Галаванов

Номер патента: 168370

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Галаванов, Златкин

МПК: H01L 21/06, H01L 31/0296, H01L 31/08 ...

Метки: вентильный, фотоэлемент

...подло;кку 1 нанесена основа фотоэлемента 2 - соединение Ад.Те с избытком серебра. Зто соединение легировано сурьмой, входящей в виде твердого раствора как в серебро, так и в гессит, Полупроводниковый слой 3 и-типа состоит из АдЯ с избытком серы и с примесями теллура и сурьмы, т. е,:Ад,Я + 8 + Те+ ЯЬ.Полупроводниковый слой 4 р-типа состоит из пленки сурьмы толщиной 200 - 250 А, Поверх этого слоя нанесено контактное кольцо б. Чистого теллура в сплаве нет. Он входит в сплав в виде соединения АрТе в его низкотемпературнои модификации (гессит, илпД-АдТе). Оставшееся свооодное серебро остается в сплаве в виде второй фазы,Сурьма входит в виде твердого раствора как5 в серебро, так и в гессит, Благодаря этому атомы сурьмы при...