163292
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 163292
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СО 11 ИААИСТИВЕСКИХ РЕСПВЛИККласс 21 д, 11 е 2 КО 1 11.1962 ( 809435(26-9) явлен ГОСУДМСТВЕННЫИКОМИТЕТ ПО ДЕЛАМЗОЕРЕТЕНИИ И ОТКРЫТИИСССР Х 1.1964. Бюллетеньвубликов Д , я;а1/ . А. Зубрицкий и 1 О Волховитяно ОЕВ ПОЛУПРОВРОВ Известен способ создания базовых слоев полупроводниковых приборов, например мезатранзистсров,путем напыления примеси в высоком вакууме на поверхность нагретой пластины полупровсдкикового материала.Предлагаемый способ создания базовых слсев полупроводниковых приооров отличается от известкых тем, что пластину полупроводникового материала нагревают до температуры, при которой в процессе напыления одновременно происходит диффузия атомов примеси в полупрсводниковьш материал и ее интенсивное испар.ние.На чертеже поясняется су 1 цность предлагаемого спосооа.Пластина 1 полупроводникового материала с хорошо очищенной поверхностью помещается на графитовоеи нагревателе 2 вакуумной установки 3. Над нагревателем расположен испаритель примеси 4. Температура нагревателя регулируется в широких пределах и контролируется термопарой 5.Перед напылением пластину подвергаюг предварительному отжигу с целью удаления с ее поверхности адсорбирсванкых газов и летучих органических соединений, которые могли остаться пссле промывки. Затем по достижении высокого вакуума ка нагретую до температуры дяффузии пластину напыляется примесь, температура испарения которой в вакууме нихке температуры диффузии, В качестве примеси для германия применяются сурьв полупровод- езатранзистовысоком вапластины поотличаюевают до темсе напыления ев примеси в роисходит инПодписная группа Л 82 ОЗДАИИЯ ВАЗОВЫХ С ПРИЬО1КО ВЫ)Г ма, мышьяк, висмут, фосфор, а для кремния -материалы с большей температурой испарения. Нанесенная на пластину примесь частично внедряется в полупроводниковый материал, а частично испаряется, создавая встречный поток примесных атомов, При дальнейшем отжиге атомы внедрившейся примеси диффундируют вглубь полупроводника.Способ позволяет создать при температуре диффузии дсстаточно большую плотность паров примеси у поверхности полупроводника. препятствующую попаданию на полупроводник чрезмерного количества примеси из испарителя, т. е, созданию на поверхности металлического слоя и сплавления примеси с полупроводниковым материалом,Предлагаемым способом были изготовлены базовые слои толщиной от долей микрона до 1 О,цк. Предмет из обре тениСпособ создания базовых слоениксвых приборов, например мров, путем напыления примеси вкууме ка певерхность нагретойлупровсдпикевого материала,щ и й с я тем, что пластину нагрпературы, при которой в процессдновременно с диффузией атомполупрсводниковый материал птенсивное испарение примеси.1 оди. к печ. 81 И - 61 г, формат Заказ 1543 2 Тира) ЦНИИПИ Государственного комитета и Иосква, Центр, бум. 60(91050о делам ир. Серова Объем 0,.13 изд. л. Цена 5 коп. открытий СССР
СмотретьЗаявка
809435
МПК / Метки
МПК: H01L 21/383
Метки: 163292
Опубликовано: 01.01.1964
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-163292-163292.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">163292</a>
Предыдущий патент: 163291
Следующий патент: 163294
Случайный патент: Шовный материал для микрохирургии