Отцошеции; ца фиг, 2 показао кяк по трем естественным граням 1 роста ца цикием торце слитка цаходят цапраьлецис пло- кости (001), обозцачецьое стрелкой 2, и мсстопахождеццс базового среза 3 отцос:,тельц2 этои стрелки. Направлепие тлоскости (001) ця верхцем торце слитка будет противоположцым.Практически цахокдецие эцергегцческц слабых плоскостей и резка пластин ца кр;с НяпряВ 1 ецие 1 ка 1 заццых плоскостеи, тяк же как и (111) (111) и (111), можцо найти рентгецографическцм методом.Найденное по трсугольццку одцо цз напра- леций, например плоскости (001), прогцвополож...